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半導體集成電路|什么是倒裝芯片?倒裝芯片剪切力測試怎么做?

科準測控 ? 來源:科準測控 ? 作者:科準測控 ? 2023-01-12 17:48 ? 次閱讀
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替代引線鍵合最常用、先進的互連技術(shù)是倒裝芯片技術(shù)稱為C4,即可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip Connection)或FC(Flip Chip,倒裝芯片)。這項技術(shù)是在20世紀60年代中期由IBM發(fā)明,每個引線具有最低的電感,為0.05~0.1nH(相比而言,線徑為25μm的引線電感約為1nH/m),因此具有最高的頻率響應(yīng)以及最低的串擾和同步開關(guān)噪聲。

倒裝芯片還提供最高的Si芯片封裝密度,在密封的封裝體內(nèi),在陶瓷基板上Si芯片以接近125μm(5mil)高度緊密“疊放”在一起,對于需要環(huán)氧樹脂底部填充的層壓基板,倒裝芯片的間隔約為0.5mm(20mil)。通過焊料凸點可以將適量的熱量通過芯片的正面?zhèn)鲗е料旅娴姆庋b體,但是,非常高的熱量(在運算速率最快的器件中產(chǎn)生)必須從裸芯片的背面(面朝上)移除。盡管使用硅脂或聚合物的散熱連接已成為一種更便宜的選擇,但這可能需要精心制備的導熱片/棒和昂貴的封裝體,封裝體和I/O焊盤必須圍繞特定目的植球芯片進行設(shè)計,這意味著非常高的體積或高的成本。

最近,倒裝芯片已用于層壓基板(如PCB)上,其通過使用底部填充的聚合物糾正熱膨脹系數(shù)的失配(CTE)問題,雖然這些聚合物基板降低了封裝成本,但是可能進一步降低了散熱能力。為了進一步降低工藝成本,在現(xiàn)存的Al焊盤周邊,部分研究采用熱超聲球形鍵合技術(shù)(移除引線)在鍵合焊盤上形成凸點。同時,還使用了導熱聚合物或微球。

為了充分利用倒裝芯片技術(shù)的優(yōu)勢,有必要對現(xiàn)有芯片重新設(shè)計面陣列I/O的倒裝芯片焊盤,但該焊盤在常規(guī)封裝中并不能進行有效的引線鍵合(盡管正在開發(fā)面陣列自動鍵合)。最初這種重新設(shè)計減慢了倒裝芯片技術(shù)的使用,盡管長期以來已有程序?qū)⑼鈬I合焊盤重新排版為面陣列的焊盤格式 2-711,與最初面陣列 I/O 的芯片設(shè)計相比,這些設(shè)計的熱傳遞效率(通過凸點)較低且串擾較大,因此這只是一個過渡階段。然而,由于小體積和高頻的需求,大量使用的便攜式終端,如移動電話的應(yīng)用,已經(jīng)克服了這個問題。當前,這些應(yīng)用需要更高性能的芯片和更高的Si芯片密度(疊放),且目前更多的芯片設(shè)計成真實的面陣列、倒裝芯片格式。這種互連方法的增長速度比引線鍵合快,并且猜測最終(許多年)可能會取代它們,成為許多產(chǎn)品應(yīng)用的首選互連方法。給大家介紹完半導體集成電路焊球倒裝是什么,下面__【科準測控】__小編接著給大家介紹倒裝芯片剪切力試驗怎么做?

一、倒裝芯片剪切力測試

1、 試驗目的

本試驗的目的是測試底部填充前芯片與基板之間的剪切強度,或測量底部填充后對芯片所加力的大小,觀察在該力下產(chǎn)生的失效類型,判定器件是否接收。

  1. 測試設(shè)備要求

測試設(shè)備應(yīng)使用校準的負載單元或傳感器,設(shè)備的最大負載能力應(yīng)足以把芯片從固定位置上分離或大于規(guī)定的最小剪切力的2倍。設(shè)備準確度應(yīng)達到滿刻度的±5%。設(shè)備應(yīng)能提供并記錄施加于芯片的剪切力,也應(yīng)能對負載提供規(guī)定的移動速率。

3、試驗設(shè)備(以科準Alpha-W260推拉力測試機為例)

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4、 試驗程序

4.1 安裝

在試驗設(shè)備上安裝剪切工具和試驗樣品,剪切工具正好在位于基板之上的位置與芯片接觸,在垂直于芯片或基板的一個邊界并平行于基板的方向上施加外力,使芯片可以被平行于器件表面的剪切工具剪切,如圖8所示。應(yīng)小心安放器件以免對芯片造成損傷。對于某些類型的封裝,由于封裝結(jié)構(gòu)會妨礙芯片的剪切力測試,當規(guī)定要采用本試驗方法時,需要采用有效的化學或物理方法將妨礙部分去除,但不得破壞芯片倒裝區(qū)和填充區(qū)。

