① 輸入引腳處的電壓波形

輸入噪音或一個(gè)反射波引起的波形失真可能導(dǎo)致錯(cuò)誤發(fā)生。如果由于噪音等的影響使CMOS設(shè)備的輸入電壓范圍保持在VIL(MAX)和VIH(MIN)之間，設(shè)備可能發(fā)生錯(cuò)誤。在輸入電平固定時(shí)以及輸入電平從VIL(MAX)過渡到VIH (MIN)時(shí)的傳輸期間，要防止散射噪聲影響設(shè)備。

② 未使用的輸入引腳的處理

CMOS設(shè)備的輸入端保持開路可能導(dǎo)致誤操作。如果一個(gè)輸入引腳未被連接，則由于噪音等原因可能會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部輸入電平，從而導(dǎo)致誤操作。CMOS設(shè)備的操作特性與Bipolar或NMOS設(shè)備不同。CMOS設(shè)備的輸入電平必須借助上拉或下拉電路固定在高電平或低電平。每一個(gè)未使用引腳都應(yīng)該通過附加電阻連接到VDD或GND。如果有可能盡量定義為輸出引腳。對(duì)未使用引腳的處理因設(shè)備而異，必須遵循與設(shè)備相關(guān)的規(guī)定和說明。

③ ESD防護(hù)措施

如果MOS設(shè)備周圍有強(qiáng)電場(chǎng)，將會(huì)擊穿氧化柵極，從而影響設(shè)備的運(yùn)行。因此必須采取措施，盡可能防止靜電產(chǎn)生。一旦有靜電，必須立即釋放。對(duì)于環(huán)境必須有適當(dāng)?shù)目刂?。如果空氣干燥，?yīng)當(dāng)使用增濕器。建議避免使用容易產(chǎn)生靜電的絕緣體。半導(dǎo)體設(shè)備的存放和運(yùn)輸必須使用抗靜電容器、抗靜電屏蔽袋或?qū)щ姴牧先萜鳌Ｋ械臏y(cè)試和測(cè)量工具包括工作臺(tái)和工作面必須良好接地。操作員應(yīng)當(dāng)佩戴靜電消除手帶以保證良好接地。不能用手直接接觸半導(dǎo)體設(shè)備。對(duì)于裝配有半導(dǎo)體設(shè)備的PW板也應(yīng)采取類似的靜電防范措施。

④ 初始化之前的狀態(tài)

在上電時(shí)MOS設(shè)備的初始狀態(tài)是不確定的。在剛剛上電之后，具有復(fù)位功能的MOS設(shè)備并沒有被初始化。因此上電不能保證輸出引腳的電平，I/O設(shè)置和寄存器的內(nèi)容。設(shè)備在收到復(fù)位信號(hào)后才進(jìn)行初始化。具有復(fù)位功能的設(shè)備在上電后必須立即進(jìn)行復(fù)位操作。

⑤ 電源開關(guān)順序

在一個(gè)設(shè)備的內(nèi)部操作和外部接口使用不同的電源的情況下，按照規(guī)定，應(yīng)先在接通內(nèi)部電源之后再接通外部電源。當(dāng)關(guān)閉電源時(shí)，按照規(guī)定，先關(guān)閉外部電源再關(guān)閉內(nèi)部電源。如果電源開關(guān)順序顛倒，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備的內(nèi)部組件過電壓，產(chǎn)生異常電流，從而引起內(nèi)部組件的誤操作和性能的退化。對(duì)于每個(gè)設(shè)備電源的正確開關(guān)順序必須依據(jù)設(shè)備的規(guī)范說明分別進(jìn)行判斷。

⑥ 電源關(guān)閉狀態(tài)下的輸入信號(hào)

不要向沒有加電的設(shè)備輸入信號(hào)或提供I/O上拉電源。因?yàn)檩斎胄盘?hào)或提供I/O上拉電源將引起電流注入，從而引起設(shè)備的誤操作，并產(chǎn)生異常電流，從而使內(nèi)部組件退化。每個(gè)設(shè)備電源關(guān)閉時(shí)的信號(hào)輸入必須依據(jù)設(shè)備的規(guī)范說明分別進(jìn)行判斷

審核編輯：湯梓紅