mos管是不是三極管？通俗的講，三極管是電流控制元件，而場效應(yīng)管則是電壓控制元件。

兩者都是半導(dǎo)體器件，只是工作條件不同。場效應(yīng)管是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它具有多數(shù)晶體管的優(yōu)點(diǎn)，如輸入電阻高、噪聲小和熱穩(wěn)定性好等。

主要特點(diǎn) 01 輸入電阻高 02 電流放大系數(shù)大 03 熱穩(wěn)定性好 MOSFET

場效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時(shí)，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場中形成空間電荷層，這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子結(jié)合從而阻止了擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；同時(shí)由于反相器的存在也阻止了電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

因此整個(gè)pn結(jié)呈現(xiàn)出一個(gè)由正電荷占據(jù)的空間和一個(gè)由空穴占據(jù)的空間兩個(gè)區(qū)域。當(dāng)外加的反向電壓達(dá)到一定閾值以后反向偏置電壓將使這兩個(gè)區(qū)域的界限消失而使兩個(gè)區(qū)域相互重疊在一起形成一個(gè)耗盡區(qū)即截止?fàn)顟B(tài)或飽和狀態(tài)。

此時(shí)若繼續(xù)加正向偏置電壓將會使耗盡區(qū)變寬而使其內(nèi)阻增大最終導(dǎo)致管子擊穿損壞；反之若減小反向偏置電壓則會使截止區(qū)內(nèi)出現(xiàn)新的空穴-電子對并產(chǎn)生一個(gè)小的自激振蕩現(xiàn)象而使管子導(dǎo)通直至管子燒毀。

由于在正常狀態(tài)下場效應(yīng)管有兩個(gè)主要的失效模式：

（1）短路

（2）開路

（3）擊穿

其中前兩種情況為不可修復(fù)性故障后兩種情況為可修復(fù)性故障 開路和短路都屬于永久性損壞所以一般我們不會考慮這兩種情況的維修問題。 而場效應(yīng)管的擊穿屬于一種暫時(shí)性的損壞只要更換新的芯片就可以解決問題。

審核編輯 ：李倩