1 同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器

PN結(jié)由同一種半導(dǎo)體材料構(gòu)成，P區(qū)、N區(qū)具有相同的帶隙、接近相同的折射率，如圖6示

圖6 同質(zhì)結(jié)

同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器是一種不理想的光源，主要表現(xiàn)在：閾值電流高、損耗大、不同在室溫下連續(xù)工作。

2 異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器

異質(zhì)結(jié)由晶格常數(shù)不同的兩種材料構(gòu)成的PN結(jié)，分為單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)和多異質(zhì)結(jié)，如圖2.7所示。常用的異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器材料體系有：GaAs/AlxGa1-xAs和InP/Ga1-xInxAs1-yIny。

圖7異質(zhì)結(jié)

單異質(zhì)結(jié)激光器的閾值電流比同質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器小若干，但仍較高，常用作脈沖器件。

雙異質(zhì)結(jié)激光器的有源區(qū)載流子濃度大，增益高；且折射率遠大于其相鄰包圍層的折射率，光波導(dǎo)效應(yīng)顯著，傳輸損耗小。雙異質(zhì)結(jié)激光器的閾值電流密度小，可實現(xiàn)室溫連續(xù)運轉(zhuǎn)。

3 分布反饋布拉格(DFB)半導(dǎo)體激光器

利用特殊微電子工藝將激活層沒光傳播方向做成周期性的波紋光柵結(jié)構(gòu)，其腔內(nèi)的光反饋利用波紋光柵的布拉格衍射而建立，不再用解理面做光反饋，如圖8(a)所示。

波紋光柵是由于材料折射率周期性變化而形成的，它為受激光輻射產(chǎn)生的光子提供周期性的反射點。如圖8(b)所示，由有源區(qū)發(fā)出的光，從一個方向向另一個方向傳播時，一部分在光柵波紋峰反射，另一部分繼續(xù)向前傳播，在鄰近的光柵波紋峰反射，如果兩束反射光相互疊加，就會產(chǎn)生更強的反饋，而其他波長的光將相互抵消。所有波紋峰產(chǎn)生的反饋光產(chǎn)生激光振蕩。

圖8 DFB半導(dǎo)體激光器

分布反饋布拉格半導(dǎo)體激光器具有以下優(yōu)點：

a. 單縱模振蕩。

利用光柵實現(xiàn)選頻，可以很容易實現(xiàn)單縱模。

b. 窄線寬，波長穩(wěn)定性好。

c. 動態(tài)譜線好。

高速調(diào)制時，分布反饋布拉格半導(dǎo)體激光器的譜線展寬比F-P激光器的小，且仍能保持單模特性。

d. 線性度好。

4 量子阱半導(dǎo)體激光器

兩個高勢能的阱壁夾住一個低勢能阱底就構(gòu)成一個勢阱，減小有源層的厚度，出現(xiàn)載流子能量的量子化，發(fā)生量子效應(yīng)，如圖9所示。

圖9單量子阱

單量子阱只有一個勢阱，多量子阱的結(jié)構(gòu)中包含多個周期性的量子阱，注入載流子可被各量子阱收集。量子阱激光器的特點：閾值電流低，輸出功率高，溫度穩(wěn)定性好，線寬窄，調(diào)制速度高，可通過改變阱寬來改變激光器的發(fā)射波長。

圖10是2013年德國一家研究所推出的以1mm長雙量子阱AlGaAs為放大芯片，通過體布拉格光柵形成外腔反饋獲得的780.24nm的基模輸出，輸出功率為120 mW，線寬為54kHz。

圖 10雙量子阱AlGaAs窄線寬激光器

分析可知，量子阱激光器可產(chǎn)生窄線寬、高功率的激光輸出。

圖 11所示結(jié)構(gòu)是以單量子阱GaAsP作為有源區(qū)，LD芯片長3.9mm，輸入端面和輸出端面的反射率分別為0.9和10-4，以體布拉格光柵最為外腔反饋元件，獲得最大輸出功率為380mW，線寬為18 kHz的780nm激光輸出。

圖 11單量子阱GaAsP窄線寬激光器

作為閃光燈泵浦型Nd: YAG固體激光器，Ultra具有一般科研型激光器所不具備的高強度。Ultra通過了整夜的高低溫循環(huán)老化測試。運輸前還會再次測試，來確保交付時仍處于良好準(zhǔn)直狀態(tài)，以備隨時使用。

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● 便攜，結(jié)構(gòu)緊湊

● 高斯分布 (GRM ) / 多模 (穩(wěn)定) 諧振腔

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應(yīng)用方向：

審核編輯黃宇