MOSFET特征

在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOSFET的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之成倍增長(zhǎng)，MOSFET耐壓和導(dǎo)通電阻的正比增長(zhǎng)，制造者和應(yīng)用者不得不以成倍的成本來(lái)解決MOSFET電壓與電流間的矛盾。即便如此，平面高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電阻很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電阻更是高得驚人，導(dǎo)通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應(yīng)用受到極大限制。

MOSFET的低開(kāi)關(guān)損耗在集成電路中應(yīng)用

MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。而MOSFET開(kāi)關(guān)頻率則受柵源電壓頻率控制，從而實(shí)現(xiàn)頻率轉(zhuǎn)換。低開(kāi)啟的MOSFET的開(kāi)啟電壓，僅需要零點(diǎn)幾伏，開(kāi)啟電流也僅幾毫安，導(dǎo)通損耗非常低，因此常用于大規(guī)模集成電路。

MOSFET頻率特征在開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用

在開(kāi)關(guān)電源結(jié)構(gòu)中，交流電經(jīng)防雷單元，防輻射濾波單元等電路后進(jìn)入橋堆整流，在整流輸出端得到約交流電壓的1.4倍的直流電壓，經(jīng)高頻變壓器初級(jí)繞組，到MOSFET漏級(jí)，柵極則受驅(qū)動(dòng)芯片或可調(diào)頻的驅(qū)動(dòng)電路控制而高頻開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，產(chǎn)生高頻脈沖的漏源電流，從而在高頻變壓器的次級(jí)繞組中產(chǎn)生的感應(yīng)電流經(jīng)高頻整流后為負(fù)載供電，高頻變壓器次繞組中產(chǎn)生的電壓與繞組匝數(shù)相關(guān)。因此，改變開(kāi)關(guān)電源電路中元器件的規(guī)格和高頻變壓器的結(jié)構(gòu)和型號(hào)，可為不同場(chǎng)合、不同功率的電路供電。

高壓MOSFET系列

公司簡(jiǎn)介

MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。

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