這些團隊開發(fā)了第一個內(nèi)存計算芯片，以比其他平臺更低的能量和更高的精度來處理一系列 AI 應(yīng)用程序。

邊緣 AI 計算的圣杯是同時提供高效率、高性能和多功能性的芯片。獲得所有這三個一直以來對設(shè)計人員構(gòu)成了重大挑戰(zhàn)，因此，許多人已經(jīng)開始完全考慮新的計算架構(gòu)。

其中一種新架構(gòu)是內(nèi)存計算，旨在消除數(shù)據(jù)移動瓶頸，以實現(xiàn)比傳統(tǒng)數(shù)字處理單元更高的效率和更好的性能。本周，一組國際研究人員發(fā)表了一篇論文，描述了一種基于電阻隨機存取存儲器(RRAM) 的新型內(nèi)存計算芯片。

NeuRRAM 神經(jīng)形態(tài)芯片。圖片由UCSD提供

在本文中，我們將討論用于內(nèi)存計算 (CIM) 的 RRAM、這些解決方案的歷史缺陷以及該小組的新“NeuRRAM”神經(jīng)形態(tài)芯片。

用于內(nèi)存計算的電阻式 RAM

在過去的 30 年中，設(shè)計人員一直在研究內(nèi)存計算的想法，最近，基于電阻 RAM 的內(nèi)存計算。

RRAM CIM 消除了馮諾依曼瓶頸，這是單獨的內(nèi)存和計算的結(jié)果，而是將它們合并在一起。在此架構(gòu)中，電阻式 RAM 元件用于存儲器存儲，其中二進制數(shù)字基于每個單元中 RRAM 材料的電阻狀態(tài)存儲。在這里，施加電壓可能會導致 RRAM 成為高電阻材料，代表數(shù)字 1，反之亦然。讀取存儲器中的位是通過向 RRAM 單元施加電壓并讀取產(chǎn)生的電流來實現(xiàn)的，該電流將根據(jù) RRAM 的狀態(tài)而變化。

使用 RRAM CIM 單元的乘法示例。圖片由SemiWiki提供

RRAM 是一種非常節(jié)能、小型且非易失性的存儲器。這種架構(gòu)也非常適合人工智能計算的環(huán)境，因為機器學習計算嚴重依賴于可以用 RRAM 輕松實現(xiàn)的乘法和累加函數(shù)。由于感測電流能夠讀取 RRAM 結(jié)果，因此可以通過對一個或一系列結(jié)中的電流求和來輕松地將 RRAM 值相加和相乘。

RRAM CIM的缺點

盡管 RRAM CIM 有諸多好處，但這項技術(shù)的研發(fā)仍然充滿了障礙。

一方面，早期的研究大多集中在 RRAM 芯片上執(zhí)行 AI 計算，但仍然依賴片外資源來執(zhí)行其他基本功能，例如模數(shù)轉(zhuǎn)換和神經(jīng)元激活。這不僅限制了系統(tǒng)性能，而且還影響了基準測試。從歷史上看，結(jié)果是基于設(shè)備特性的軟件仿真，這幾乎總是樂觀的。

除此之外，RRAM CIM 設(shè)備中的能源效率、多功能性和準確性之間存在固有的權(quán)衡。根據(jù)加州大學圣地亞哥分校 (UCSD)、斯坦福大學、清華大學和圣母大學的一組研究人員的說法，以前的研究從未嘗試同時針對所有三個標準進行優(yōu)化。

NeuRRAM 達到效率、準確性、靈活性

本周，來自加州大學圣地亞哥分校、斯坦福大學、清華大學和圣母大學的研究人員在 Nature 上發(fā)表了一份報告，描述了他們稱之為NeuRRAM的 RRAM CIM 芯片。

據(jù)說 NeuRRAM 神經(jīng)形態(tài)芯片由于采用了輸出傳感方法，實現(xiàn)了效率、準確性和靈活性的結(jié)合。與讀取輸出電流的傳統(tǒng)技術(shù)相比，NeuRRAM 使用神經(jīng)元電路來感應(yīng)電壓并在芯片上執(zhí)行高效的模數(shù)轉(zhuǎn)換。

CIM 內(nèi)核和 NeuRRAM 架構(gòu)的框圖。圖片由Nature 和 Wan 等人提供

該架構(gòu)包括與 RRAM 位單元共存的 CMOS 神經(jīng)元電路。NeuRRAM 是一種神經(jīng)形態(tài)的 AI 芯片，由 48 個神經(jīng)突觸核心、256 個 CMOS 神經(jīng)元和 65,536 個 RRAM 單元組成，它們執(zhí)行并行處理，可以支持數(shù)據(jù)和模型并行性。這允許將不同的模型層映射到不同的內(nèi)核以實現(xiàn)最大的多功能性。

國際研究人員團隊聲稱，該芯片可以實現(xiàn)比傳統(tǒng)數(shù)字處理器低 2.3 倍的能量延遲積 (EDP)，同時還提供高達 13 倍的計算密度。據(jù)說 NeuRRAM 的手寫數(shù)字識別準確率達到 99%，圖像分類準確率達到 85.7%，語音識別準確率達到 84.7%。

總而言之，該研究表明，該芯片與傳統(tǒng)數(shù)字芯片的精度相匹配，但能量消耗顯著減少，密度更高。設(shè)計該芯片時考慮到邊緣計算的研究人員聲稱，NeuRRAM 的低功耗和高性能可能會啟用目前無法使用現(xiàn)有技術(shù)的新型設(shè)備。

審核編輯 黃昊宇