作者:Kevin Scott and Henry Zhang
開關(guān)模式電源常用的三種電流檢測方法是:使用檢測電阻,使用 MOSFET RDS(ON)并使用電感器的直流電阻 (DCR)。每種方法都有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),在選擇一種方法而不是另一種方法時(shí)應(yīng)考慮這些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
檢測電阻電流檢測
檢測電阻作為電流檢測元件可實(shí)現(xiàn)最低的檢測誤差(通常在1%至5%之間)和非常低的溫度系數(shù),約為100ppm/°C (0.01%)。它在性能方面提供最精確的電源;它有助于提供非常精確的電源電流限制,并在多個(gè)電源并聯(lián)時(shí)促進(jìn)精確的均流。

圖1.R意義電流檢測
另一方面,由于在電源設(shè)計(jì)中增加了一個(gè)電流檢測電阻,該電阻也會(huì)產(chǎn)生額外的功耗。因此,與其他檢測技術(shù)相比,檢測電阻電流監(jiān)控技術(shù)可能具有更高的功耗,從而導(dǎo)致解決方案的整體效率略有降低。專用電流檢測電阻也可能增加解決方案成本,因?yàn)闄z測電阻的成本通常在0.05美元至0.20美元之間。
選擇檢測電阻時(shí)不應(yīng)忽略的另一個(gè)參數(shù)是其寄生電感(也稱為有效串聯(lián)電感或ESL)。檢測電阻被正確建模為具有有限電感的串聯(lián)電阻。

圖2.R意義ESL 模型
該電感取決于所選的特定檢測電阻。某些類型的電流檢測電阻器,例如金屬板電阻器,具有低ESL,是首選。相比之下,繞線檢測電阻由于其封裝結(jié)構(gòu)而具有更高的ESL,應(yīng)避免使用。通常,ESL效應(yīng)會(huì)隨著電流水平的增加、檢測信號(hào)幅度的減小和布局不當(dāng)而變得更加明顯。它還包括電路的總電感,增加了元件引線和其他電路元件引起的寄生電感。電路的總電感也受布局的影響,因此必須適當(dāng)考慮元件的放置;放置不當(dāng)會(huì)影響穩(wěn)定性并加劇現(xiàn)有的電路設(shè)計(jì)問題。
檢測電阻ESL的影響可以是輕微的,也可以是嚴(yán)重的。ESL可能導(dǎo)致開關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器上出現(xiàn)明顯的振鈴,從而對(duì)開關(guān)導(dǎo)通產(chǎn)生不利影響。它還會(huì)給電流檢測信號(hào)增加紋波,導(dǎo)致波形中出現(xiàn)電壓階躍,而不是如下所示的預(yù)期鋸齒波形。這會(huì)降低電流檢測精度。

圖3.R意義ESL會(huì)對(duì)電流檢測產(chǎn)生不利影響
為了最小化電阻ESL,請(qǐng)避免使用具有長環(huán)路(如繞線電阻器)或長引線(如高輪廓電阻器)的檢測電阻器。薄型表面貼裝器件是首選;示例包括“板”結(jié)構(gòu) SMD 尺寸 0805、1206、2010、2512;更好的選擇包括反向幾何 SMD 尺寸 0612 和 1225。
基于功率 MOSFET 的電流檢測
通過使用 MOSFET R 實(shí)現(xiàn)簡單且經(jīng)濟(jì)高效的電流檢測DS(ON)用于電流檢測。LTC?3878 是一款采用這種方法的器件。它采用恒定導(dǎo)通時(shí)間、谷值模式電流檢測架構(gòu)。在這里,頂部開關(guān)打開固定時(shí)間,之后底部開關(guān)打開,其 RDS壓降用于檢測電流“谷值”或電流下限。

