探索傳統(tǒng)存儲器的發(fā)展史

繼續(xù)羅徹斯特電子“70年代最受歡迎的半導(dǎo)體”主題，本期分享的內(nèi)容是商用DRAM 1103。

存儲器種類繁多，其中DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的引進(jìn)對電子系統(tǒng)和產(chǎn)品有著深遠(yuǎn)影響。1968年，IBM的Robert H. Dennard博士獲得了第一個單晶體管DRAM單元的專利，隨之而來的是DRAM概念的商業(yè)化。

1969年，霍尼韋爾提出了三晶體管動態(tài)存儲單元設(shè)計(jì)來存儲數(shù)據(jù)，并尋求半導(dǎo)體廠商合作將其商業(yè)化量產(chǎn)。

最初通過PMOS技術(shù)達(dá)到可接受的良率。在這之后，一項(xiàng)關(guān)鍵的額外設(shè)計(jì)變更——埋層接觸孔(buried contacts)顯著提高了良率，并實(shí)現(xiàn)了更小尺寸的晶體管結(jié)構(gòu)。此外，性能提高到每兩毫秒可進(jìn)行32次讀取操作隨著晶圓設(shè)計(jì)的迭代，產(chǎn)量有所提高。最終，英特爾在1970年推出了1103 DRAM(容量為1KB，即1024Bytes)。

在此之前，磁芯存儲器一直被廣泛應(yīng)用。材料和組裝時間非常密集，而且體積龐大的磁芯存儲器很快被更便宜的DRAM所取代。到1972年，1103 DRAM成為全球最暢銷的半導(dǎo)體。該設(shè)計(jì)被交互授權(quán)給其它半導(dǎo)體制造商，使其成為首批可用的存儲器“標(biāo)準(zhǔn)”之一。

1985年，英特爾宣布放棄DRAM市場，DRAM的供應(yīng)由日本廠商主導(dǎo)，然后是海力士和三星等韓國供應(yīng)商。如今，DRAM在市場上的普遍應(yīng)用意味著供應(yīng)和定價像普通商品一樣被驅(qū)動，而不是傳統(tǒng)的買賣雙方協(xié)定模式。

希望您喜歡本期經(jīng)典回顧。

敬請關(guān)注羅徹斯特電子“70年代最受歡迎的半導(dǎo)體”主題內(nèi)容。

成立40多年來，羅徹斯特電子始終致力于持續(xù)供應(yīng)關(guān)鍵半導(dǎo)體器件，覆蓋來自眾多知名制造商的DRAM產(chǎn)品。

羅徹斯特電子擁有超過1.35億片存儲器，覆蓋來自眾多知名制造商的10000多種產(chǎn)品型號，產(chǎn)品均采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括易失性存儲器和非易失性存儲器。

審核編輯 ：李倩