簡單介紹TOREX功率MOSFET
功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導(dǎo)體中的一種。與其它功率半導(dǎo)體相比較，功率MOSFET具備電源開關(guān)速度快、低壓效率高的優(yōu)勢。功率MOSFET和IGBT具備隔離的柵極體，因此更容易驅(qū)動器。功率MOSFET的缺點(diǎn)是增益小，偶爾柵極驅(qū)動的電壓甚至是少于實(shí)際要控制的電壓。
TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻和高速電源開關(guān)特性。適合于各種設(shè)備應(yīng)用，如繼電器電路和開關(guān)電源電路。
一個柵極保護(hù)二極管內(nèi)置作為防靜電措施。緊湊型的SOT-323-3A(2.1x1.25xH0.95mm)適用于TOREX功率MOSFET封裝器件，以推動設(shè)備微型化。
除此之外，TOREX功率MOSFET滿足歐盟RoHS指令，無鉛和環(huán)保。
TOREX半導(dǎo)體主要提供COMS、傳感器、二極管等元器件，產(chǎn)品以小體積、性能卓越而著名。
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
TOREX
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
23瀏覽量
45629 -
功率MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
397瀏覽量
23082
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
TSC426雙功率MOSFET驅(qū)動器
深入解析MAX626/7/8 - TSC426/7/8雙功率MOSFET驅(qū)動器 引言 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET驅(qū)動器是至關(guān)重要的元件，它能有效控制功率
探索MAX626雙功率MOSFET驅(qū)動器
探索MAX626/7/8 - TSC426/7/8雙功率MOSFET驅(qū)動器 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率MOSFET驅(qū)動器是至關(guān)重要的組件，它能夠?qū)TL輸入轉(zhuǎn)換為高電壓/電流輸出，滿足各種應(yīng)
MOSFET相關(guān)問題分享
1.Q：并聯(lián)使用MOS存在一些問題，那我們要怎樣做才能避免這些問題？
A：首先，器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并聯(lián)時，器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過流
發(fā)表于 01-26 07:46
MOSFET的Id電流介紹
（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負(fù)載能力，超過這個值可能會因?yàn)槌?fù)荷導(dǎo)致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數(shù)選擇時，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
發(fā)表于 12-23 08:22
MPN12AD20-TS：高功率高效率，完美替代ADI/TI/TOREX/Murata村田
MPN12AD20-TS可作為高功率密度、高效率的替代方案，適用于需要20A負(fù)載的場景，但需驗(yàn)證輸入/輸出范圍、保護(hù)功能及溫度范圍的匹配性。以下是對MPN12AD20-TS替代ADI、TI
發(fā)表于 11-26 09:43
功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析
MOSFET管，雙管和單管相比，優(yōu)勢在哪里？是不是簡單的將RDS(on)減半、ID加倍等參數(shù)合成？
回復(fù)：功率MOSFET管數(shù)據(jù)表中，ID和IDSM都是計算值。ID是基于RθJC和R
發(fā)表于 11-19 06:35
MPN12AD12-TS：替代ADI、TI、TOREX等品牌電源芯片的優(yōu)選方案
MPN12AD12-TS作為Cyntec乾坤推出的非隔離微型電源模塊，可替代部分ADI、TI、TOREX等品牌的電源芯片，尤其在需要高功率密度、寬輸入輸出范圍及高可靠性的場景中優(yōu)勢顯著。一
發(fā)表于 11-13 10:20
密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封
發(fā)表于 07-09 18:30
MOSFET與IGBT的選擇對比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場景，能夠有效提高系統(tǒng)
TOREX使用西門子EDA工具打造小尺寸降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
總部位于東京的 TOREX Semiconductor (TOREX) 專門從事模擬 (CMOS) 電源集成電路 (IC) 的開發(fā)。TOREX 憑借一流的集成電路贏得了良好的聲譽(yù)和廣泛的認(rèn)可，這些
初級元器件知識之功率MOSFET
什么是功率 MOSFET？
我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向；我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號
發(fā)表于 06-03 15:39
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅(qū)動器的功率吸收路徑，
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎？
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優(yōu)點(diǎn)？
發(fā)表于 05-28 06:51
互補(bǔ)MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計
電路設(shè)計的驅(qū)動電路。
功率 MOSFET 對驅(qū)動電路的要求:
功率 MOSFET 是電壓型驅(qū)動器件[2]，沒有少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)，輸入阻抗高，因而開關(guān)速度可以很高，驅(qū)動
發(fā)表于 03-27 14:48
MOSFET開關(guān)損耗計算
，有更細(xì)膩的考慮因素，以下將簡單介紹 Power MOSFET 的參數(shù)在應(yīng)用上更值得注意的幾項(xiàng)重點(diǎn)。
1 功率損耗及安全工作區(qū)域(Safe Operating Area, SOA)
發(fā)表于 03-24 15:03
一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計算?。。夥e分）
的選用，有更細(xì)膩的考慮因素，
以下將簡單介紹 Power MOSFET 的參數(shù)在應(yīng)用上更值得注意的幾項(xiàng)重點(diǎn)。
1 、功率損耗及安全工作區(qū)域(Safe Operating Area,
發(fā)表于 03-06 15:59
工商網(wǎng)監(jiān)
評論