英特爾向今年的國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）提交了幾篇研究論文，強(qiáng)調(diào)了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計(jì)劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat Gelsinger之前關(guān)于英特爾即將進(jìn)行的微架構(gòu)設(shè)計(jì)創(chuàng)新的聲明。據(jù)英特爾的Gary Patton稱，新的進(jìn)展將在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)保持摩爾定律的活力。

今年早些時(shí)候，NVIDIA的黃仁勛在4000系列發(fā)布會(huì)的問(wèn)答環(huán)節(jié)中再次宣布摩爾定律已死。這一預(yù)測(cè)與他在2017年北京GPU技術(shù)大會(huì)上的類似聲明相呼應(yīng)。

該公司提交的2023年IEDM研究報(bào)告強(qiáng)調(diào)了幾種工藝、材料和技術(shù)，可以幫助這家半導(dǎo)體巨頭支持他們之前關(guān)于到2030年交付基于芯片的萬(wàn)億晶體管處理器。

英特爾的新晶體管和封裝技術(shù)研究主要集中在推進(jìn)CPU的性能和效率，縮小傳統(tǒng)單片處理器和基于芯片的新設(shè)計(jì)之間的距離。提交的材料中提出的一些概念包括：大大減少小芯片之間的間隙以提高性能，即使在失去電源后也能保持其狀態(tài)的非易失性晶體管，以及新的可堆疊存儲(chǔ)器解決方案。

英特爾副總裁兼元件研究（CR）和設(shè)計(jì)啟用部總經(jīng)理加里·巴頓說(shuō)："自晶體管發(fā)明以來(lái)的75年里，推動(dòng)摩爾定律的創(chuàng)新繼續(xù)解決世界上成倍增長(zhǎng)的計(jì)算需求。在IEDM 2022上，英特爾正在展示突破當(dāng)前和未來(lái)的障礙所需的前瞻性思維和具體的研究進(jìn)展，滿足這種永不滿足的需求，并在未來(lái)幾年保持摩爾定律的活力。"

CR小組的研究已經(jīng)確定了新的工藝和材料，對(duì)推動(dòng)公司接近其萬(wàn)億晶體管的里程碑至關(guān)重要。該公司最新的混合鍵合研究顯示，與前一年的報(bào)告相比有10倍的改進(jìn)。英特爾提交的材料所展示的其他研究包括使用厚度不超過(guò)三個(gè)原子的新型材料的設(shè)計(jì)，可以垂直放置在晶體管上方的存儲(chǔ)器，以及對(duì)可能對(duì)量子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢索產(chǎn)生負(fù)面影響的接口缺陷的更多了解。

英特爾的元件研究小組是公司內(nèi)部開(kāi)發(fā)新的和突破性技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。部件研究組的工程師們發(fā)明和開(kāi)發(fā)新的材料和方法，支持半導(dǎo)體制造商在持續(xù)的戰(zhàn)斗中把技術(shù)縮小到原子尺度。該小組負(fù)責(zé)英特爾的極紫外光刻（EUV）技術(shù)，該技術(shù)對(duì)于英特爾繼續(xù)縮小節(jié)點(diǎn)尺寸同時(shí)提高整體半導(dǎo)體能力是不可或缺的。該小組的工作和時(shí)間表通常比商業(yè)上可用的技術(shù)領(lǐng)先5到10年。