今年是AspenCore連續(xù)第21年舉辦IC設計調(diào)查及獎項評選,中國IC設計成就獎作為中國電子業(yè)界最具專業(yè)性和影響力的技術(shù)獎項之一是中國半導體行業(yè)1C 設計領域極具公信力的社會品牌,旨在表彰業(yè)內(nèi)優(yōu)秀的中國IC 設計公司、上游服務供應商和熱門IC產(chǎn)品。
每一屆的年度頒獎盛典也已成為了業(yè)內(nèi)最值得期待的標桿活動之一。2023年中國IC設計成就獎獎項投票現(xiàn)已全面開啟,誠邀您參與中國電子業(yè)界最具專業(yè)性和影響力的中國IC設計成就獎獎項投票,助力東芯半導體“C位”出道。
網(wǎng)上投票&分析師評審
2023年1月10日-2月10日
東芯半導體入選兩項大獎,點此投票!
年度技術(shù)突破IC設計公司
存儲器--48nm 1.8V 256Mb SPI NOR Flash


東芯,為日益發(fā)展的存儲需求提供高效可靠的解決方案。
關(guān)于東芯
東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術(shù),專業(yè)的技術(shù)服務實力,通過國內(nèi)外技術(shù)引進和合作,致力打造成為中國本土優(yōu)秀的具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲芯片設計公司。
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原文標題:中國IC設計成就獎投票現(xiàn)已全面開啟,助力東芯半導體“C位”出道
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