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IC市場(chǎng)兩個(gè)主要部分——內(nèi)存和邏輯/代工

jf_BPGiaoE5 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體新聞 ? 2023-01-11 10:39 ? 次閱讀
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有無(wú)數(shù)種方法可以細(xì)分集成電路市場(chǎng)。在本文中,我將 IC 市場(chǎng)分為兩個(gè)主要部分——內(nèi)存和邏輯/代工。

內(nèi)存芯片進(jìn)一步細(xì)分為 DRAM 和 NAND。在 Logic/Foundry部分,情況要復(fù)雜一些。英特爾公司CEO Pat Gelsinger給出了明確的定義,他評(píng)論道:

“英特爾是唯一一家在技術(shù)前沿設(shè)計(jì)和制造邏輯半導(dǎo)體的美國(guó)公司。當(dāng)我們?cè)诮衲暝缧r(shí)候推出英特爾代工服務(wù)時(shí),我們很高興有機(jī)會(huì)向更廣泛的合作伙伴提供我們的能力?!?/p>

因此,可以推斷邏輯芯片是由像英特爾這樣擁有自己晶圓廠的公司制造的,而如果這些邏輯芯片是由像 Advanced Micro Devices ( AMD ) 或 NVIDIA ( NVDA ) 這樣的無(wú)晶圓廠公司在像臺(tái)積電這樣的代工廠中設(shè)計(jì)的Manufacturing Company Limited (臺(tái)積電),他們可以稱為Foundry芯片。

我之所以這樣說(shuō),是因?yàn)殇N售產(chǎn)品的設(shè)備公司將這些細(xì)分市場(chǎng)作為其財(cái)務(wù)指標(biāo)的一部分。DRAM和NAND一般是分段的,但是logic和foundry有時(shí)是分開的,有時(shí)是合在一起的。

內(nèi)存段

內(nèi)存部分在 2022 年下半年表現(xiàn)不佳。在 2022 年 12 月 15 日的Seeking Alpha 文章中,我發(fā)表了一篇題為“美光:過(guò)多的資本支出導(dǎo)致內(nèi)存市場(chǎng)暴跌”的文章,詳細(xì)介紹了內(nèi)存(DRAM 和 NAND)IC 在2022年,資本支出和WFE(晶圓前端)半導(dǎo)體設(shè)備削減,背后的原因與內(nèi)存有關(guān)。

為了更好地了解內(nèi)存 IC 行業(yè),圖 1 顯示了 2016 年第一季度至 2023 年第一季度(截至 2023 年 11 月)之間的 DRAM 收入。它顯示了 2018 年下半年的收入高峰和 covid 鎖定后的另一個(gè)收入高峰。在這兩個(gè)周期中,收入都在峰值之后直線下降。峰值出現(xiàn)在 2018 年第三季度和 2021 年第四季度。

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圖 2 顯示了 NAND 收入的類似峰值。峰值出現(xiàn)在 2018 年第三季度和 2022 年第二季度。與 DRAM 一樣,三大內(nèi)存公司美光 ( MU )、三星電子 和 SK 海力士幾乎同時(shí)出現(xiàn)峰值。

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在圖 2 中,我顯示了內(nèi)存公司為設(shè)備購(gòu)買支付的 WFE 設(shè)備收入。此外,數(shù)據(jù)是按年計(jì)算的。DRAM 和 NAND 結(jié)合在一起,因?yàn)橐恍┰O(shè)備公司不會(huì)將兩者分開。有兩個(gè)重要的要點(diǎn):

與 DRAM 和 NAND 收入一樣,WFE 有兩個(gè)高峰。Applied Materials ( AMAT )的峰值出現(xiàn)在 2018 年和 2021年,Lam Research ( LRCX )、ASML ( ASML ) 和 KLA Corporation ( KLAC ) 的峰值預(yù)計(jì)出現(xiàn)在 2022 年。最終結(jié)果將在 2023 年 1 月的每家公司的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上公布。

請(qǐng)注意,DRAM 周期(圖 1)持續(xù)了三年,而 NAND 周期持續(xù)了四年(圖 2)。因此,圖 3 中 WFE 設(shè)備的三年和四年周期與內(nèi)存 IC 收入的峰值一致。

內(nèi)存收入和設(shè)備的峰值相關(guān)性并非巧合,而是典型的周期。公司購(gòu)買設(shè)備以增加芯片容量(容量購(gòu)買)或轉(zhuǎn)移到更小的節(jié)點(diǎn)(技術(shù)購(gòu)買)。

對(duì)于產(chǎn)能購(gòu)買,芯片產(chǎn)量增加到供大于求的程度,價(jià)格和收入下降。公司試圖明智地監(jiān)控 WFE 支出,但當(dāng)他們生產(chǎn)的芯片比當(dāng)時(shí)需要的多時(shí)。一旦需求趕上供應(yīng),新的周期就開始了。

