納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515，專為驅(qū)動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設(shè)計，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服、機器人，空調(diào)壓縮機，新能源汽車主驅(qū)，光伏逆變器、儲能、UPS、高功率電源等領(lǐng)域。

NSi68515輸入方式兼容光耦輸入，且輸入端與輸出端采用雙電容增強隔離技術(shù)，基于納芯微Adaptive OOK編碼技術(shù), 支持150kV/μs的最小共模瞬變抗擾度（CMTI），提高系統(tǒng)魯棒性。

NSi68515產(chǎn)品特性

- 具備超強驅(qū)動能力，可以提供最大5A的拉灌電流

- 提供軌到軌輸出和非軌到軌輸出兩個版本

- 輸入側(cè)電源電壓VCC：3V至5.5V

- 輸入方式兼容光耦電流型輸入，可耐-6.5V反向電壓

- 驅(qū)動器側(cè)電源正壓軌VCC2：高達35V

- 驅(qū)動器側(cè)電源負壓軌VEE2：高達-17.5V

- 超高的最小共?？箶_能力(CMTI)：150 kV/us

- 提供完善的保護功能

◇ 快速過流和短路保護，DESAT閾值電壓6.5V

◇ 集成故障時的軟關(guān)斷功能，軟關(guān)斷電流140mA

◇ 集成米勒鉗位功能，鉗位電流高達：4.5A

◇ 高壓側(cè)和低壓側(cè)均有獨立的供電欠壓保護功能UVLO

◇ 故障報警 (FLT / ULVO引腳指示)

◇ 可支持故障自動復(fù)位版本選擇

- 典型傳播延時：100ns

- 工作環(huán)境溫度：-40℃ ~ 125℃

- 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOW16, 爬電距離>8mm

NSi68515經(jīng)典電路圖NSi68515 CMTI 高，領(lǐng)先行業(yè)水平，提高了系統(tǒng)的抗干擾能力

行業(yè)內(nèi)常見的帶保護的光耦隔離驅(qū)動IC，CMTI 一般在35KV/us。

隨著系統(tǒng)的開關(guān)頻率和母線電壓的提高，以及SiC MOSFET的普及使用， 系統(tǒng)的dv/dt 急劇上升，這對隔離驅(qū)動的抗干擾能力(CMTI)提出了更高的要求。

如果隔離驅(qū)動IC 的CMTI只有35KV/us，顯然已經(jīng)很難滿足系統(tǒng)的要求。

而NSi68515 CMTI 大于150KV/us，能夠有效提高系統(tǒng)的抗干擾能力。

納芯微基于NSi68515做了靜態(tài)CMTI和動態(tài)CMTI 摸底實驗，實驗結(jié)果是218KV/us均PASS；而同樣的測試條件下，普通的光耦隔離驅(qū)動在30KV/us左右便已經(jīng)Fail。

靜態(tài)CMTI 實驗結(jié)果：218kv/us pass

輸入一直為高，藍色是輸出波形，粉色是CMTI波形

動態(tài)CMTI 實驗結(jié)果：218kv/us pass

綠色是輸入波形，黃色是輸出波形，藍色是CMTI波形

NSi68515 短路保護時間快，提高了管子的魯棒性

當IGBT 和 SiC MOSFET正常開通時，是在飽和區(qū)進行工作的；但當IGBT 和 SiC MOSFET在開通過程中，發(fā)生過流或者上下管短路的時候，電流便會急劇增大，就會退出飽和區(qū)，VCE也隨之增大，如果不及時關(guān)斷IGBT 和 SiC MOSFET，則會導(dǎo)致管子損壞或者使用壽命變短。

NSi68515 通過DESAT 引腳檢測管子的VCE 電壓來判斷管子短路和過流，當檢測到管子異常后，能夠快速關(guān)斷管子，防止管子損壞。此外，NSi68515 DESAT引腳內(nèi)部還做了濾波處理，防止系統(tǒng)誤觸發(fā)。

下面是NSi68515觸發(fā)保護時的時序圖，保護時間比行業(yè)內(nèi)常見的帶保護功能的光耦隔離驅(qū)動IC快一倍，可以大大提高管子的魯棒性。

NSi68515產(chǎn)品選型表

審核編輯：劉清