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通過(guò)磁控濺射制備LiF和LiPON異質(zhì)結(jié)構(gòu)的復(fù)合SEI實(shí)現(xiàn)高性能AFLMB

清新電源 ? 來(lái)源:能源技術(shù)情報(bào) ? 2023-01-05 10:06 ? 次閱讀
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研究背景

近年來(lái),隨著電動(dòng)汽車和便攜式電子設(shè)備的發(fā)展,人們對(duì)高能量密度可充電電池的需求顯著增加。鋰金屬由于其低氧化還原電位(?3.04 V vs. SHE)和高理論容量(3860 mAh g?1),受到了廣泛關(guān)注。然而,避免在電池中使用金屬鋰負(fù)極對(duì)于最大化理論能量密度非常重要,這促進(jìn)了無(wú)負(fù)極鋰金屬電池(AFLMB)的發(fā)展。然而,AFLMB表現(xiàn)出較差的循環(huán)穩(wěn)定性,限制了其實(shí)際應(yīng)用。導(dǎo)致AFLMB失效的原因之一是低庫(kù)侖效率(CE),這是由電解質(zhì)和沉積鋰金屬之間的連續(xù)界面反應(yīng)引起的。

致密的固體電解質(zhì)界面(SEI)能夠提供高離子電導(dǎo)率和電子絕緣性,有助于緩解負(fù)極界面反應(yīng)。然而,天然SEI通常表現(xiàn)出低的離子電導(dǎo)率和較差的斷裂韌性,導(dǎo)致電解質(zhì)滲透穿過(guò)SEI晶界,負(fù)極表面的鋰離子持續(xù)消耗。因此,人們開(kāi)始開(kāi)發(fā)人工SEI。然而,大多數(shù)基于無(wú)機(jī)快離子導(dǎo)體的導(dǎo)電薄膜通常脆性很大,容易發(fā)生機(jī)械故障。聚合物人工SEI通常是柔性的,并且容易制備,但是很難防止液體電解質(zhì)的滲透,以及副反應(yīng)。因此,亟須開(kāi)發(fā)一種導(dǎo)鋰離子,致密且堅(jiān)固的薄膜作為人工SEI。

成果簡(jiǎn)介

近日,中國(guó)科學(xué)院青島生物能源與過(guò)程研究所崔光磊、董杉木研究員在Advanced Materials上發(fā)表了題為“Robust transport:an artificial SEI design for anode free lithium metal battery”的論文。該論文使用共濺射方法制備了具有氟化鋰(LiF)和氮氧化磷鋰(LiPON)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的復(fù)合人工SEI,以實(shí)現(xiàn)高離子電導(dǎo)率和斷裂韌性。與體相LiPON膜相比,嵌入的LiF疇具有極高的楊氏模量和表面能,使得斷裂韌性提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。集成結(jié)構(gòu)中LiPON和LiF之間的界面產(chǎn)生了額外的快速Li+傳輸路徑,使得人工SEI離子電導(dǎo)率高于10?6S cm?1。因此,人工SEI使得AFLMB循環(huán)壽命增加了250%。

研究亮點(diǎn)

(1)這項(xiàng)工作通過(guò)磁控濺射制備了具有LiF和LiPON異質(zhì)結(jié)構(gòu)的復(fù)合SEI,來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能AFLMB。該人工SEI具有高斷裂韌性和離子導(dǎo)電性,從而抑制了枝晶形成,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了均勻的鋰沉積。

(2)該人工SEI中沿著LiF和LiPON疇的界面為離子運(yùn)動(dòng)提供了另一條路徑,其離子擴(kuò)散勢(shì)壘比體相材料低。人工SEI的離子電導(dǎo)率達(dá)到1.5×10?6S cm?1,超過(guò)了LiPON(1.1×10?6S cm?1)。

(3)使用該人工SEI構(gòu)建的鋰/銅電池循環(huán)壽命延長(zhǎng)了400%以上。100次循環(huán)后,高載量LiFePO4(LFP,2mAh cm?2)/Cu無(wú)負(fù)極全電池容量保持率從25%顯著增加到66%。