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到 2022 年,AMAT 和 LRCX 都將從內(nèi)存中獲得最大的收入,如表 1 所示。Applied 來(lái)自內(nèi)存公司的收入應(yīng)達(dá)到 63 億美元,略低于 Lam 的 69 億美元,但遠(yuǎn)高于 ASML 的 46 億美元和 KLA 的 24 億美元。

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重要的是,按收入計(jì)算,AMAT 和 LRCX 將是受影響最大的設(shè)備公司。

更重要的是內(nèi)存收入占總收入的百分比。在這里,我們可以看到 Lam 接觸內(nèi)存占總收入的 55%,顯著高于彼此大致相似的同行。

圖 4 顯示了 2019 年 7 月至 2022 年 9 月的內(nèi)存(NAND 和 DRAM)收入。內(nèi)存收入也在 2022 年 6 月開始下降。在 2022年 5 月的峰值和 2022 年 10 月之間收入下降了 34.7%。年初至今的內(nèi)存收入下降了7.7%。

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圖 5 顯示同期 IC 收入,不包括內(nèi)存。從 2022 年 5 月的峰值到 2022 年 10 月下降了 2.0%。年初至今,不包括內(nèi)存的 IC增長(zhǎng)了 15.8%。相比之下,上圖 4 中的內(nèi)存收入在 2022 年 5 月的峰值和 2022 年 10 月之間下降了 34.7%。年初至今的內(nèi)存收入下降了7.7%。

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邏輯收入如圖 6 所示。從 2022 年 5 月的峰值到 2022 年 10 月下降了 4.7%。年初至今,邏輯增長(zhǎng)了 18.9%。

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2012 年至 2022 年,半導(dǎo)體設(shè)備公司向邏輯/代工客戶發(fā)貨產(chǎn)生的 WFE 收入如圖 7 所示。收入在 2020 年同比增長(zhǎng)17.8%,2021 年同比增長(zhǎng) 42.2%,2022 年同比增長(zhǎng) 17.0%。

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2021 年,Logic/Foundry 的 WFE 設(shè)備收入增長(zhǎng)了 42.2%。圖 8 顯示了各公司的邏輯/代工收入。根據(jù) The Information Network 的題為“ VLSI 制造中的計(jì)量、檢測(cè)和過(guò)程控制”的報(bào)告。AMAT 在 2022 年表現(xiàn)出強(qiáng)勁增長(zhǎng),尤其是在 2022 年第四季度,它從臺(tái)積電獲得了 17 億美元的收入,高于上一季度的13億美元。

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雖然 Applied Materials 及其沉積和蝕刻設(shè)備的表現(xiàn)似乎優(yōu)于 KLA 的計(jì)量/檢測(cè)業(yè)務(wù),但事實(shí)并非如此。表 2 顯示,KLAC 在三年中有兩年的表現(xiàn)優(yōu)于 AMAT,并且預(yù)計(jì)在 2023 年會(huì)如此,盡管兩者都將出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。

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在圖 8 中,我預(yù)測(cè) ASML 在 2021 年和 2022 年因供應(yīng)鏈問(wèn)題而受阻,但由于生產(chǎn)限制,ASML 將在 2023 年呈現(xiàn)正增長(zhǎng),ASML 積壓了 100 個(gè) EUV 系統(tǒng),平均售價(jià)為 2 億美元。與內(nèi)存 IC 公司不同,邏輯/代工半導(dǎo)體公司不太可能取消訂單,盡管隨著領(lǐng)先的代工公司向更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)遷移,2023 年芯片將出現(xiàn)低迷和供應(yīng)過(guò)剩。

盡管如此,如上圖 8 所示,其他 WFE 設(shè)備公司不會(huì)像 ASML 那樣幸運(yùn),2023 年的百分比將下降兩位數(shù)。

我估計(jì) AMAT、LRCX 和 KLAC 的 Memory 2023 收入將比 2022 年同比下降近 50%。由于 EUV 繼續(xù)滲透到內(nèi)存中,KLAC 將在 2022 年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁的收入增長(zhǎng),這需要用于較小節(jié)點(diǎn)的計(jì)量/檢測(cè)設(shè)備。

在我 2022 年 12 月 15 日關(guān)于美光的 Seeking Alpha 文章中,我詳細(xì)分析了 2022 年內(nèi)存(DRAM 和 NAND)IC 的銷量暴跌、資本支出和 WFE(晶圓前端)半導(dǎo)體設(shè)備削減,以及市場(chǎng)萎靡不振背后的原因記憶。

