引言

本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在艙內(nèi)側(cè)，包括通過(guò)加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過(guò)將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過(guò)向通過(guò)加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部。

因此，本發(fā)明除除氣體工藝時(shí)存在于晶片上的水分等異物外，還去除晶片上多余的金屬氧化膜，從而在包括銅種子沉積工藝在內(nèi)的金屬劈裂工藝之前，省略為去除金屬氧化膜的等離子膜蝕刻等其他工藝，從而增大半導(dǎo)體元件的收率。在滴氣工藝中，即使有l(wèi)eak引起的大氣進(jìn)入，也能防止金屬氧化膜的形成，從而具有減少半導(dǎo)體元件不良率的效果。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

半導(dǎo)體元件的滴氣工藝

在用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室方面，晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在上述艙內(nèi)側(cè)；一種加熱手段，通過(guò)加熱所述晶片激活所述晶片上殘存的雜質(zhì)，一個(gè)真空抽吸部，用于將所述艙內(nèi)部的氣體抽吸至真空中，以使所述晶片上活化的雜質(zhì)排出外部；包括通過(guò)向由上述加熱手段加熱的上述室提供氫氣來(lái)去除上述晶片上的金屬氧化膜的供氫部，所述艙，用于制造半導(dǎo)體元件的排氣艙，其特征是，在位于所述晶片下部的晶片舞臺(tái)上，形成將從所述氫氣供應(yīng)部供應(yīng)的氫氣分配供應(yīng)到所述晶片的周?chē)?yīng)的分配供應(yīng)路。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

在制造半導(dǎo)體元件的滴氣工藝方面，包括在滴氣室加載晶片的步驟，一種用于制造半導(dǎo)體元件的氣體工藝，該工藝包括通過(guò)在真空狀態(tài)下加熱所述氣體室而將所述晶片中殘存的異物排出外部的步驟，以及通過(guò)向所述加熱的氣體室提供氫氣而去除所述晶片上的金屬氧化膜的步驟。

圖2是圖示用于根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例制造半導(dǎo)體元件的滴氣室的結(jié)構(gòu)圖；用于制造本<38>實(shí)施例所述半導(dǎo)體元件的滴氣室與前一實(shí)施例一樣，在室內(nèi)的大海上置備用于支持通過(guò)出入口加載的晶片(W)的多個(gè)支撐銷(xiāo)，同時(shí)在室內(nèi)側(cè)設(shè)置加熱手；通過(guò)真空吸入管將室內(nèi)部的氣體吸入真空的真空吸入部和向室提供氫氣的氫氣供給部分別設(shè)置。根據(jù)溫度傳感器的溫度，控制部通過(guò)開(kāi)關(guān)閥的控制來(lái)控制供氫部，該開(kāi)關(guān)閥使供氫管開(kāi)關(guān)。（江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司）

江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備，晶圓清潔設(shè)備，RCA清洗機(jī)，KOH腐殖清洗機(jī)等設(shè)備的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和維護(hù)。

審核編輯黃宇