91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

要長高 ? 2023-02-03 16:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中,由于襯底制造工藝難度大,產(chǎn)業(yè)鏈價(jià)值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。

隨著碳化硅下游市場的超預(yù)期發(fā)展,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的景氣程度有望持續(xù)向好,碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)也將直接受益于行業(yè)發(fā)展。

美國廠商占據(jù)主導(dǎo)地位,國內(nèi)度過產(chǎn)業(yè)化元年。Wolfspeed的出貨量占據(jù)了全球的45%。2021年是國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)化元年,2021年一季度國內(nèi)新增SiC項(xiàng)目合計(jì)投資金額達(dá)到630億元,超過2020年全年的水平,達(dá)到2012-2019年合計(jì)值的5倍以上。

目前,碳化硅襯底主流尺寸為4-6 英寸,8 英寸襯底僅有Wolfspeed、II-VI 公司和意法半導(dǎo)體ST等少數(shù)幾家研制 成功,其中,Wolfspeed 是首家掌握8 英寸量產(chǎn)技術(shù)并建設(shè)對應(yīng)晶圓廠的公司。

碳化硅前景怎么樣

碳化硅精細(xì)微粉作為一種新型的多復(fù)合性功能材料,近年來被廣泛應(yīng)用于高端太陽能、半導(dǎo)體切割研磨、LED、非金屬陶瓷、高性能密封環(huán)等領(lǐng)域。尤其是最近幾年,無論國內(nèi)外媒體及產(chǎn)業(yè)政策導(dǎo)向,都極力助推了這一新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。光伏產(chǎn)業(yè)強(qiáng)烈的發(fā)展預(yù)期,導(dǎo)致碳化硅行業(yè)炙手可熱,吸引了大批的企業(yè)和社會投資者紛紛涌入,克服節(jié)能減排等多方壓力,各種規(guī)模的碳化硅生產(chǎn)企業(yè)可謂是遍地開花,樂觀情緒漸盛。

碳化硅行業(yè)要解決發(fā)展中資源、環(huán)境等方面的壓力,應(yīng)該著眼于技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)進(jìn)步。在碳化硅生產(chǎn)中,關(guān)注生產(chǎn)制造的綠色、低碳化。依靠技術(shù)升級,提高生產(chǎn)規(guī)模,利用規(guī)模優(yōu)勢降低單位能耗;注重生產(chǎn)過程中如碳化硅回收、粉塵處理、水的循環(huán)再利用等,降低資源利用。

碳化硅發(fā)展前景預(yù)測,就是在碳化硅市場調(diào)查獲得的各種信息和資料的基礎(chǔ)上,運(yùn)用科學(xué)的預(yù)測技術(shù)和方法,對影響碳化硅市場供求變化的諸因素進(jìn)行調(diào)查研究,分析和預(yù)見碳化硅發(fā)展趨勢,掌握碳化硅市場供求變化的規(guī)律,為經(jīng)營決策提供可靠的依據(jù)。

第三代半導(dǎo)體是國家2030規(guī)劃和“十四五”國家研發(fā)計(jì)劃確定的重要發(fā)展方向,是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)會,要重點(diǎn)扶持、協(xié)同攻關(guān)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),可以在國內(nèi)重點(diǎn)扶植3-5家世界級龍頭企業(yè),加大整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈條的合作力度。

國內(nèi)外各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度,第三代半導(dǎo)體也開始頻頻出現(xiàn)在各地園區(qū)招商引資名單中。8月18日最新消息,碳化硅龍頭科銳(Cree)宣布2021年財(cái)年第四季度財(cái)報(bào)時(shí)透露,公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠,使其能夠充分利用未來幾十年的增長機(jī)遇。

新能源汽車是SiC功率器件的主要增長點(diǎn),充電樁也是,以直流充電樁為例,據(jù)CASA測算,電動汽車充電樁中的SiC器件的平均滲透率達(dá)到10%,2018年整個(gè)直流充電樁SiC電力電子器件的市場規(guī)模約為1.3億,較2017年增加了一倍多。

SiC功率器件存在很多優(yōu)勢,未來發(fā)展空間也在逐漸增大,不過在發(fā)展SiC器件的過程中,還是存在不少問題,從近幾年的發(fā)展來看,國內(nèi)外廠商還是研究機(jī)構(gòu),都在加大投入發(fā)展更有的技術(shù)和產(chǎn)品,相信未來SiC器件不管在性能還是價(jià)格等多方面都會更適應(yīng)市場需求。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3720

    瀏覽量

    69384
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52329
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    簡單認(rèn)識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?797次閱讀

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    )、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1761次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?829次閱讀

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢

    SiC碳化硅功率半導(dǎo)體:電力電子行業(yè)自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級
    的頭像 發(fā)表于 09-21 20:41 ?603次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導(dǎo)體:電力電子<b class='flag-5'>行業(yè)</b>自主可控與產(chǎn)業(yè)升級的必然趨勢

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7120次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動中的應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1627次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1171次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

    和大功率處理能力,在新能源、汽車電子、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。本文將深入探討碳化硅功率器件的優(yōu)勢及其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 06-18 17:24 ?1623次閱讀

    碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

    碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時(shí),需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:34 ?1435次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在多種應(yīng)用場景中的影響

    SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及

    SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及,主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢和市場驅(qū)動因素: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT
    的頭像 發(fā)表于 04-30 14:30 ?1161次閱讀
    SiC(<b class='flag-5'>碳化硅</b>)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲能變流器(PCS)<b class='flag-5'>行業(yè)</b>迅速普及

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1257次閱讀

    工業(yè)電機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析

    過大數(shù)據(jù)分析的部分觀點(diǎn),可能對您的企業(yè)規(guī)劃有一定的參考價(jià)值。點(diǎn)擊附件查看全文*附件:工業(yè)電機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析.doc 本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請第一時(shí)間告知,刪除內(nèi)容!
    發(fā)表于 03-31 14:35

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT,助力中國電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級!以下是針對碳化硅MOSFET替代IGBT的常見問題及解答,結(jié)合行業(yè)現(xiàn)狀與技術(shù)發(fā)展進(jìn)行綜合分析: 問題1:國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1874次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?999次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?