91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT模塊的選定

倩倩 ? 來源:青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 ? 作者:青島佳恩半導(dǎo)體有 ? 2022-08-23 14:24 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

01

IGBT模塊的選定

在使用IGBT模塊的場合,選擇何種電壓,電流規(guī)格的IGBT模塊,需要做周密的考慮。

a.電流規(guī)格

IGBT模塊的集電極電流增大時(shí),VCE(-)上升,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開關(guān)損耗增大,原件發(fā)熱加劇。因此,根據(jù)額定損耗,開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量,控制器件結(jié)溫(Tj)在 150oC以下(通常為安全起見,以125oC以下為宜),請使用這時(shí)的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱也加劇,需十分注意。
一般來說,要將集電極電流的最大值控制在直流額定電流以下使用,從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。

02

防止靜電

IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn),因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請注意。

在使用裝置的場合,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(shí)(珊極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止這類損壞情況發(fā)生,應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kΩ左左的電阻為宜。

此外,由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu),對于靜電就要十分注意。因此,請注意下面幾點(diǎn):

1)在使用模塊時(shí),手持分裝件時(shí),請勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分。

2)在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動(dòng)端子的模塊時(shí),在配線未布好之前,請先不要接上模塊。

3)盡量在底板良好接地的情況下操作。

4)當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸。

5)在焊接作業(yè)時(shí),焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將焊機(jī)處良好的接地狀態(tài)下。

6)裝部件的容器,請選用不帶靜電的容器。

03

并聯(lián)問題

用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時(shí),可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。

并聯(lián)時(shí),要使每個(gè)器件流過均等的電流是非常重要的,如果一旦電流平衡達(dá)到破壞,那么電過于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。
為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡,適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯(lián)是很重要的。

04

其他注意事項(xiàng)

其他注意事項(xiàng)

1)保存半導(dǎo)體原件的場所的溫度,溫度,應(yīng)保持在常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5-35℃,常濕的規(guī)定為45—75%左右。

2)開、關(guān)時(shí)的浪涌電壓等的測定,請?jiān)诙俗犹帨y定。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 模塊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    2837

    瀏覽量

    53293
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264175
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    263043

原文標(biāo)題:IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)

文章出處:【微信號:JNsemi,微信公眾號:青島佳恩半導(dǎo)體有限公司】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    淺談IGBT模塊的散熱設(shè)計(jì)技巧

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT模塊是當(dāng)之無愧的“功率核心”,從儲(chǔ)能PCS、變頻器到新能源汽車電控,其穩(wěn)定運(yùn)行直接決定整套系統(tǒng)的可靠性。而散熱設(shè)計(jì),正是守護(hù)IGBT壽命與性能的關(guān)鍵防線。
    的頭像 發(fā)表于 01-26 09:48 ?1384次閱讀

    推拉力測試儀的工作原理及其在IGBT功率模塊推力檢測中的應(yīng)用

    在現(xiàn)代電力電子與新能源汽車工業(yè)飛速發(fā)展的今天,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為電能轉(zhuǎn)換與控制的“心臟”,其可靠性直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的性能與壽命。IGBT模塊內(nèi)部通過焊接、鍵合
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:13 ?990次閱讀
    推拉力測試儀的工作原理及其在<b class='flag-5'>IGBT</b>功率<b class='flag-5'>模塊</b>推力檢測中的應(yīng)用

    IGBT模塊工作環(huán)境溫濕度條件解析

    在散熱器上安裝的IGBT模塊并非密封設(shè)計(jì),盡管芯片上方有一層硅膠,但是水汽仍然可以通過外殼間隙以及硅膠進(jìn)入器件芯片內(nèi)部。因此,器件在使用和存儲(chǔ)過程中,必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:05 ?1934次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>工作環(huán)境溫濕度條件解析

    傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因

    傾佳電子推動(dòng)SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術(shù)動(dòng)因與SiC模塊應(yīng)用系統(tǒng)級優(yōu)勢深度研究 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于
    的頭像 發(fā)表于 09-07 14:57 ?2315次閱讀
    傾佳電子推動(dòng)SiC<b class='flag-5'>模塊</b>全面替代<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的技術(shù)動(dòng)因