圖文導(dǎo)讀

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圖 1、(a)測(cè)量并擬合了189 nm厚LiPON的奈奎斯特阻抗圖。(b)測(cè)量并擬合了220 nm厚LiF-LiPON復(fù)合層的奈奎斯特阻抗圖。(c)LiPON和LiF-LiPON的最相關(guān)電路模型參數(shù)的比較。(d)LiPON、LiF以及LiF和LiPON之間的界面的鋰離子傳輸能壘。

本工作采用磁控濺射技術(shù),通過(guò)快速沉積材料構(gòu)建了一個(gè)致密的人工SEI層。LiPON層在25°C下的離子電導(dǎo)率為1.1×10?6S cm?1(圖1a)。通過(guò)連續(xù)優(yōu)化磁控濺射參數(shù),LiF–LiPON復(fù)合層(1.5×10?6S cm?1)的離子電導(dǎo)率超過(guò)了LiPON層(圖1b,1c),因?yàn)榧山Y(jié)構(gòu)為離子運(yùn)動(dòng)提供了額外的路徑(沿界面),降低了薄膜的整體電阻。

接下來(lái),進(jìn)行密度泛函理論(DFT)計(jì)算以確定鋰離子跳躍過(guò)程中的能量變化。結(jié)果表明,LiF–LiPON界面處鋰離子擴(kuò)散能壘完全低于LiPON(圖1d),導(dǎo)致LiF–LiPON復(fù)合膜的電導(dǎo)率更高。LiF-LiPON較高的離子電導(dǎo)率表明,LiF-LiPON復(fù)合膜可以確保負(fù)極界面處的鋰離子通量均勻。

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圖 2、具有不同尺度(a-c)的LiF-LiPON復(fù)合膜HAADF-STEM圖像,以及F和P(c)的EDS映射。(d)LiPON薄膜的高分辨率TEM顯微照片。(e)人工LiF–LiPON復(fù)合膜的高分辨率TEM顯微照片。(f)人工LiF–LiPON復(fù)合膜在液體電解質(zhì)中浸泡48小時(shí)的高分辨率TEM顯微照片。(g)初始LiF-LiPON復(fù)合膜中,[Li2PO2]3+、[Li2PO3]+、[Li2F]+和[Li4PO4]+的ToF-SIMS 3D圖像。(h)LiF/LiPON薄膜的應(yīng)力應(yīng)變曲線。(i)當(dāng)受到外部應(yīng)力時(shí),復(fù)合膜的內(nèi)部應(yīng)力分布。

通過(guò)高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)和高分辨率TEM分析了LiF–LiPON復(fù)合膜。圖2a-2b顯示,復(fù)合膜致密且均勻。圖d-e 的晶格條紋顯示,LiF微晶嵌入非晶LiPON基質(zhì)中(圖c)。F和P的能量色散X射線譜(EDS)映射顯示,F(xiàn)元素均勻分布在整個(gè)膜內(nèi)(圖2b),表明LiF均勻分布在LiPON基底中(圖2g)。

圖2h顯示,LiF–LiPON復(fù)合膜的楊氏模量(E)值大于90 GPa,高于LiPON膜(84 GPa)。堅(jiān)固的LiF能夠緩解復(fù)合膜的內(nèi)部應(yīng)力。由于E值增加,復(fù)合膜的變形程度也小于LiPON(圖2i)。在電解液中浸泡48小時(shí)后,復(fù)合膜仍能保持其原始形貌(圖2f)。

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圖 3、裸Cu(a)、LiPON/Cu(b)和LiF–LiPON/Cu上電沉積鋰金屬(1 mAh cm?2)的SEM圖像。(d)裸Cu、LiPON/Cu和LiF–LiPON/Cu電極中鋰電沉積行為示意圖。(e)LiF和LiPON的表面能和E的計(jì)算結(jié)果。(f)普通SEI和LiF–LiPON人工SEI的枝晶抑制能力示意圖。(g)在Li/Cu電池中進(jìn)行15次電鍍和剝離后,比較裸Cu、LiPON/Cu和LiF–LiPON/Cu電極中集流體上剩余的死鋰量。

