細(xì)致解讀5W充電器芯片U5113

5W充電器芯片U65113在恒壓輸出模式中芯片采用了調(diào)頻控制與調(diào)幅控制結(jié)合的多模式控制技術(shù)，同時(shí)在CS 管腳有一電流源流出調(diào)節(jié)CS電壓信號(hào)。

利用以上技術(shù)，U65113可實(shí)現(xiàn)由滿載到空載全程無(wú)異音工作。

U65113集成了三極管基極動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)技術(shù)以優(yōu)化系統(tǒng)效率。

基極驅(qū)動(dòng)電流隨著負(fù)載狀態(tài)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)。輸出負(fù)載越大，基極驅(qū)動(dòng)電流越大，且基極驅(qū)動(dòng)電流正比于CS管腳峰值電壓信號(hào)。

5W充電器芯片U65113主要特性：

*內(nèi)置超高壓功率 BTJ

*谷底開(kāi)通、原邊控制、系統(tǒng)效率高

*多模式原邊控制方式

*優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)

*集成動(dòng)態(tài)三極管驅(qū)動(dòng)電路

*工作無(wú)異音

*優(yōu)化的 EMI 性能

*恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%

*超低待機(jī)功耗 <50mW

*CV模式可編程輸出線壓降補(bǔ)償

*內(nèi)置完善的保護(hù)功能：

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

逐周期限流保護(hù)（OCP)

前沿消隱 (LEB)

芯片過(guò)溫保護(hù) (OTP)

VDD 過(guò)壓、欠壓和箝位保護(hù)

輸出過(guò)壓保護(hù)功能 (FB OVP)

*SOP-7 封裝

在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。

在5W充電器芯片U65113內(nèi)部存在由線損補(bǔ)償模塊控制的可調(diào)式電流源流出到與FB管腳相連的分壓電阻上并產(chǎn)生一定的電壓偏置信號(hào)。

此電流正比于開(kāi)關(guān)周期，而反比與輸出功率，所以在電纜上的電壓降可以被補(bǔ)償?shù)簟?br />
隨著負(fù)載功率的降低，在FB上的偏置電壓將被提高。

通過(guò)調(diào)節(jié)分壓電阻R1和R2的阻值可以調(diào)節(jié)實(shí)際補(bǔ)償量的大小。

5W充電器芯片U65113腳位說(shuō)明：

1 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。

2 CS 電流采樣輸入腳。

3 VDD 芯片供電腳。

4 E 內(nèi)置功率三極管發(fā)射極。

5-6 C 內(nèi)置功率三極管集電極。

7 GND 芯片參考地。

審核編輯：劉清