基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合，推出 10 款全面優(yōu)化的 25V 和 30V 器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的安全工作區(qū)（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合，非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。

多年來，Nexperia（安世半導(dǎo)體）致力于將成熟的 MOSFET 專業(yè)知識和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應(yīng)用的要求，以打造市場領(lǐng)先的 ASFET。自 ASFET 推出以來，針對電池隔離（BMS）、直流電機控制、以太網(wǎng)供電（POE）和汽車安全氣囊等應(yīng)用的產(chǎn)品優(yōu)化升級不斷取得成功。

浪涌電流給熱插拔應(yīng)用帶來了可靠性挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，增強型 SOA MOSFET 領(lǐng)域的前沿企業(yè) Nexperia（安世半導(dǎo)體）專門針對此類應(yīng)用進(jìn)行了全面升級，設(shè)計了適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產(chǎn)品組合，并增強了 SOA 性能。與之前的技術(shù)相比，PSMNR67-30YLE ASFET的 SOA(12V @100mS)性能提高到了 2.2 倍，同時 RDS(on)（最大值）低至 0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了 Spirito 效應(yīng)（表示為 SOA 曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線），還同時保持了整個電壓和溫度范圍內(nèi)的出色性能。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）通過在 125℃ 下對新款器件進(jìn)行完全表征，并提供高溫下的 SOA 數(shù)據(jù)曲線，消除了熱降額設(shè)計的必要性，從而為設(shè)計人員提供進(jìn)一步支持。

8 款新產(chǎn)品（3款25V和5款30V）現(xiàn)已可選擇 LFPAK56 或 LFPAK56E 封裝，其中 RDS(on)范圍為 0.7m? 到 2m?，可適用于大多數(shù)熱插拔和軟啟動應(yīng)用。其他 2 款 25V 產(chǎn)品的 RDS(on)更低，僅為 0.5m?，預(yù)計將于未來幾個月內(nèi)發(fā)布。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia（安世半導(dǎo)體），作為生產(chǎn)大批量基礎(chǔ)半導(dǎo)體二極管件的專家，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球各類電子設(shè)計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護(hù)二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia 總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認(rèn)可，擁有先進(jìn)的小尺寸封裝技術(shù)，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務(wù)，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產(chǎn)權(quán)組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認(rèn)證。