隨著市場(chǎng)對(duì)筆記本電腦快充需求的增加，英飛凌針對(duì)28V輸出， 推出USB PD3.1高功率密度方案，突破了長(zhǎng)期以來(lái)的100W功率限制，最高功率可達(dá)到140W，進(jìn)一步提高筆記本的充電效率，可以滿足更大功率的設(shè)備供電。

采用混合反激 （HFB）拓?fù)?支持5-28V寬壓輸出

可靈活搭配CoolGaN? 或 CoolMOS? ，滿足不同的產(chǎn)品定位需求

相比傳統(tǒng)QR,ACF拓?fù)?，具有明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)：

-HFB拓?fù)鋬?yōu)勢(shì)，磁性器件更小（用RM8實(shí)現(xiàn)140W設(shè)計(jì)）

-全軟開關(guān)控制，EMI更易處理

-HFB級(jí)用CoolMOS? 即可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的效率和功率密度

-同步整流可使用80V MOSFET，降低成本及器件的選型難度

協(xié)議部份采用了基于ARM核的EZ-PD? CCG3PA，支持PD3.1 EPR

編輯

XDP? 用于高功率充電器和適配器的控制器

數(shù)字多模式混合反激(HFB) IC - XDPS2201

系統(tǒng)/ 應(yīng)用概況

關(guān)鍵特性

找元件現(xiàn)貨上唯樣商城。

集成600V高壓啟動(dòng)和高低邊MOS 驅(qū)動(dòng)

多模式運(yùn)作 用于優(yōu)化不同輸入，輸出及負(fù)載條件下的效率

-在所有條件下實(shí)現(xiàn)ZVS

-CRM* 實(shí)現(xiàn)最優(yōu)效率

-ZV-RVS** 改善輕載效率

-Active burst-mode 改善極輕輕載效率和待機(jī)功耗

支持 USB-PD 變電壓輸出應(yīng)用

頻率抖動(dòng) 用于改善EMI

高度靈活可變的IC參數(shù) 通過(guò)UART 配置滿足指定系統(tǒng)的需求

高系統(tǒng)可靠性 IC集成整套完備的保護(hù)

-可通過(guò)引腳讀出

* CRM: 連續(xù)諧振模式

** ZV-RVS: 零電壓諧振谷底開關(guān)

EZ-PD? CCG3PA

即插件即用型 USB-C PD 控制器

系統(tǒng)/ 應(yīng)用概況

關(guān)鍵特性

USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC

基于Arm? Cortex?-M0 的 MCU 64KB Flash

EZ-PD 配置功能可針對(duì)客戶特定規(guī)格進(jìn)行參數(shù)配置

集成計(jì)時(shí)/計(jì)數(shù)/脈寬調(diào)制模塊 ，6個(gè)GPIO

集成模擬模塊

-可配置的 VBUS 過(guò)壓保護(hù)，過(guò)流, 欠壓, 和短路

-集成 2個(gè) VBUS 放電管和 及負(fù)載開關(guān)驅(qū)動(dòng)

-低邊電流檢測(cè)

24 QFN (16 mm2)

CoolGaN?
高效，高可靠性的氮化鎵產(chǎn)品

CoolGaN?驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單可靠

電流型驅(qū)動(dòng)器件，只要RRC網(wǎng)絡(luò)即可直接驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)單，可靠。

編輯

針對(duì)適配器應(yīng)用600V

CoolGaN? 產(chǎn)品陣容

分立CoolGaN?關(guān)鍵特性

采混合漏極結(jié)構(gòu)具有非常優(yōu)異的動(dòng)態(tài)Rdson性能

柵極電流注入驅(qū)動(dòng)

-柵極不易產(chǎn)生電壓尖峰，集成ESD保護(hù)，提高可靠性

-通過(guò)注入空穴提升溝道載子密度提高飽和電流密度

-通過(guò)柵極阻容設(shè)計(jì)兼容傳統(tǒng)模擬控制器，開關(guān)速度可調(diào)

經(jīng)過(guò)市場(chǎng)及高可靠應(yīng)用驗(yàn)證的成熟產(chǎn)品

集成Driver的CoolGaN?關(guān)鍵特性

基于CoolGaN? 開發(fā)的集成驅(qū)動(dòng)的氮化鎵產(chǎn)品

采用半橋結(jié)構(gòu)，目標(biāo)應(yīng)用圖騰柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的數(shù)字電源方案

支持3.3V邏輯電平輸入，集成18nS的抗尖峰脈沖濾波器

通過(guò)柵極的Rtr可調(diào)節(jié)開關(guān)速度

PFD7 系列
專為軟開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計(jì)的CoolMOS?

MOS滯回?fù)p耗產(chǎn)生

PFD7專為軟開關(guān)設(shè)計(jì)

match在軟開關(guān)應(yīng)用中，找元件現(xiàn)貨上唯樣商啊城非常小的滯回?fù)p耗提升系統(tǒng)效率

集成ESD保護(hù)器件提高生產(chǎn)良率，降低成本及產(chǎn)品售后失效率

更低的驅(qū)動(dòng)損耗(Qg, Qgd）提升輕載效率match

集成快恢復(fù)體二極管超低Qrr降低，為半橋開關(guān)提供一個(gè)額外的安全裕量，減少設(shè)計(jì)量

產(chǎn)品陣容

編輯

減小滯回?fù)p耗的案例

英飛凌65W內(nèi)部測(cè)試用板

輸入電壓:90 VAC– 265 VAC

輸出電壓:5 - 20 V

標(biāo)稱功率:65 W

工作頻率:100 - 220 kHz

變壓器:RM10LP

OptiMOS? PD用于

充電器/適配器的低壓MOSFET產(chǎn)品

OptiMOS? PD 功率 MOSFETs 的主要封裝 PQFN 3.3x3.3 和PQFN 5*6封裝

專為充電器/適配器設(shè)計(jì)，價(jià)格和交付更有靈活性

支持邏輯電平輸入保證在低電壓下完全導(dǎo)通，具有很低的通態(tài)電阻

業(yè)界領(lǐng)先的低開關(guān)損耗，幫助通過(guò)能效等級(jí)測(cè)試。

審核編輯 黃昊宇