裸銅集流體上鋰的不均勻電沉積形貌如圖3a所示,它們呈現(xiàn)典型的枝晶生長(zhǎng)模式。具有高表面積的枝晶能夠消耗電解質(zhì),并容易產(chǎn)生死鋰,導(dǎo)致電池衰減。由于均勻的離子傳輸和高的E值,LiPON膜可以在一定程度上限制鋰枝晶的自由生長(zhǎng),但它不能完全阻止枝晶的滲透和裂紋的擴(kuò)展,特別是在高面積容量的電鍍條件下(圖3b、3d、3f)。

相比之下,LiF–LiPON人工SEI可以產(chǎn)生緊湊,且無(wú)枝晶的鋰沉積形貌(圖3c),同時(shí)保持其結(jié)構(gòu)完整性。根據(jù)Griffith(現(xiàn)代斷裂)理論,σc和E滿足以下關(guān)系:

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其中,γ是SEI的表面能,σc是擴(kuò)展長(zhǎng)度為2a的裂紋所需的應(yīng)力臨界值,超過(guò)該值裂紋將自由快速擴(kuò)展。一般認(rèn)為,人工SEI具有許多微裂紋或缺陷。據(jù)報(bào)道,鋰離子優(yōu)先沉積到缺陷位置,這將增加缺陷下方的沉積速率,并增加沉積鋰金屬的局部體積不均勻性。累積在微裂紋中鋰的量與裂紋尖端處的應(yīng)力增加速率成正比。如果裂紋尖端的應(yīng)力集中值大于臨界應(yīng)力值,則裂紋將擴(kuò)展并導(dǎo)致SEI斷裂。這種裂紋的擴(kuò)展導(dǎo)致了兩個(gè)新表面的產(chǎn)生(圖3g),這為鋰枝晶自由生長(zhǎng)提供了足夠的空間。SEI的表面能,而不是SEI和鋰金屬之間的界面能,是決定抑制枝晶形成能力的重要因素。

臨界應(yīng)力直接影響SEI的斷裂韌性;因此,臨界應(yīng)力的降低導(dǎo)致SEI過(guò)早失效。DFT計(jì)算表明,LiF的γE值顯著高于LiPON(圖3e),表明人工SEI中微區(qū)的斷裂韌性是純LiPON的約10倍,這也解釋了為什么LiF–LiPON復(fù)合膜能夠在LiPON裂紋擴(kuò)展時(shí)保持其完整性(圖3f)。因此,LiF–LiPON復(fù)合材料可以作為一種堅(jiān)固的人工SEI,適應(yīng)負(fù)極的體積變化,抑制鋰枝晶的形成,誘導(dǎo)鋰金屬的橫向沉積,并減少副反應(yīng)和活性鋰損失(圖3d)。

此外,人工SEI層的高離子傳導(dǎo)速率確保了均勻的離子傳輸。因此,鋰金屬可以沉積在人工SEI下方。圖3g顯示,在15個(gè)電鍍和剝離循環(huán)后,裸銅半電池集流體上的死鋰量顯著高于LiF–LiPON人工SEI半電池集流體上的死鋰量。這表明,LiF–LiPON層的高機(jī)械強(qiáng)度、離子電導(dǎo)率和界面能使其成為具有良好鋰枝晶抑制能力的人工SEI。

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圖 4、(a)分別具有裸銅和Li/LiF-LiPON涂層銅的Li/Cu半電池(2.5 mAh cm?2)庫(kù)侖效率。(b)Li/Cu(LiF–LiPON涂層Cu)半電池在不同循環(huán)下的充放電曲線。(c)分別具有裸銅和Li/LiF–LiPON涂層銅的無(wú)負(fù)極全電池(LFP-Cu)循環(huán)性能。(d)分別采用裸銅和Li/LiF-LiPON涂層銅的無(wú)負(fù)極全電池(NCA-Cu)循環(huán)性能。

