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EMC計(jì)算方法和EMC仿真(1) 計(jì)算方法簡(jiǎn)介

陳杰 ? 來(lái)源:羅姆 ? 作者:羅姆 ? 2023-02-14 09:26 ? 次閱讀
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EMC計(jì)算方法概述

2021/11/16

大家好!我是ROHM的稻垣。
本文是第16篇,從本文開始我們來(lái)談一談電磁兼容性(EMC)的計(jì)算方法和仿真
說(shuō)起EMC,毫不夸張地說(shuō),是否符合EMC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)是判斷半導(dǎo)體集成電路(LSI)完善度的標(biāo)準(zhǔn),也是是否采用相應(yīng)產(chǎn)品的絕對(duì)條件。因此,負(fù)責(zé)EMC的工程師主要在用來(lái)測(cè)試試制品和量產(chǎn)品的EMC測(cè)試場(chǎng)地或消聲室工作。在我們ROHM公司,在測(cè)試方面要求始終注意“測(cè)試的準(zhǔn)確性和再現(xiàn)性”。如字面意思所表達(dá)的,測(cè)試準(zhǔn)確性需要通過(guò)提高測(cè)試精度,追求接近真值的測(cè)試值,因此需要環(huán)境構(gòu)建和測(cè)試技術(shù)。而測(cè)試再現(xiàn)性則意味著同一樣品無(wú)論測(cè)試多少次都可以獲得相同的測(cè)試值。由于EMC實(shí)測(cè)值的最大值和最小值范圍很寬(例如60dB~100dB),因此在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體集成電路(LSI)的電路時(shí),對(duì)精度(比如0.1dB)要求不高也是一個(gè)特點(diǎn)。但是,這些都是非常重要的指標(biāo),而且這些指標(biāo)與后面要介紹的EMC計(jì)算方法也密切相關(guān)。
關(guān)于EMC相關(guān)的計(jì)算方法,很多EDA供應(yīng)商都出售電磁場(chǎng)分析工具,這些工具在EMC工程師中也有不同的用途。我認(rèn)為其中最常見的用途是印刷電路板(PCB)的仿真。近年來(lái),印刷電路板(PCB)的層數(shù)逐漸增多,有助于減少旨在消除EMC問(wèn)題的試制次數(shù)和試制時(shí)間。如果能夠通過(guò)仿真來(lái)判斷是否符合EMC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),那么對(duì)于LSI供應(yīng)商來(lái)說(shuō)無(wú)疑是非常方便的事,但目前世界上貌似還沒有相應(yīng)的仿真工具。
因此,我稍微調(diào)查了一下目前世界上有多少與EMC計(jì)算和仿真相關(guān)的概念。國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)對(duì)半導(dǎo)體集成電路(LSI)的EMC模型進(jìn)行了定義,并發(fā)布了下面的內(nèi)容。順便提一下,Part 5目前尚未定案。

IEC 62433標(biāo)準(zhǔn)

Part 1 概述
Part 2 ICEM-CE傳導(dǎo)發(fā)射模型
Part 3 ICEM-RE輻射發(fā)射模型
Part 4 ICIM-CI 傳導(dǎo)抗擾度模型
Part 6 ICIM-CPI傳導(dǎo)脈沖抗擾度模型


下面這兩項(xiàng)是這些標(biāo)準(zhǔn)中非常重要的定義,是非常重要和基礎(chǔ)的概念,既適用于傳導(dǎo),也適用于輻射。

IA模型(Internal Activity Model) ???LSI的電磁干擾(EMI)模型
IB模型(Immunity Behavior Model) ???LSI的誤動(dòng)作閾值(EMS)模型


有幾種有效的計(jì)算方法。數(shù)據(jù)同化(Data Assimilation)是將實(shí)測(cè)值輸入到模型中以獲得高精度結(jié)果的技術(shù),該技術(shù)已在天氣預(yù)報(bào)和地震觀測(cè)領(lǐng)域得到實(shí)際應(yīng)用。最近的新聞報(bào)道稱,日本理化學(xué)研究所RIKEN將利用這一數(shù)據(jù)同化技術(shù),著手計(jì)算新型冠狀病毒的流行感染情況??梢哉f(shuō)它是實(shí)測(cè)值與計(jì)算值的融合技術(shù),從以往的“只看實(shí)測(cè)”和“只看仿真”的思路中向前邁進(jìn)了一大步。
此外,一種稱為“降噪”(Noise Reduction)的方法也非常有效。在EMC現(xiàn)象中,實(shí)測(cè)值和計(jì)算值都是非常龐大的數(shù)據(jù),如果直接使用針對(duì)每個(gè)頻率的值,將很難得到預(yù)期的結(jié)果。因此,業(yè)內(nèi)開發(fā)了這種降噪方法。不過(guò)這種方法具體執(zhí)行起來(lái)很簡(jiǎn)單,就是對(duì)實(shí)測(cè)值和計(jì)算值進(jìn)行包絡(luò)檢波(Envelope-demodulation),這種方法大大扭轉(zhuǎn)了業(yè)內(nèi)所面臨的這種難題。
這些是關(guān)于EMC計(jì)算和EMC仿真的概念。另外,只要利用電路分析、電磁場(chǎng)分析、數(shù)值分析來(lái)創(chuàng)建shell腳本,似乎就可以嘗試進(jìn)行市場(chǎng)上還沒有的EMC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性判斷。順便提一下,在試行計(jì)算方法中,各種分析的區(qū)分使用如下:

