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什么是射頻衰減器?

電巢射頻 ? 來源:EDA365電子論壇 ? 作者:EDA365電子論壇 ? 2022-12-07 15:02 ? 次閱讀
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文中將探討IC衰減器,并針對(duì)其類型、配置和規(guī)格提出一些見解,旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品,并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。

衰減器的類型

從關(guān)鍵功能這個(gè)角度,衰減器可以分為固定衰減器和可變衰減器,前者的衰減電平保持不變,后者的衰減電平可調(diào)。根據(jù)可變衰減器支持的衰減控制方式,還可以進(jìn)一步細(xì)分為電壓可變衰減器(VVA)和數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA),前者采用模擬控制技術(shù),后者采用數(shù)字控制技術(shù)。VVA可以持續(xù)調(diào)節(jié)衰減電平,電平可以設(shè)置為給定范圍內(nèi)的任何值。對(duì)于自動(dòng)增益控制電路、校準(zhǔn)校正以及其他需要平穩(wěn)、精確地控制信號(hào)的處理功能,通常采用模擬可變衰減器。

數(shù)字步進(jìn)衰減器采用一組離散衰減電平,可以按照預(yù)先設(shè)置的衰減步長(zhǎng)調(diào)節(jié)信號(hào)強(qiáng)度。數(shù)字控制RFIC衰減器具有可兼容微控制器的控制接口,并提供出色的解決方案,可用于在復(fù)雜設(shè)計(jì)中保持功能完整性。

設(shè)計(jì)配置

衰減器IC可以使用電阻、PIN二極管、FET、HEMT和CMOS晶體管,并通過GaAs、GaN、SiC或CMOS技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。圖1顯示了構(gòu)成各種衰減器設(shè)計(jì)配置的三種基本拓?fù)洌篢型、π型和橋接T型網(wǎng)絡(luò)。

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圖1.基本的衰減器拓?fù)洌?a) T型,(b) π型,(c)橋接T型網(wǎng)絡(luò) 固定值衰減器利用通過薄膜和厚膜混合技術(shù)實(shí)現(xiàn)的這些核心拓?fù)鋪硖峁┕潭ㄋp電平。VVA一般使用T型或π型配置,二極管或晶體管元件工作在非線性電阻區(qū)。利用基本元件的電阻特性,通過改變控制電壓來調(diào)節(jié)所需的衰減電平。

DSA通常采用代表單個(gè)位的多個(gè)級(jí)聯(lián)單元,它們可以輸入或輸出,以實(shí)現(xiàn)所需的衰減電平。圖2顯示了DSA設(shè)計(jì)使用的幾種配置示例。其中包括:采用了集成SPDT開關(guān),可通過衰減器和直通線來切換輸入和輸出端口的配置;開關(guān)調(diào)節(jié)器件設(shè)計(jì),使用晶體管或二極管作為可調(diào)電阻;開關(guān)電阻配置,電阻可以切換,在電路中作為輸入或輸出;以及器件嵌入式設(shè)計(jì),晶體管或二極管是該設(shè)計(jì)的組成部分。

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圖2.DSA設(shè)計(jì)配置示例: (a) π型配置,采用集成開關(guān),(b)開關(guān)調(diào)節(jié)FET配置 (c)開關(guān)電阻配置,(d)FET嵌入式配置

衰減器拓?fù)淇梢杂迷诜瓷浠蚱胶忸愋偷脑O(shè)計(jì)中,原理圖如圖3所示。反射型器件使用同等衰減器,它們連接至3dB正交耦合器的輸出端,一般提供寬動(dòng)態(tài)范圍。平衡配置使用兩個(gè)3dB正交耦合器連接一對(duì)完全相同的衰減器,以提供出色的VSWR和功率處理能力。

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圖3.(a)反射型和(b)平衡型衰減器設(shè)計(jì)拓?fù)?/p>

除了本文中描述的主要設(shè)計(jì)配置之外,還可使用其他類型的電路來實(shí)現(xiàn)IC衰減器元件;但是,本文對(duì)這些內(nèi)容不做討論。

主要規(guī)格

為了針對(duì)終端應(yīng)用選擇合適的衰減器,工程師必須深入了解其主要規(guī)格。除了衰減功能和一些基本參數(shù)(例如插入和回波損耗)之外,還有許多其他特性也可用于描述衰減器元件,主要包括:

頻率范圍(Hz):IC保持其指定特性的頻率

衰減(dB):超過插入損耗的抑制量

頻率響應(yīng):整個(gè)頻率范圍(Hz)內(nèi)衰減電平(dB)的變化

衰減范圍(dB):該元件提供的總衰減值

輸入線性度(dBm):通常使用3階交調(diào)點(diǎn)(IP3)表示,IP3定義輸入功率電平的假設(shè)點(diǎn),在該點(diǎn)相應(yīng)雜散分量的功率將達(dá)到與基波分量相同的水平

功率處理(dBm):通常使用輸入1dB壓縮點(diǎn)表示,該點(diǎn)定義了衰減器的插入損耗降低1dB時(shí)的輸入功率電平;功率處理特性一般針對(duì)穩(wěn)態(tài)和熱切換模式下的平均和峰值輸入功率電平來確定

相對(duì)相位(度):由衰減器元件引入信號(hào)中的相位偏移

除了這些常用參數(shù)之外,還使用開關(guān)特性來描述可變衰減器,通常以ns為單位來描述上升時(shí)間和下降時(shí)間、導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間,以及RF輸出信號(hào)的幅度和相位建立時(shí)間。此外,每種類型的可變衰減器都有其固有特性。對(duì)于VVA,它們與其模擬控制操作相關(guān),包括:

電壓控制范圍(V):在衰減范圍內(nèi)調(diào)節(jié)衰減電平所需的電壓

控制特性一般用衰減斜率(dB/V)和性能曲線表示,從中可以看出,衰減電平與控制電壓成函數(shù)關(guān)系

對(duì)于DSA,其固有特性包括:

衰減精度(也稱為狀態(tài)誤差)(dB):衰減電平相對(duì)于標(biāo)稱值的變化極限

衰減步長(zhǎng)(dB):任何兩個(gè)連續(xù)衰減狀態(tài)之間的變化量

步進(jìn)誤差(dB):衰減步長(zhǎng)相對(duì)于標(biāo)稱值的變化極限

過沖、下沖(dB):狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間的信號(hào)瞬變電平(毛刺)

良好的衰減器元件通常需要在工作頻率范圍內(nèi)提供平坦的衰減性能和出色的VSWR,提供足夠的精度和功率處理能力,并確保在狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)、無毛刺運(yùn)行(信號(hào)僅少量失真),或者是提供線性控制特性。

結(jié)論

IC衰減器元件的多樣性當(dāng)然不限于本文中討論的這些,還可以找出其他類型的IC,包括基于頻率的相位補(bǔ)償衰減器、溫度可變衰減器、帶集成式DAC的可編程VVA等。

文章僅介紹了一些常見的IC衰減器類型,主要探討其采用的拓?fù)浜完P(guān)鍵規(guī)格,以幫助RF設(shè)計(jì)人員為終端應(yīng)用選擇合適的元件。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:什么是射頻衰減器?

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