圖4a顯示了分別使用裸銅和經(jīng)LiF–LiPON人工SEI修飾的銅制備的Li||Cu電池在0.64 mA cm?2(2.5 mAh cm?2)下的長(zhǎng)循環(huán)穩(wěn)定性。用裸銅制成的電池只能循環(huán)75圈,且CE急劇下降。然而,LiF–LiPON人工SEI修飾的銅表現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)了320次循環(huán),CE高達(dá)98.8%(3000小時(shí))。

圖4b顯示,第1、第100、第200和第300次循環(huán)時(shí),鋰沉積/溶解的電壓曲線穩(wěn)定,極化最小。為了進(jìn)一步證明復(fù)合人工SEI的有效性,組裝了載量為13.3 mg cm?2的LFP無(wú)負(fù)極全電池(圖4c)。在100次循環(huán)后,該電池容量保持率為66%。使用LiNi0.8Co0.15Al0.05O2(NCA)電極(23 mg cm?2)組裝的無(wú)負(fù)極全電池在使用人工SEI后循環(huán)穩(wěn)定性也顯著改善,50次循環(huán)后容量保持率從26%提高到65%(圖4d)。

總結(jié)與展望

本工作通過(guò)在LiPON膜中嵌入LiF納米晶體構(gòu)建了集成的LiF–LiPON復(fù)合材料,解決了人工SEI離子電導(dǎo)率和機(jī)械穩(wěn)定性的不兼容問(wèn)題。與LiPON相比,由于LiF具有超高E和γ,LiF–LiPON復(fù)合膜的斷裂韌性提高了10倍。此外,與體相材料相比,集成結(jié)構(gòu)為離子的傳輸提供了一條額外的路徑(沿著界面),具有低的離子擴(kuò)散勢(shì)壘,使得該復(fù)合膜具有更好的離子導(dǎo)電性。因此,該復(fù)合SEI保持了非常穩(wěn)定的界面,并使AFMLB中的鋰沉積均勻,具有高CE(>98.8%),并能夠穩(wěn)定循環(huán)超過(guò)300次。具有LiF–LiPON的Li/Cu電池表現(xiàn)出極高的鋰電鍍/剝離效率。這項(xiàng)工作證實(shí)了斷裂韌性在決定AFLMB壽命中的重要性,并為設(shè)計(jì)長(zhǎng)壽命高能量密度AFLMB的復(fù)合人工SEI提供了思路。

審核編輯:郭婷

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原文標(biāo)題:崔光磊AM:無(wú)負(fù)極鋰金屬電池的人工SEI設(shè)計(jì)

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    淺談半導(dǎo)體薄膜<b class='flag-5'>制備</b>方法

    內(nèi)藏式觸控高分子分散液晶結(jié)構(gòu)的光學(xué)復(fù)合結(jié)構(gòu)及液晶線路激光修復(fù)

    一、引言 隨著觸控顯示技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)藏式觸控高分子分散液晶結(jié)構(gòu)的光學(xué)復(fù)合結(jié)構(gòu)憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì),在智能終端等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,在生產(chǎn)與使用過(guò)程中,液晶線路易出現(xiàn)故障,研究其修復(fù)技術(shù)對(duì)提升產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 04-30 14:44 ?1111次閱讀
    內(nèi)藏式觸控高分子分散液晶<b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>的光學(xué)<b class='flag-5'>復(fù)合</b><b class='flag-5'>結(jié)構(gòu)</b>及液晶線路激光修復(fù)

    SEI實(shí)現(xiàn)BiSS-C從機(jī)協(xié)議,發(fā)送TIMEOUT期間CDM如何接收?

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    發(fā)表于 04-07 11:09

    奕葉探針臺(tái)助力制備2D材料堆疊異質(zhì)結(jié)

    由高溫卡盤和高精度探針座可以為這種異質(zhì)結(jié)制備提供穩(wěn)定可靠的平臺(tái)。高溫系統(tǒng)通過(guò)PID溫控器實(shí)現(xiàn)對(duì)高溫卡盤從室溫到+700℃精準(zhǔn)調(diào)控。采用200TPI不銹鋼螺桿的高精
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    奕葉探針臺(tái)助力<b class='flag-5'>制備</b>2D材料堆疊<b class='flag-5'>異質(zhì)</b>結(jié)