傳導(dǎo)發(fā)射和傳導(dǎo)抗擾度: 電路分析+數(shù)值分析
輻射發(fā)射和輻射抗擾度: 電路分析+電磁場(chǎng)分析+數(shù)值分析


作為參考,在下面列出了目前電磁兼容性(EMC)的試行計(jì)算方法示例。由于主角是半導(dǎo)體集成電路(LSI),因此在這里無(wú)法計(jì)算到應(yīng)用產(chǎn)品和系統(tǒng),但業(yè)內(nèi)為了逐步增加可以判斷的EMC國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目,正在推進(jìn)相關(guān)的研究、開發(fā)和試行計(jì)算。從下一次開始,我將依次為大家介紹其中一些有代表性的計(jì)算方法。

分類 電磁干擾(傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射,EMI)
LSI 傳導(dǎo)IEC 61967-4標(biāo)準(zhǔn) 1Ω/150Ω直接耦合
傳導(dǎo)展頻
消費(fèi)電子 傳導(dǎo)CISPR32(舊CISPR22)標(biāo)準(zhǔn) 傳導(dǎo)噪聲
輻射CISPR32(舊CISPR22)標(biāo)準(zhǔn) 3m法/10m法
車載 傳導(dǎo)CISPR25標(biāo)準(zhǔn) 電壓法和電流探頭法
輻射CISPR25標(biāo)準(zhǔn) ALSE法
分類 電磁敏感性(抗擾度,EMS)
LSI 傳導(dǎo)IEC 62132-4標(biāo)準(zhǔn) DPI
消費(fèi)電子 傳導(dǎo)IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn) 靜電放電模型
輻射IEC 61000-4-3標(biāo)準(zhǔn) 射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度
車載 傳導(dǎo)ISO 7637-2/-3標(biāo)準(zhǔn),ISO 16750-2標(biāo)準(zhǔn)(車載蓄電池測(cè)試模型)
傳導(dǎo)ISO 11452-4標(biāo)準(zhǔn) HE法(BCI法,TWC法)
輻射ISO 11452-2標(biāo)準(zhǔn) ALSE法
輻射ISO 11452-9標(biāo)準(zhǔn) 便攜式發(fā)射機(jī)


本次內(nèi)容基本就是這些,可能有人注意到從本文開始我們探討的內(nèi)容難起來(lái)了。說(shuō)實(shí)話,恐怕這個(gè)主題相關(guān)的內(nèi)容僅憑這個(gè)專欄是不足以詳細(xì)介紹完的。從事半導(dǎo)體集成電路(LSI)設(shè)計(jì)和對(duì)該領(lǐng)域感興趣的讀者,可以在參閱下面這本書的同時(shí)閱讀本專欄的相關(guān)內(nèi)容。

《LSI的EMC設(shè)計(jì)》,科學(xué)信息出版株式會(huì)社,2018年2月第一版,ISBN978-4-904774-68-7。
目前,關(guān)于半導(dǎo)體集成電路(LSI)的電磁兼容性(EMC)設(shè)計(jì)的出版物很少。本書盡可能地不使用數(shù)學(xué)公式,而是以通俗易懂的方式幫助讀者俯瞰現(xiàn)象并掌握概念。關(guān)于EMC仿真,也是從基礎(chǔ)寫起的,希望大家可以將其作為本專欄的補(bǔ)充資料充分利用。此外,今后我將在專欄末尾列出用來(lái)補(bǔ)充本專欄所介紹內(nèi)容的書籍參考頁(yè)碼,如下所示:

◆IEC 62433標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:第5章 通過(guò)現(xiàn)象驗(yàn)證半導(dǎo)體集成電路的電磁兼容性(1)p.124~
◆EMC仿真簡(jiǎn)介:第6章 通過(guò)現(xiàn)象驗(yàn)證半導(dǎo)體集成電路的電磁兼容性(2)p.139~

感謝您閱讀本文。

審核編輯黃宇

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