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內(nèi)置高壓啟動、自供電模塊!低成本高精度待機(jī)電源芯片CR3215H

思睿達(dá)小妹妹 ? 來源:思睿達(dá)小妹妹 ? 作者:思睿達(dá)小妹妹 ? 2022-09-15 15:21 ? 次閱讀
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概述

本篇文章是基于思睿達(dá)主推的CR3215H 輸出18V0.35A參考設(shè)計。其中,CR3215H是一款低成本高精度待機(jī)電源芯片。內(nèi)置功率管,極小的LEB時間可以實(shí)現(xiàn)全電壓范圍18V0.35A輸出的應(yīng)用需求。IC具有自供電能力無需啟動電阻,同時IC具有多重保護(hù)功能。本設(shè)計為AC100V~AC264V輸入,使用EE10電感設(shè)計。

01、原理圖、樣機(jī)

pYYBAGMi0l2AC1xjAACj9jddjIE765.png

pYYBAGMi0l-ARfHQAANEUdOUz-I844.png

poYBAGMi0mGAVVKKAAOx4iKwV9Q502.png

CR3215H產(chǎn)品概述

CR3215H 集成非隔離式電源控制器,高雪崩能力功率MOSFET,以及高壓啟動MOSFET,用于外圍元器件精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。多模式輸出:輸出電壓可通過FB 電阻調(diào)整,并實(shí)現(xiàn)3.3V 以上多電壓輸出功能或固定輸出18V 功能??赏ㄟ^CS 引腳外接采樣電阻實(shí)現(xiàn)可編程輸出電流控制。芯片內(nèi)置高壓啟動與自供電模塊,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)快速啟動、超低待機(jī)、自供電功能。該芯片提供了完整的智能化保護(hù)功能,包括過載保護(hù)(OLP),過溫保護(hù)(OTP),欠壓保護(hù)(UVLO),F(xiàn)B 短路保護(hù),F(xiàn)B 開路保護(hù),輸出過壓保護(hù),輸出短路保護(hù),磁飽和保護(hù)等。另外芯片的降頻調(diào)制和頻率抖動技術(shù)有助于改善EMI 特性。

主要特點(diǎn)

● 內(nèi)置650V高雪崩能力功率MOSFET

● 內(nèi)置高壓啟動和自供電電路

● 適用于Buck、Buck-Boost等多種架構(gòu)

●多模式輸出(輸出電壓大于3.3V,可通過FB電阻調(diào)整或固定輸出18V)

●輸出功率可編程

●改善EMI的頻率抖動技術(shù)

●優(yōu)異的負(fù)載調(diào)整率和工作效率

●全面的保護(hù)功能:

過載保護(hù)(OLP),過溫保護(hù)(OTP),欠壓保護(hù)(UVLO),F(xiàn)B 短路保護(hù), CS 懸空保護(hù),輸出過壓保護(hù),磁飽和保護(hù)等

基本應(yīng)用

●非隔離輔助電源

●小家電

智能家居

LED

引腳分布

pYYBAGMi0mKATwACAAAuoMwoxM8154.png

引腳描述

pYYBAGMi0mOAZeMBAAGhwx6xUaw577.png

典型應(yīng)用

pYYBAGMi0mOAVGFiAAEsDvO9_-Y290.png

輸出電壓可調(diào)應(yīng)用方案

poYBAGMi0mOAIVlIAACspvuLKkY498.png

固定輸出18V應(yīng)用方案

02、BOM LIST

pYYBAGMi0meAF4XHAAM9Suf3BJA388.png

03、效率測試

poYBAGMi0meAL0XtAACGQH7zykk257.png

04、線性、負(fù)載調(diào)整率

pYYBAGMi0meAUP_2AABlQSvEzKA693.png

05、過流點(diǎn)測試

poYBAGMi0miAJW0BAABFFbeZ3Qc200.png

06、工作波形

pYYBAGMi0miATmdjAAEhyZ9CfJE381.png

AC264V啟動波形 I_L3&V_D3

pYYBAGMi0mmAPfUgAAFcnuNHCuw213.png

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.35A

注意

在最大輸入電壓下帶載啟動,電感不能出現(xiàn)飽和,否則請使用更大截面積磁芯。

關(guān)于思睿達(dá)微電子

思睿達(dá)是專注于ADC、DAC、PoEDC / DC 芯片級解決方案的高科技企業(yè),目前同步推廣啟臣微全系列產(chǎn)品,希望將啟臣15年在電源行業(yè)這份積淀,這份堅持發(fā)揚(yáng)光大。思睿達(dá)同時也可以提供芯片級定制服務(wù)。

審核編輯 黃昊宇

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