91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

納微半導體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 作者:納微芯球 ? 2022-11-15 10:51 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

GaNFast功率芯片助力摩托羅拉 X30 Pro 實現超快充,電量從1%-50%僅需7分鐘。

加利福尼亞州托倫斯,2022年11?14號訊 - 唯一全面專注下一代功率半導體企業(yè)——納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS),氮化鎵(GaN)功率芯??業(yè)領導者宣布旗下的新?代GaNFast 氮化鎵功率芯?已成功應?于摩托羅拉最新款旗艦智能?機——X30 Pro所標配的125W氮化鎵充電器中,7分鐘能將?機從1%充?50%,為摩托羅拉消費者帶來更疾速的充電體驗。

作為摩托羅拉的最新旗艦?機,X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器,采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是,X30 Pro裝配了?顆?達2億像素的主攝,開啟了2億像素的新影像時代。為了給強?的性能保駕護航,該機型裝配?塊強勁的電池,容量可達4610mAh,匹配125W疾速閃充+50W?線快充的充電?案。

采用了新一代納微的GaNFastTM 功率芯片,這款隨機標配的125W充電器尺寸為55.59 * 55.67 * 28.35mm,重量僅有138g,功率密度達到1.42W/cm2。作為下一代半導體技術,納微GaNFast功率芯片集成了氮化鎵功率器件、驅動、控制、感知和保護功能于一體。和傳統(tǒng)硅方案充電器相比,充電速度提升高達 3 倍、縮小了一半的尺寸和重量,節(jié)能高達40%。這款125W氮化鎵充電器,搭載了兩顆納微NV6134A氮化鎵功率芯片,分別用于CrCM 升壓 PFC 和 HFQR 拓撲中。

“X30 Pro 作為摩托羅拉最新的旗艦手機,我們希望能為消費者帶來全面的快充使用體驗。此次聯合奧海與納微半導體,摩托羅拉利用最新氮化鎵技術,實現了快充速度的全新突破。我們始終期盼與奧海和納微進行更深度的合作,不斷突破摩托羅拉手機的充電極限,為消費者帶來輕便、疾速的充電體驗!”

——聯想中國區(qū)手機事業(yè)部總經理陳勁

“非常榮幸納微GaNFast氮化鎵功率芯片能為摩托羅拉及其消費者帶來更強大的電源產品。納微半導體,奧海,摩托羅拉三方的本次全新合作,在摩托羅拉X30 Pro上為消費者帶來了劃時代的125W疾速閃充方案。我們致力于為消費者帶來綠色環(huán)保、智能快速的充電體驗,這款體積小巧的125W氮化鎵充電器,正印證了我們?yōu)閷崿F Electrify Our World 所付出的不懈努力,我們將不斷推進氮化鎵技術更新,為摩托羅拉系列手機持續(xù)賦能。”

——納微半導體副總裁兼中國區(qū)總經理查瑩杰

審核編輯 :李倩

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 摩托羅拉
    +關注

    關注

    4

    文章

    685

    瀏覽量

    81375
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    67

    文章

    1893

    瀏覽量

    119771
  • 納微半導體
    +關注

    關注

    7

    文章

    162

    瀏覽量

    21370

原文標題:納微半導體助?摩托羅拉 X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充

文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    意法半導體氮化方案賦能高頻應用新場景

    之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化(GaN)。作為寬禁帶半導體的典型代表,
    的頭像 發(fā)表于 02-27 14:15 ?372次閱讀

    半導體公布2025年第三季度財務業(yè)績

    加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業(yè)領導者——
    的頭像 發(fā)表于 11-07 16:46 ?2667次閱讀

    高功率密度65W氮化方案:仁懋MOS 1145G開啟新紀元

    技術飛速發(fā)展的今天,65W功率檔位已成為市場主流,而氮化技術的出現,正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145
    的頭像 發(fā)表于 10-15 17:41 ?4269次閱讀
    高功率密度65<b class='flag-5'>W</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>快</b><b class='flag-5'>充</b>方案:仁懋MOS 1145G開啟<b class='flag-5'>快</b><b class='flag-5'>充</b>新紀元

    半導體助力英偉達打造800 VDC電源架構

    半導體正式發(fā)布專為英偉達800 VDC AI工廠電源架構打造的全新100V氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-15 15:54 ?2803次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導體</b>助力英偉達打造800 VDC電源架構

    全球氮化巨頭半導體更換CEO

    半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布一項重要人事任命:董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官
    的頭像 發(fā)表于 08-29 15:22 ?4089次閱讀

    半導體攜手力積電,啟動8英寸氮化晶圓量產計劃

    關系 ,正式啟動并持續(xù)推進業(yè)內領先的 8英寸硅基氮化技術生產。 半導體預計將使用位于臺灣苗栗竹南科學園區(qū)的力積電8B廠的
    發(fā)表于 07-02 17:21 ?1748次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導體</b>攜手力積電,啟動8英寸<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓量產計劃

    半導體雙向氮化開關深度解析

    前不久,半導體剛剛發(fā)布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2782次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關深度解析

    氮化GaN芯片U8732的特點

    氮化充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領先。它支持多種協議,如PD、QC等,能夠智能識別設備所需的充電功率,實現快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機,還是筆記本電腦、平
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:21 ?1021次閱讀

    專為電機驅動打造!全新GaNSense?氮化功率芯片為家電及工業(yè)應用帶來行業(yè)領先的性能、效率與可靠性

    全集成保護型氮化功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測,效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——
    發(fā)表于 05-09 13:58 ?1339次閱讀
    專為電機驅動打造!<b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>全新</b>GaNSense?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率芯片為家電及工業(yè)應用帶來行業(yè)領先的性能、效率與可靠性

    65W全壓氮化芯片U8766介紹

    在65W氮化設計中,輸入欠壓保護與過壓保護協同工作,保障充電頭在電網波動時仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的6
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:30 ?1232次閱讀

    半導體推出全新SiCPAK功率模塊

    半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術及獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術,經過嚴格設計
    的頭像 發(fā)表于 04-22 17:06 ?1166次閱讀

    半導體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認證

    日訊——半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證,這標志著
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?4982次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導體</b>GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率芯片正式通過車規(guī)認證

    摩托羅拉GM300擴頻率方法

    摩托羅拉GM300 擴頻率方法
    發(fā)表于 04-08 11:21 ?7次下載

    氮化芯片U8766的主要特點

    深圳銀聯寶科技推出的氮化芯片集成高頻高性能準諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過?同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓
    的頭像 發(fā)表于 03-20 17:41 ?1017次閱讀

    半導體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

    唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?3275次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>發(fā)布</b>雙向GaNFast<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率芯片