早期的射頻集成電路（RFIC）主要是以硅基雙極晶體管分立器件為主，將二極管、電感器、電容器等無(wú)源元件與之互連并集成在PCB 上，從而形成射頻混合集成電路。20 世紀(jì)90 年代以來(lái)，隨著IC工藝技術(shù)的進(jìn)步，RFIC 實(shí)現(xiàn)由各種晶體管芯片與二極管、電感、電容等無(wú)源元件（或芯片）在陶瓷基板上的互連集成，然后對(duì)其進(jìn)行小型化封裝或微封裝，大幅度縮小了射頻電路的尺寸，快速取代了舊式使用分立器件的混合電路，使 RFIC 得到了長(zhǎng)足的進(jìn)步和發(fā)展，并推動(dòng)了小型化封裝及無(wú)線通信技術(shù)的飛躍發(fā)展。進(jìn)人21 世紀(jì)后，隨著CMOS 技術(shù)、射頻 GaAs芯片技術(shù)、射頻 GaN 芯片技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，現(xiàn)已逐步朝著射頻單片集成電路(RF-MIC）的方向發(fā)展。

射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術(shù)制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結(jié)構(gòu)。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優(yōu)點(diǎn)。

（1） RF-SOI具有很高的工作頻率，器件的fT/fmax可提高到亳米波工作頻率的3~5倍

(2） RF-SOI 可以實(shí)現(xiàn)集成電路堆疊(IC Stacking）結(jié)構(gòu)，同時(shí)提高了功率

及能效比。

(3) RP-SOI工藝采用的 SOI 襯底可降低寄生效應(yīng)，使射頻芯片的品質(zhì)因數(shù)

更高、損耗更低、噪聲系數(shù)更好，同時(shí)也提升了產(chǎn)品的絕緣水平與線性度。

(4）RF-SOI 可以將邏輯電路和控制電路集成在同一芯片上，而 GaAs 工藝

則無(wú)法做到這一點(diǎn)，因?yàn)?GaAs 器件在應(yīng)用中需要搭配一個(gè)控制芯片。采用 RF-SOI 工藝還可以將功率放大器（Power Amplifier, PA)和控制功能電路集成在同一個(gè)芯片上。

(5）RF-SOI 具備后柵偏壓可調(diào)（Back-Gate Bias ）功能，可以依照使用的

需求微調(diào)亳米波射頻線路。

目前，RF-SOI 技術(shù)在智能手機(jī)及 WiFi 等無(wú)線通信領(lǐng)域己逐步取代化合物工藝技術(shù)。