圖4.場效應(yīng)管 RDS(ON)電流檢測
雖然價(jià)格低廉,但這種方法也存在一些缺點(diǎn)。首先,它不是很準(zhǔn)確;在 R 的范圍內(nèi)可以有很大的變化(大約 33% 或更多)DS(ON)值。它也可以具有非常大的溫度系數(shù);大于 80% 的值超過 100C 并非不可能。此外,如果使用外部MOSFET,則必須考慮MOSFET寄生封裝電感。對(duì)于非常高的電流水平,不建議使用這種類型的檢測,尤其是對(duì)于需要良好相位均流的多相電路。
電感直流電阻電流檢測
電感直流電阻(DCR)電流檢測利用電感繞組的寄生電阻來測量電流,從而消除了檢測電阻。這降低了組件成本并提高了電源效率。與 MOSFET R 相比DS(ON),銅線繞組的電感DCR通常具有較小的部件間變化,盡管它仍然隨溫度而變化。它在低輸出電壓應(yīng)用中受到青睞,因?yàn)闄z測電阻兩端的任何壓降都代表輸出電壓的很大一部分。RC網(wǎng)絡(luò)與串聯(lián)電感和寄生電阻組合并聯(lián)放置,并測量電容C1兩端的檢測電壓(圖5)。

圖5.電感直流電阻電流檢測
通過正確選擇元件(R1*C1 = L/DCR),電容C1兩端的電壓將與電感電流成正比。為了將測量誤差和噪聲降至最低,最好使用較低的R1值。
由于該電路不直接測量電感電流,因此無法檢測電感飽和。因此,建議使用具有“軟飽和度”的電感器,如鐵功率磁芯電感器。這些電感器的磁芯損耗通常高于同類鐵氧體磁芯電感器。與 R 相比意義方法中,電感DCR檢測消除了檢測電阻的功率損耗,但可能會(huì)增加電感磁芯損耗。
使用兩個(gè) R意義和DCR傳感方法,由于傳感信號(hào)小,需要開爾文傳感。保持開爾文感測跡線(感測和感測)很重要+–在圖5中)遠(yuǎn)離嘈雜的銅區(qū)域和其他信號(hào)走線,以最大限度地減少噪聲拾取。某些器件 (例如 LTC3855) 具有溫度補(bǔ)償 DCR 檢測功能,從而在整個(gè)溫度范圍內(nèi)提高了準(zhǔn)確度。
下表總結(jié)了不同類型的電流檢測方法以及每種方法的優(yōu)缺點(diǎn)。
上述每種方法都為開關(guān)模式電源提供額外的保護(hù)。根據(jù)設(shè)計(jì)要求,精度、效率、熱應(yīng)力、保護(hù)和瞬態(tài)性能的權(quán)衡都可能影響選擇過程。電源設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)選擇電流檢測方法和功率電感,并正確設(shè)計(jì)電流檢測網(wǎng)絡(luò)。凌力爾特的 LTpowerCAD 設(shè)計(jì)工具和 LTspice 電路仿真工具等計(jì)算機(jī)軟件程序在簡化設(shè)計(jì)工作和獲得最佳結(jié)果方面非常有幫助。

其他電流檢測方法
還有其他電流檢測方法可用。例如,電流檢測變壓器通常與隔離電源一起使用,以提供跨越隔離柵的電流信號(hào)信息。這種方法通常比上面討論的三種技術(shù)更費(fèi)錢。此外,近年來還出現(xiàn)了集成柵極驅(qū)動(dòng)器(DrMOS)的新型功率MOSFET,這些功率MOSFET也集成了電流檢測,但迄今為止,還沒有足夠的數(shù)據(jù)來判斷DrMOS檢測在檢測信號(hào)的精度和質(zhì)量方面的工作情況。
審核編輯:郭婷
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18840瀏覽量
263495 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9661瀏覽量
233480 -
電感器
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
2646瀏覽量
73710
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
開關(guān)模式電源電流檢測之何處放置檢測電阻
開關(guān)模式電源電流檢測方法
開關(guān)模式電源的電流檢測方法的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些
開關(guān)模式電源電流檢測信號(hào)的詳細(xì)資料介紹
關(guān)于開關(guān)模式下的電源電流檢測技術(shù)的詳細(xì)講解
開關(guān)模式電源電流檢測:基礎(chǔ)知識(shí)
開關(guān)模式電源電流檢測:電流檢測方法
評(píng)論