91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

搭載下一代高速GaNFast氮化鎵功率芯片發(fā)布

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 作者:納微芯球 ? 2022-12-02 11:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

搭載下一代高速GaNFast氮化鎵功率芯片,210W神仙秒充成功上市,手機快充進入9分鐘時代

加利福尼亞州托倫斯,2022 年 11 月 29日訊:唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者—納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)正式宣布,近期小米旗下最新發(fā)布的Redmi Note 12 系列中,Redmi Note 12探索版標配的210W氮化鎵超快充和Redmi Note 12 Pro+搭配的120W氮化鎵超快充均已采用了搭載納微全新GaNSense技術(shù)的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片。

Redmi Note 12探索版和Redmi Note 12 Pro+全球首發(fā)了聯(lián)發(fā)科最新的天璣1080芯片,采用了一塊支持120Hz高刷的6.67英寸的類鉆排OLED屏幕。攝像方面采用了前置1600萬像素攝像頭,后置2億主攝的組合,實現(xiàn)了移動影像的新飛躍!

為了給如此強大的手機性能保駕護航,Redmi Note 12 Pro+搭載了一顆5000 mAh電池,并標配了120W氮化鎵充電器。該充電器尺寸僅為59.4×56.2×28.8mm (96cc),比傳統(tǒng)的硅方案體積縮小了10.8%,功率密度達到了1.25W/cm3,僅需19分鐘就能將電池快速充滿。該充電器搭載了一顆NV6136A氮化鎵功率芯片,使用GaNSense技術(shù),用于高頻QR拓撲中。

作為Redmi Note 12系列的重頭戲,Redmi Note 12探索版配備了210W“神仙秒充”,在等效4300mAh電池下,5分鐘就能充至66%,9分鐘即刻充滿,這標志著手機充電時長成功進入個位數(shù)時代。這款具有劃時代意義的210W充電器,尺寸更是驚人,僅67.3×64.3×30mm (130cc),功率密度高達1.62 W/cm3。

該充電器創(chuàng)新地采用了納微首創(chuàng)的PFC+ACF/QR混合平臺,此平臺前級PFC使用一顆NV6127氮化鎵功率芯片,后級ACF/QR混合采用一顆NV6136A氮化鎵功率芯片,在高頻QR成熟、穩(wěn)定的控制方式基礎(chǔ)上,增加ACF電路功能,較單獨的QR或ACF平臺,既擁有優(yōu)異的效率及低電壓應(yīng)力表現(xiàn),又具備穩(wěn)定成熟的控制方式及良好的噪音優(yōu)化能力。

“我們很高興再次與納微半導(dǎo)體合作,Redmi Note 12探索版所搭載的210W神仙秒充再次刷新了手機充電體驗,使手機快充時長真正進入了個位數(shù)時代。小米始終堅持對產(chǎn)品品質(zhì)的極致追求,同時也與全球優(yōu)秀的企業(yè)伙伴一起,用創(chuàng)新推動科技產(chǎn)品進步,為消費者帶來更加美好的科技生活體驗?!?/p>

——小米集團合伙人、總裁王翔

“納微團隊對Redmi手機再次選用納微氮化鎵方案感到由衷自豪和興奮,同時我們也很高興地看到納微首創(chuàng)的PFC+ACF /QR混合平臺不負使命,助力Redmi Note 12 探索版樹立業(yè)界新標桿。Electrify Our World是納微半導(dǎo)體的使命,我們將持續(xù)推動氮化鎵技術(shù)革新,幫助小米及小米旗下更多品牌的充電產(chǎn)品,打造更領(lǐng)先、更強大、更環(huán)保的電源產(chǎn)品。”

——納微半導(dǎo)體副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理查瑩杰

關(guān)于小米集團

小米集團成立于2010年4月,2018年7月9日在香港交易所主板掛牌上市(1810.HK),是一家以智能手機、智能硬件IoT平臺為核心的消費電子及智能制造公司。

胸懷“和用戶交朋友,做用戶心中最酷的公司”的愿景,小米致力于持續(xù)創(chuàng)新,不斷追求極致的產(chǎn)品服務(wù)體驗和公司運營效率,努力踐行“始終堅持做感動人心、價格厚道的好產(chǎn)品,讓全球每個人都能享受科技帶來的美好生活”的公司使命。

小米目前是全球領(lǐng)先的智能手機品牌之一,2021年全球出貨量達1.9億臺,創(chuàng)歷史新高。同時,小米已經(jīng)建立起全球領(lǐng)先的消費級AIoT物聯(lián)網(wǎng)平臺,截至2022年3月31日,AIoT平臺已連接的IoT設(shè)備(不包括智能手機及筆記本電腦和平板)數(shù)達到4.78億。集團業(yè)務(wù)已進入全球逾100個國家和地區(qū)。2021年8月,小米集團連續(xù)三年進入《財富》「世界500強排行榜」 (Fortune Global 500) ,2021年位列338名,較2020年大幅提升84位。

小米集團目前為恒生指數(shù)、恒生中國企業(yè)指數(shù)、恒生科技指數(shù)及恒生神州50指數(shù)成份股。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼: NVTS)成立于2014年,是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動、控制、感應(yīng)及保護集成在一起,為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設(shè)備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導(dǎo)體擁有超過185項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利,已發(fā)貨超過5000萬顆,終端市場故障率為零,于業(yè)內(nèi)率先推出20年質(zhì)保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導(dǎo)體公司。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 充電器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    100

