91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

MOS管柵源下拉電阻的作用

Torex產(chǎn)品資訊 ? 來源:Torex產(chǎn)品資訊 ? 作者:Torex產(chǎn)品資訊 ? 2022-11-17 15:56 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

一、MOS管柵源下拉電阻的作用

MOS是電壓驅(qū)動元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電,這個微小的電荷可以儲存很長時間。

在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會直通了,一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻。

作用1:為場效應(yīng)管提供偏置電壓;

作用2:起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S);

第一個作用好理解,這里解釋一下第二個作用的原理。保護柵極G~源極S,場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作,甚至有可能擊穿其G-S極。這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護場效應(yīng)管的作用。

二、MOS管被擊穿的原因及解決方法

第一:MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C),將管子損壞。

雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施,但仍需小心對待,在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時,工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時,使用的設(shè)備必須良好接地。

第二:MOS電路輸入端的保護二極管,其導(dǎo)通時電流容限一般為1mA,在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時,應(yīng)串接輸入保護電阻。因此應(yīng)用時可選擇一個內(nèi)部有保護電阻的MOS管應(yīng)。還有,由于保護電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件的輸入端,一般使用時,可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接,并先焊其接地管腳。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電阻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    88

    文章

    5779

    瀏覽量

    179507
  • MOS
    MOS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1741

    瀏覽量

    100709

原文標題:MOS柵源(G-S)極下拉電阻有什么作用?都給你列出來了!

文章出處:【微信號:gh_454737165c13,微信公眾號:Torex產(chǎn)品資訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    MOS下拉電阻的原因是什么?

    時,常會疑惑為何需在柵極添加下拉電阻——看似多余的一個元件,實則是保障電路穩(wěn)定、器件安全、系統(tǒng)可靠的關(guān)鍵設(shè)計,其作用背后深度關(guān)聯(lián)MOS的物
    的頭像 發(fā)表于 02-27 09:37 ?59次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>加<b class='flag-5'>下拉</b><b class='flag-5'>電阻</b>的原因是什么?

    HC6N10成熟穩(wěn)定量大加濕器專用MOS 6N10 100V6A 皮實耐抗惠海

    MOS的工作原理是基于在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間形成的PN結(jié),通過改變柵極電壓來調(diào)整溝道內(nèi)載流子的數(shù)量,從而改變溝道電阻極與漏極之間的電流大 小。由于
    發(fā)表于 12-30 11:19

    mos選型注重的參數(shù)分享

    、最大漏極電流(ID):這是MOS在正常工作條件下能連續(xù)通過的最大電流。確保所選MOS的ID大于電路中預(yù)期的最大電流。 3、導(dǎo)通電阻
    發(fā)表于 11-20 08:26

    為什么MOSG-S極要并電阻? #MOS #電阻 #并聯(lián) #電路原理

    MOS
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年10月11日 16:46:07

    100V200V250V MOS詳解 -HCK450N25L

    存在絕緣層,其輸入電阻極高,通??蛇_兆歐姆級別。 低噪聲性能:噪聲主要來源于溝道電阻和柵極泄漏電流,得益于高輸入電阻和極小泄漏電流,MOS
    發(fā)表于 08-29 11:20

    泄放電阻如何避免MOS燒毀? #MOS #燒壞 #電子#電阻

    MOS
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年08月13日 17:20:16

    中低壓MOSMDD3407數(shù)據(jù)手冊

    低導(dǎo)通電阻 @電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制
    發(fā)表于 07-10 14:21 ?0次下載

    mos柵極串聯(lián)電阻

    本文探討了柵極串聯(lián)電阻MOS設(shè)計中的重要作用,指出其在防止電流尖峰、保護驅(qū)動芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外,文章還強調(diào)了參數(shù)選擇的
    的頭像 發(fā)表于 06-27 09:13 ?1298次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>柵極串聯(lián)<b class='flag-5'>電阻</b>

    mos極和柵極短接

    當(dāng)MOS極與柵極意外短接時,可能導(dǎo)致電路失控,產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問題。因此,必須嚴格遵守MOS的操作規(guī)范,避免短接事故的發(fā)
    的頭像 發(fā)表于 06-26 09:14 ?2399次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>的<b class='flag-5'>源</b>極和柵極短接

    破解MOS高頻振蕩困局:從米勒平臺抑制到低漏電容器件選型

    MOS(場效應(yīng))的本質(zhì)在柵極(G)電壓對漏極(D)與極(S)間導(dǎo)電溝道的精準控制,作為開關(guān)器件成為電子應(yīng)用的核心。原理是當(dāng)
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:43 ?1275次閱讀
    破解<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>高頻振蕩困局:從米勒平臺抑制到低<b class='flag-5'>柵</b>漏電容器件選型

    電路設(shè)計基礎(chǔ):上拉電阻、下拉電阻分析

    上拉電阻、下拉電阻在電子元器件間中,并不存在上拉電阻下拉電阻這兩種實體的
    的頭像 發(fā)表于 05-22 11:45 ?2478次閱讀
    電路設(shè)計基礎(chǔ):上拉<b class='flag-5'>電阻</b>、<b class='flag-5'>下拉</b><b class='flag-5'>電阻</b>分析

    浮思特 | 電子電路下拉電阻詳解:原理、計算與應(yīng)用指南

    下拉電阻是電子電路設(shè)計中的重要組成部分,尤其在處理數(shù)字邏輯、晶體和通信接口時。本教程將系統(tǒng)講解其基本原理、計算方式、應(yīng)用場景、選型要點、功耗考量,以及在晶體和串行通信線路中的實際應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 05-19 11:29 ?1248次閱讀
    浮思特 | 電子電路<b class='flag-5'>下拉</b><b class='flag-5'>電阻</b>詳解:原理、計算與應(yīng)用指南

    MOS驅(qū)動電路——電機干擾與防護處理

    此電路分主電路(完成功能)和保護功能電路。MOS驅(qū)動相關(guān)知識:1、跟雙極性晶體相比,一般認為使MOS導(dǎo)通不需要電流,只要GS電壓(Vb
    的頭像 發(fā)表于 05-06 19:34 ?1962次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>驅(qū)動電路——電機干擾與防護處理

    安森美SiC JFET共結(jié)構(gòu)詳解

    安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共場效應(yīng)晶體)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共
    的頭像 發(fā)表于 03-26 17:42 ?2305次閱讀
    安森美SiC JFET共<b class='flag-5'>源</b>共<b class='flag-5'>柵</b>結(jié)構(gòu)詳解

    MOS的米勒效應(yīng)-講的很詳細

    米勒效應(yīng)的影響:MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動對MOSFET的輸入電容(主要是極電容Cgs)的充放電過程;當(dāng)Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態(tài);當(dāng)
    發(fā)表于 03-25 13:37