2021年11月，Qorvo收購領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。對 UnitedSiC 的收購，使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車(EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源等快速增長的市場。本文匯總了一系列高質量博客，幫助您克服設計挑戰(zhàn)，讓您在下一次電源設計中充分發(fā)揮 SiC 器件的潛力。以下為博客摘要，長按識別圖片二維碼可深入了解詳情。

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打造理想半導體開關所面臨的挑戰(zhàn)

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自 1958 年 IBM 設計出首個管狀“開關模式電源”以來，打造無傳導和開關損耗的理想開關一直是電源轉換器設計者的夢想。如今，各項開關技術的通態(tài)損耗都有了明顯降低；采用最新的寬帶隙半導體的產品，在 750V 額定電壓下的電阻已能達到小于 6 毫歐的水平。目前這項技術還未達到其物理極限，預計在不久的將來，該阻值還會進一步降低。

02

從SiC FET中榨取性能

“性能”是一個很主觀的詞，它可以有各種不同的衡量方式。不過，在電源轉換這一語境下，性能主要歸結為兩個互為相關的值：效率和成本。眾所周知，硅作為一種半導體開關材料，在傳導和動態(tài)損耗方面都已接近其性能極限。于是，性能更佳的碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術越來越多地進入了人們的考量范圍。

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更豐富的SiC FET選擇，帶來更靈活的經濟高效解決方案

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人生在于取舍，有時，這種取舍往往會讓我們難以定奪。涉及到金錢時，這種取舍又會出現一個新的維度——如果我購買一輛電動汽車，能收回額外的成本嗎？要多久收回？減少二氧化碳排放的價值在哪里？哪款車型的二手價值最高？其中的決定因素或許頗為主觀，且在不斷變化。不過，若要為電動汽車電源轉換器選擇半導體，你或許會希望用更科學的方法來判斷。

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SiC FET導通電阻隨溫度的變化–對比方法亦有門道

比較不同 SiC 開關的數據表是一件難事——SiC MOSFET 可能具有較低的導通電阻溫度系數，但這也同時表明，其相比于 UnitedSiC FET 的損耗更高，且整體效率不足。

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使用共源共柵拓撲消除半導體開關中的米勒效應

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任何東西都打破不了物理定律。電阻器會將電能轉為熱能耗散，同時降低電壓；電容器需要時間來儲存和釋放電荷；電感器需要時間來產生和消除電磁場。SiC 共源共柵拓撲能夠解決米勒電容問題，同時輕松實現柵極驅動、常關運行和高性能體二極管。

Qorvo收購

https://www.qorvo.com/newsroom/news/2021/qorvo-acquires-unitedsic-leading-provider-of-silicon-carbide-power-semiconductors