    文章

    4403

    瀏覽量

    121912
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    67

    文章

    1893

    瀏覽量

    119781
  • 納微半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    162

    瀏覽量

    21371

原文標題:納微半導(dǎo)體助力小米旗下Redmi Note 12 探索版氮化鎵充電器成功發(fā)布,210W “神仙秒充”樹立業(yè)界新標桿

文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    進迭時空再獲數(shù)億元融資,下一代 RISC-V AI 芯片 K3 即將發(fā)布

    進迭時空再獲數(shù)億元融資,下一代 RISC-V AI 芯片 K3 即將發(fā)布
    的頭像 發(fā)表于 01-15 19:07 ?388次閱讀
    進迭時空再獲數(shù)億元融資,<b class='flag-5'>下一代</b> RISC-V AI <b class='flag-5'>芯片</b>  K3 即將<b class='flag-5'>發(fā)布</b>

    安森美攜手格羅方德開發(fā)下一代氮化功率器件

    概要: 安森美(onsemi ) 與格羅方德(GlobalFoundries, GF)達成全新合作協(xié)議,進步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化(Ga
    的頭像 發(fā)表于 12-19 20:01 ?4366次閱讀

    Amphenol Multi-Trak?:下一代高速互連解決方案

    Amphenol Multi-Trak?:下一代高速互連解決方案 在高速互連技術(shù)不斷發(fā)展的今天,Amphenol推出的Multi - Trak?產(chǎn)品無疑是顆耀眼的新星。它為電子工程師
    的頭像 發(fā)表于 12-11 15:30 ?416次閱讀

    新品 | 第五CoolGaN? 650-700V氮化功率晶體管G5

    新品第五CoolGaN650-700V氮化功率晶體管G5第五650-700VGaN氮化
    的頭像 發(fā)表于 11-03 18:18 ?2963次閱讀
    新品 | 第五<b class='flag-5'>代</b>CoolGaN? 650-700V<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b>晶體管G5

    Telechips與Arm合作開發(fā)下一代IVI芯片Dolphin7

    Telechips宣布,將在與 Arm的戰(zhàn)略合作框架下,正式開發(fā)下一代車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)系統(tǒng)級芯片(SoC)“Dolphin7”。
    的頭像 發(fā)表于 10-13 16:11 ?1180次閱讀

    用于下一代 GGE 和 HSPA 手機的多模式/多頻段功率放大器模塊 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()用于下一代 GGE 和 HSPA 手機的多模式/多頻段功率放大器模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有用于下一代 GGE 和 HSPA 手機的多模式/多頻段功率放大器
    發(fā)表于 09-08 18:33
    用于<b class='flag-5'>下一代</b> GGE 和 HSPA 手機的多模式/多頻段<b class='flag-5'>功率</b>放大器模塊 skyworksinc

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    ,10埃)開始直使用到A7。 從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識可能有助于下一代互補場效應(yīng)晶體管(CFET)的生產(chǎn)。 目前,領(lǐng)先的芯片制造商——英特爾、臺積電和三星——正在利用
    發(fā)表于 06-20 10:40

    納微半導(dǎo)體雙向氮化開關(guān)深度解析

    前不久,納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?2785次閱讀
    納微半導(dǎo)體雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關(guān)深度解析

    NVIDIA 采用納微半導(dǎo)體開發(fā)新一代數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 800V HVDC 方案,賦能下一代AI兆瓦級算力需求

    800V HVDC電源架構(gòu)開發(fā),旗下GaNFast?氮化和GeneSiC?碳化硅技術(shù)將為Kyber機架級系統(tǒng)內(nèi)的Rubin Ultra等GPU提供電力支持。 ? NVIDIA推出的下一代
    發(fā)表于 05-23 14:59 ?3108次閱讀
    NVIDIA 采用納微半導(dǎo)體開發(fā)新<b class='flag-5'>一代</b>數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 800V HVDC 方案,賦能<b class='flag-5'>下一代</b>AI兆瓦級算力需求

    氮化GaN快充芯片U8732的特點

    充電器都能輕松應(yīng)對,充搞定。充電器自然離不開芯片的支持,今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化GaN快充芯片U8732!
    的頭像 發(fā)表于 05-23 14:21 ?1025次閱讀

    納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化功率芯片正式通過車規(guī)認證

    日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證,這標志著
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:09 ?5003次閱讀
    納微半導(dǎo)體GaNSafe?<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>芯片</b>正式通過車規(guī)認證

    氮化單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破

    單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者?;跈M向氮化(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨特優(yōu)勢,可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場
    的頭像 發(fā)表于 04-09 10:57 ?1069次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的<b class='flag-5'>下一代</b>突破

    納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化功率芯片

    全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化(GaN)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 15:49 ?3277次閱讀
    納微半導(dǎo)體<b class='flag-5'>發(fā)布</b>雙向<b class='flag-5'>GaNFast</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>芯片</b>

    納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術(shù)

    這是款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片,可滿足高功率應(yīng)用,例如 400-1000 W 4K/8K
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:51 ?2016次閱讀
    納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護技術(shù)

    納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源,掀起AI數(shù)據(jù)中心“芯”革命

    下一代GaNSense?技術(shù)為AI數(shù)據(jù)中心、電信、工業(yè)設(shè)備提升8倍功率 下一代氮化(GaN)功率
    發(fā)表于 03-12 11:02 ?889次閱讀
    納微助力長城電源打造超高<b class='flag-5'>功率</b>密度模塊電源,掀起AI數(shù)據(jù)中心“芯”革命