剪切力和失效模式受剪切速度、剪切高度以及器件存儲時間的影響。為保證試驗結(jié)果的有效性,應(yīng)對任何檢驗批進行相同條件的剪切試驗,如剪切速度、剪切高度等都應(yīng)一致。

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夾具應(yīng)防止器件在軸向上移動,保證剪切方向與基板的表面平行,并且不損傷芯片,不使基板變形。圖9給出了夾具的示例,可使用其他工具替代夾具。

夾具應(yīng)和機器保持剛性連接,移動和變形應(yīng)最小化,避免對器件產(chǎn)生諧振激勵。對長方形芯片,應(yīng)從與芯片長邊垂直的方向施加應(yīng)力。

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剪切工具應(yīng)由堅硬的剛性材料、陶瓷或其他非易彎曲的材料構(gòu)成。剪切工具應(yīng)和器件底面成90°士5°。把剪切工具和芯片對齊,使其可以接觸芯片的一側(cè)。應(yīng)保證剪切工具在行進時不會接觸基板。

最好能使用可移動的試驗臺和工具臺進行對齊,并使移動平面垂直于負載方向。

由于頻繁使用會造成剪切工具磨損,從而影響試驗結(jié)果。如果剪切工具有明顯的磨損,如圖7所示,則應(yīng)替換。

4.2 芯片剪切

4.2.1 剪切速度

芯片剪切過程中應(yīng)保持恒定速率,并記錄剪切速度。剪切速度一般為0.1 mm/s~0.8 mm/s。

4.2.2 剪切力

試驗數(shù)據(jù)應(yīng)包括芯片剪切力數(shù)值和標準要求數(shù)值。芯片剪切力數(shù)值應(yīng)滿足應(yīng)用條件所要求的最小值。

5、 失效判據(jù)

5.1 倒裝芯片剪切強度(無底填充器件)

使倒裝芯片和基板產(chǎn)生分離的最小剪切力應(yīng)按式(1)計算,小于其值而發(fā)生分離則視為不合格。

最小剪切力=0.05N×凸點數(shù) (1)

當有規(guī)定時,應(yīng)記錄造成分離時的剪切力數(shù)值,以及分離或失效的主要類別:

a) 焊點材料或基板焊接區(qū)(適用時)的失效;

b) 芯片或基板的破裂(緊靠在焊點處下面的芯片或基板失掉一部分);

c) 金屬化層浮起(金屬化層或基板焊接區(qū)與芯片或基板分離)。

5.2 倒裝芯片剪切強度(底填充器件)

若芯片黏接面積大于4.13 mm2,應(yīng)最小承受25 N的力或其倍數(shù);若芯片黏接面積大于或等于0.32mm2,但不大于4.13 mm2時,芯片承受的最小應(yīng)力可通過圖11確定;若芯片黏接面積小于0.32mm2,應(yīng)承受的最小力為(0.1倍)時的6N/mm2或(2倍)時的12N/mm2。

符合以下任一判據(jù)則應(yīng)視為失效:

a) 小于圖10中曲線所表示的最小芯片剪切強度要求。

b) 適用時,使芯片與基板脫離時施加的力小于圖10中最小芯片剪切強度的1.25倍,同時芯片在填充材料上的殘留小于填充區(qū)面積的50%。

c) 適用時,使芯片與基板脫離時施加的力小于圖10中最小芯片剪切強度的2.0倍,同時芯片在填充材料上的殘留小于填充區(qū)面積的10%。

當有規(guī)定時,應(yīng)記錄造成分離時的剪切力數(shù)值,以及分離或失效的主要類別:

  1. 芯片被剪切掉后,基板上殘留有芯片的碎片;

b) 芯片與填充材料間脫離;

c) 芯片與填充材料一起脫離基板。

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6、 說明

有關(guān)采購文件或詳細規(guī)范中應(yīng)規(guī)定以下內(nèi)容:

a) 最小剪切力強度(若不用本試驗判據(jù)時);

b) 試驗的芯片數(shù)和接收數(shù);

c) 數(shù)據(jù)記錄要求。

以上就是小編對半導體集成電路焊球倒裝是什么?以及倒裝芯片剪切力試驗目的、測試設(shè)備、試驗方法以及失效判據(jù)的介紹了,希望能給大家?guī)韼椭?!科準專注于推拉力測試機研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。廣泛用于與LED封裝測試、IC半導體封裝測試、TO封裝測試、IGBT功率模塊封裝測試、光電元器件封裝測試、大尺寸PCB測試、MINI面板測試、大尺寸樣品測試、汽車領(lǐng)域、航天航空領(lǐng)域、軍工產(chǎn)品測試、研究機構(gòu)的測試及各類院校的測試研究等應(yīng)用。如果您有遇到任何有關(guān)推拉力機、半導體集成電路等問題,歡迎給我們私信或留言,科準的技術(shù)團隊也會為您免費解答!

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