近期，工信部公開征求對《關于推動能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導意見(征求意見稿)》的意見，文件提出涉及光電子/功率半導體/傳感器等關鍵信息技術產(chǎn)品供給能力提升行動。文件還提出，到2025年能源電子產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值達到3萬億元。

能源電子產(chǎn)業(yè)是電子信息技術和新能源需求融合創(chuàng)新產(chǎn)生并快速發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)，是生產(chǎn)能源、服務能源、應用能源的電子信息技術及產(chǎn)品的總稱，主要包括太陽能光伏、新型儲能電池、重點終端應用、關鍵信息技術及產(chǎn)品等領域。

文件提出，加強面向新能源領域的關鍵信息技術產(chǎn)品開發(fā)和應用，主要包括適應新能源需求的電力電子、柔性電子、傳感物聯(lián)、智慧能源信息系統(tǒng)及有關的先進計算、工業(yè)軟件、傳輸通信、工業(yè)機器人等適配性技術及產(chǎn)品。研究小型化、高性能、高效率、高可靠的功率半導體、傳感類器件、光電子器件等基礎電子元器件及專用設備、先進工藝，支持特高壓等新能源供給消納體系建設。推動能源電子產(chǎn)業(yè)數(shù)字化、智能化發(fā)展，突破全環(huán)境仿真平臺、先進算力算法、工業(yè)基礎軟件、人工智能等技術。推動信息技術相關裝備及儀器創(chuàng)新發(fā)展。

光電子器件——基于能源電子需求，發(fā)展高速光通信芯片、高速高精度光探測器、高速直調(diào)和外調(diào)制激光器、高速調(diào)制器芯片、高功率激光器、光傳輸用數(shù)字信號處理器芯片、高速驅(qū)動器和跨阻抗放大器芯片。

功率半導體器件——面向光伏、風電、儲能系統(tǒng)、半導體照明等，發(fā)展新能源用耐高溫、耐高壓、低損耗、高可靠IGBT 器件及模塊，SiC、GaN等先進寬禁帶半導體材料與先進拓撲結(jié)構(gòu)和封裝技術，新型電力電子器件及關鍵技術。

敏感元件及傳感類器件——發(fā)展小型化、低功耗、集成化、高靈敏度的敏感元件，集成多維度信息采集能力的高端傳感器，新型MEMS傳感器和智能傳感器，突破微型化、智能化的電聲器件和圖像傳感器件。

光通信芯片

目前，中國已成為世界上最大的光器件消費大國，市場占比約為35%。

光通信系統(tǒng)主要由光通信設備、傳輸光纖、光無源器件（光分路器、波分復用器、光隔離器、光開關、光連接器、光背板、光濾波器等）構(gòu)成。光通信設備的核心為光模塊（光模塊產(chǎn)值在光通信中份額約65%）。

光模塊的核心為光有源模塊和電芯片：1）光有源模塊包括光芯片和光調(diào)制器，其中光芯片為核心。光芯片包括激光器芯片、探測器芯片；2）電芯片包括LD Driver、TIA、LA、CDR芯片等。

國內(nèi)企業(yè)在無源器件、低速光收發(fā)模塊等中低端細分市場較強，然而以高速率為主要特征的高端光芯片技術，還掌握在美日企業(yè)手中（美/日全球50%以上、占我國90%以上市場），我國高速率光芯片國產(chǎn)化率僅3%左右。國內(nèi)企業(yè)只掌握了≤10Gb/s速率的激光器、探測器、調(diào)制器芯片，以及PLC/AWG芯片的制造工藝以及配套IC的設計、封測能力，25Gb/s的工藝能力及產(chǎn)能配套都無法形成規(guī)模。

受益于中國25G光模塊的規(guī)模招標應用，國產(chǎn)化25G激光器芯片正逐步突破，源杰半導體、海信寬帶、光迅科技、中科光芯、三安集成（三安光電）、光安倫、芯思杰、華芯半導體、長瑞光電、博升光電、仟目激光等廠商已開始嶄露頭角。

關于源杰半導體：陜西源杰半導體科技股份有限公司（公司簡稱：源杰科技）成立于2013年，專注于進行高速的半導體芯片的研發(fā)、設計和生產(chǎn)，是一家從半導體晶體生長，晶圓工藝，芯片測試與封裝全部開發(fā)完畢，并形成工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)的高科技企業(yè)。產(chǎn)品涵蓋從2.5G到50G 磷化銦激光器芯片，擁有完整獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，從最終的使用場景來看，產(chǎn)品廣泛應用于光纖到戶、數(shù)據(jù)中心與云計算、5G移動通信網(wǎng)絡、通信骨干網(wǎng)絡和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等。經(jīng)過多年的穩(wěn)健發(fā)展，源杰科技產(chǎn)品的技術先進性、市場覆蓋率和性能穩(wěn)定性位居行業(yè)前列。

審核編輯 黃昊宇