91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

威邁斯IPO上市關(guān)注:高耐壓的碳化硅將成為車企的新選擇

一人評論 ? 來源:一人評論 ? 作者:一人評論 ? 2023-03-21 14:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

業(yè)內(nèi)周知,碳化硅材料具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高等性質(zhì),相比硅基IGBT,碳化硅元器件體積更小、頻率更高、開關(guān)損耗更小,可以使電驅(qū)動系統(tǒng)在高壓、高溫下保持高速穩(wěn)定運(yùn)行(硅基IGBT只能在200℃以下的環(huán)境中工作)。

得益于優(yōu)異的產(chǎn)品性能,近年來,特斯拉等企業(yè)與威邁斯等第三方零部件供應(yīng)商紛紛開始采用碳化硅電控。

在汽車上的應(yīng)用,2021年奧迪e-tronGT與福特MachE、特斯拉ModelS等新車型紛紛采用了碳化硅器件。2021年10月,通用汽車與Wolfspeed簽訂了碳化硅供應(yīng)協(xié)議,在原材料上搶先布局。國內(nèi)車企也不斷布局碳化硅,例如比亞迪發(fā)布了碳化硅車系平臺e-Platform3.0。

在威邁斯等第三方零部件供應(yīng)商上的應(yīng)用,可以從威邁斯IPO招股書中得出結(jié)論。根據(jù)威邁斯IPO招股書披露,威邁斯早前便已使用高耐壓的碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET,使得MOSFET器件數(shù)量大幅縮減,從而減小了產(chǎn)品的體積和重量,并提升了產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率。

除了電機(jī)控制器外,碳化硅器件在OBC、DC/DC、無線充電等“小三電”中也有應(yīng)用。例如,欣銳科技早于2013年正式將Wolfspeed的碳化硅方案應(yīng)用于OBC產(chǎn)品,2021年為比亞迪DMi車型提供碳化硅電源類產(chǎn)品。

目前制約碳化硅器件應(yīng)用的主要因素為成本,伴隨著未來碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展完善,相關(guān)器件應(yīng)用滲透率將穩(wěn)步提升,車企與威邁斯等第三方零部件供應(yīng)商生產(chǎn)成本將進(jìn)一步降低。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    4164

    瀏覽量

    41125
  • 威邁斯
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    120

    瀏覽量

    675
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    功率密度碳化硅MOSFET軟開關(guān)三相逆變器損耗分析

      相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅
    發(fā)表于 10-11 15:32 ?38次下載

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電動汽?(EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1794次閱讀

    派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部訂單

    近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國際頂尖
    的頭像 發(fā)表于 09-10 17:32 ?1343次閱讀

    碳化硅功率器件的基本特性和主要類型

    隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的半導(dǎo)體材料,正在快速崛起。SiC以其優(yōu)異的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和抗輻射性,成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中不可或缺的重要組成部分。本文將探討
    的頭像 發(fā)表于 09-03 17:56 ?1631次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1672次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    的不同,碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有電阻率(電阻率≥10^5Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底。02
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1198次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?1936次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS驅(qū)動電壓如何<b class='flag-5'>選擇</b>

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的
    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:13 ?1049次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1275次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1439次閱讀

    先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

    本文聚焦于先進(jìn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、耐壓、高頻率和
    的頭像 發(fā)表于 04-08 11:40 ?1907次閱讀
    先進(jìn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

    派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會——汽車動力系統(tǒng)技術(shù)展覽會圓滿落幕,本次會上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1893次閱讀

    碳化硅器件選型需要考慮哪些因素

    隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等應(yīng)用中成為優(yōu)選方案。本文將探討
    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:59 ?1213次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?1017次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?