表 3 顯示了 2020-2022 年這三家公司的內(nèi)存資本支出占收入的百分比。美光在 2021 年削減了資本支出,但在 2022 年卻增加了。三星在 2021-2022 年的增長(zhǎng)是因?yàn)?EUV 技術(shù)遷移將資本支出占收入的比例提高到 44.8%。

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美光表示將在 2023 年將資本支出減少 30%,其中包括 50% 的設(shè)備和 50% 的建筑,這意味著設(shè)備削減 15%。但 MU 實(shí)際上在 2023 財(cái)年將 WFE 設(shè)備采購(gòu)削減了 50%,這對(duì)公司的設(shè)備供應(yīng)商產(chǎn)生了重大影響。

SK海力士10月下旬宣布,由于內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)需求不佳,計(jì)劃明年削減50%以上的投資。此前,該公司第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)降至 1.7 萬(wàn)億韓元(12 億美元),低于分析師預(yù)估的 1.87 萬(wàn)億韓元。收入下降 7% 至 11 萬(wàn)億韓元。

三星電子沒有人為削減dram產(chǎn)量或調(diào)整資本支出的計(jì)劃。三星計(jì)劃在 2022 年的半導(dǎo)體資本支出為 54 萬(wàn)億韓元,其中 47.7 萬(wàn)億韓元(385 億美元)已經(jīng)支出了 33 萬(wàn)億韓元(29.1 萬(wàn)億韓元用于半導(dǎo)體)。

表 3 還顯示了臺(tái)積電、英特爾和三星在 2020 年至 2023 年的資本支出計(jì)劃。三星的資本支出僅用于晶圓代工,不包括 DRAM 或 NAND 資本支出。

2021年,臺(tái)積電是最大的支出者,資本支出為171億美元,比2020年增長(zhǎng)75.4%,2022年增長(zhǎng)19.9%。三星2020年資本支出增長(zhǎng)49.3%,達(dá)到94億美元。到 2022 年,英特爾預(yù)計(jì)資本支出將增加 48.2%。

盡管如此,從 2020 年到 2023 年,臺(tái)積電的資本支出每年都高于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾和三星。這種增加的支出將導(dǎo)致晶圓廠產(chǎn)能增加和芯片產(chǎn)量增加。

圖 9 顯示了過(guò)去一年的股價(jià)。盡管所有股票都在下跌,但 KLAC 下跌了 12%,跌幅超過(guò)了同行。ASML 下跌了 27%,因?yàn)樵摴纠^續(xù)存在供應(yīng)鏈問(wèn)題。最差的表現(xiàn)來(lái)自 AMAT 和 LRCX,結(jié)果幾乎相同。

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根據(jù)內(nèi)存收入,AMAT 和 LRCX 將是受影響最大的設(shè)備公司。Lam 占收入的 55% 的高敞口使該公司最容易受到內(nèi)存 IC 需求暴跌的影響。

到 2022 年,邏輯/代工 IC 行業(yè)并未像內(nèi)存行業(yè)那樣受到資本支出和 WFE 超支的影響。盡管如此,2020 年和 2021 年設(shè)備采購(gòu)的超支將導(dǎo)致 AMAT、LRCX 和 KLAC 出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。

ASML 將在 2023 年受益于向更小節(jié)點(diǎn)的持續(xù)技術(shù)遷移,因?yàn)? 納米一下節(jié)點(diǎn)需要其 DUV 和 EUV 光刻設(shè)備。它的DUV浸沒光刻設(shè)備只有一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,日本尼康,它的EUV系統(tǒng)沒有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。大量積壓的設(shè)備將減輕任何會(huì)影響本文分析的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的收入損失。

另一家強(qiáng)大的公司是 KLAC。雖然該公司將在 2023 年受到半導(dǎo)體公司對(duì) WFE 設(shè)備需求暫停的影響,但該公司在股票表現(xiàn)方面已經(jīng)證明了其在同行中的優(yōu)勢(shì)。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:芯片過(guò)剩,影響設(shè)備市場(chǎng)!

文章出處:【微信號(hào):光刻人的世界,微信公眾號(hào):光刻人的世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    TPS65050 具有2個(gè) DC/DC 和 4 個(gè) LDO的電源管理 IC數(shù)據(jù)手冊(cè)

    TPS6505x 系列器件是集成電源管理 IC,適用于由一個(gè)鋰離子或鋰聚合物電池供電的應(yīng)用,這些應(yīng)用需要多個(gè)電源軌。TPS6505x 器件提供兩個(gè)高效的 2.25MHz 降壓轉(zhuǎn)換器,旨在為基于處理器
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:52 ?803次閱讀
    TPS65050 具有2<b class='flag-5'>個(gè)</b> DC/DC 和 4 <b class='flag-5'>個(gè)</b> LDO的電源管理 <b class='flag-5'>IC</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
    發(fā)表于 04-18 10:52