    IGBT模塊的封裝形式類型

    不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計(jì)、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場景進(jìn)行系統(tǒng)分析。
    的頭像 發(fā)表于 09-05 09:50 ?2790次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的封裝形式類型

    IGBT 模塊接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

    一、引言 IGBT 模塊在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛,其散熱性能直接關(guān)系到系統(tǒng)的可靠性與穩(wěn)定性。接觸熱阻作為影響 IGBT 模塊散熱的關(guān)鍵因素,受到諸多因素影響,其中芯片表面平整度不容
    的頭像 發(fā)表于 09-01 10:50 ?1784次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>模塊</b>接觸熱阻增大與芯片表面平整度差關(guān)聯(lián)性

    部分外資廠商IGBT模塊失效報(bào)告作假對中國功率模塊市場的深遠(yuǎn)影響

    部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對中國功率模塊市場的深遠(yuǎn)影響,可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競爭等多維度分析,并結(jié)合中國功率模塊市場的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評估: 一、失效報(bào)告作假的根
    的頭像 發(fā)表于 05-23 08:37 ?947次閱讀
    部分外資廠商<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>失效報(bào)告作假對中國功率<b class='flag-5'>模塊</b>市場的深遠(yuǎn)影響

    新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊

    。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片,特別針對400V和800V電動(dòng)汽車架構(gòu)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng),相
    的頭像 發(fā)表于 05-06 14:08 ?849次閱讀
    新型<b class='flag-5'>IGBT</b>和SiC功率<b class='flag-5'>模塊</b>用于高電壓應(yīng)用的新功率<b class='flag-5'>模塊</b>

    功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊:PPS注塑加工案例

    IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件,具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與
    的頭像 發(fā)表于 04-16 08:06 ?1615次閱讀
    功率半導(dǎo)體器件<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:PPS注塑加工案例

    SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

    SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC MOSFET模塊通過高效率、高
    的頭像 發(fā)表于 04-12 13:23 ?968次閱讀
    SiC碳化硅MOSFET<b class='flag-5'>模塊</b>革掉<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>來顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

    中國電力電子客戶不再迷信外資品牌的IGBT模塊和SiC模塊

    中國電力電子客戶逐漸擺脫對國外IGBT模塊(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC功率模塊供應(yīng)商的依賴,轉(zhuǎn)向國產(chǎn)替代產(chǎn)品IGBT模塊和SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:50 ?912次閱讀

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

    英飛凌與富士等外資品牌IGBT模塊大幅度降價(jià)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析 英飛凌、富士等外資品牌IGBT模塊在中國市場掀起了降價(jià)超過30%的IGBT
    的頭像 發(fā)表于 03-21 13:18 ?1277次閱讀
    英飛凌與富士等外資品牌<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>價(jià)格戰(zhàn)策略的本質(zhì)與深層危機(jī)分析

    IGBT模塊封裝:高效散熱,可靠性再升級!

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,扮演著至關(guān)重要的角色。其封裝技術(shù)不僅直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命,還關(guān)系到整個(gè)電力電子系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 03-18 10:14 ?1806次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>封裝:高效散熱,可靠性再升級!

    IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象

    IGBT模塊的反向恢復(fù)現(xiàn)象是指在IGBT關(guān)斷時(shí),其內(nèi)部集成的續(xù)流二極管(FWD)從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)過程中出現(xiàn)的一些特定物理現(xiàn)象和電氣特性變化。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 14:39 ?4254次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>的反向恢復(fù)現(xiàn)象

    IGBT模塊:“我太難了”,老是炸毀?

    研究,約34%的光伏電站可靠性問題由IGBT故障引發(fā)。IGBT模塊炸毀的核心原因搜索電氣過載:電壓與電流的“致命沖擊”過壓擊穿:電網(wǎng)電壓波動(dòng)或線路寄生電感產(chǎn)生的尖
    的頭像 發(fā)表于 03-09 11:21 ?5307次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>模塊</b>:“我太難了”,老是炸毀?