據(jù)悉，主營氮化鎵的半導(dǎo)體晶圓片及芯片研發(fā)商英諾賽科（蘇州）科技有限公司在去年2月完成近30億元D輪融資，由鈦信資本領(lǐng)投，毅達(dá)資本、孩童創(chuàng)新、賽富高鵬、中比基金、招證投資等機(jī)構(gòu)跟投。英諾賽科及關(guān)聯(lián)公司目前有230余件專利申請(qǐng)，其專利布局主要集中于氮化鎵、功率器件相關(guān)領(lǐng)域。

近日，在深圳福田會(huì)展中心舉辦的電源展會(huì)上，英諾賽科帶來的全線的氮化鎵產(chǎn)品亮相。高壓器件從650V提升到700V，并且升級(jí)了40V/100V/150V平臺(tái)。針對(duì)消費(fèi)類、服務(wù)器、儲(chǔ)能和汽車這些氮化鎵的潛在應(yīng)用市場，英諾賽科有哪些市場趨勢前瞻和亮點(diǎn)產(chǎn)品。英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān)鄒艷波發(fā)表了精彩的市場前瞻和產(chǎn)品矩陣介紹。

從消費(fèi)電子、服務(wù)器到汽車領(lǐng)域，氮化鎵全系列產(chǎn)品展示

作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，氮化鎵（GaN）主要有三個(gè)特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。其運(yùn)行速度比舊式傳統(tǒng)硅(Si)技術(shù)能快了一百倍，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。氮化鎵可幫助設(shè)備提高能效并降低系統(tǒng)成本，可用于消費(fèi)產(chǎn)品和工業(yè)級(jí)應(yīng)用，如服務(wù)器、電信基礎(chǔ)設(shè)施、無線充電、音頻、適配器以及充電器等。

在英諾賽科的展位上，記者看到英諾賽科技展出的Solid GaN 合封產(chǎn)品 100V高集成半橋氮化鎵芯片ISG3201, 650V的半橋氮化鎵芯片 ISG6252等，這些芯片能夠簡化外圍電路，大幅度降低驅(qū)動(dòng)回路和功率回路的寄生電感，減少占板面積（vs Si），讓系統(tǒng)效率更高，并有效降低溫升。

此外，行業(yè)首創(chuàng)的雙向?qū)óa(chǎn)品VGaN系列，采WLCSP 封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)以一替二（Si），并成功導(dǎo)入到oppo/realme等手機(jī)主板，節(jié)省手機(jī)PCBA空間，降低手機(jī)充電溫度。

在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器領(lǐng)域，英諾賽科還展示了鈦金級(jí)2kW PSU電源和4kW PFC電源，超高功率密度420W/600W/1kW的DCDC模塊電源；在汽車電子領(lǐng)域，英諾賽科展示了應(yīng)用氮化鎵芯片的首諾信PD車載充電器產(chǎn)品，激光雷達(dá)、2.4 kW 48V雙向DCDC電源模塊、1kW 電機(jī)驅(qū)動(dòng)、150W車載/筆電車充等方案，助力低碳出行。

構(gòu)建氮化鎵器件成本優(yōu)勢 應(yīng)用從消費(fèi)電子向數(shù)據(jù)中心和汽車擴(kuò)展

英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān)鄒艷波表示，氮化鎵能夠助推能源電子往高頻、低碳、集成化方向不斷發(fā)展，為數(shù)字化與碳中和時(shí)代賦能。

據(jù)悉，英諾賽科8英寸晶圓產(chǎn)線于2019年開始大規(guī)模生產(chǎn)，2021年，這家公司成為全球最大的8英寸硅基GaN量產(chǎn)的企業(yè)。目前，其珠海基地氮化鎵晶圓產(chǎn)能達(dá)到4000片/月，蘇州基地產(chǎn)能達(dá)到6000片/月，合計(jì)供應(yīng)超過全球50%以上氮化鎵產(chǎn)能。

“英諾賽科一直在布局氮化鎵芯片的成本競爭力。我們基于8英寸晶圓的先進(jìn)平臺(tái)，單片晶圓器件數(shù)量增加80%，單器件成本下降30%。英諾賽科在蘇州和珠海的產(chǎn)能合計(jì)每月產(chǎn)能可以達(dá)到1萬片以上?；谟⒅Z賽科的成本優(yōu)勢，在去年整體行情不好的情況下，我們的8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億?！?鄒艷波表示。

數(shù)字化浪潮的發(fā)展離不開數(shù)據(jù)中心的支撐，但是數(shù)據(jù)中心的能耗比較大，預(yù)計(jì)到2030年數(shù)據(jù)中心的耗電量將達(dá)到3000TWhr。相當(dāng)于全球能耗的10%。 高功率密度服務(wù)器成為了建設(shè)高密度數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵，“數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域會(huì)成為氮化鎵的下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)，這些環(huán)節(jié)都是氮化鎵能夠施展其優(yōu)勢的地方?！编u艷波指出。

圖：英諾賽科在數(shù)據(jù)中心的全系列產(chǎn)品

要想滿足未來社會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)中心的功率需求，我們需要的不僅是數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的變革，還需要核心材料的迭代。 因此，基于GaN開發(fā)的下一代數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)將是大勢所趨。英諾賽科設(shè)計(jì)了全鏈路GaN解決方案，涵蓋AC-DC（PFC）、DC-DC（400V-48V）、DC-DC（48V-12V）、DC-DC（12V-1V），為數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高功率密度、更高的動(dòng)態(tài)響應(yīng)而助力。

在電動(dòng)汽車應(yīng)用領(lǐng)域，英諾賽科珠海工廠已通過汽車認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在2024年生產(chǎn)用于汽車應(yīng)用的8英寸硅基GaN器件。

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