PCSEL的優(yōu)勢和結構
1、PCSEL的優(yōu)勢
PCSEL的第一個顯著優(yōu)勢是單器件單模條件下可以實現(xiàn)高功率和高光束質量激光。目前有文獻在940 nm波長實現(xiàn)大于29W的功率輸出，還有文獻理論分析可以實現(xiàn)大于1000W功率輸出。
第二個優(yōu)勢是波長廣，有在GaN基上實現(xiàn)430nm波長激射[3]，有在GaAs基上實現(xiàn)940 nm波長激射，還有在InP基上實現(xiàn)1.3μm波長激射。
有人會關心PCSEL能不能高速調(diào)制，答案是可以，文獻[7]中上限大約到1.5GHz。
下面EEL、VCSEL、PCSEL各自優(yōu)勢的對比與總結：
2、PCSEL的結構
PCSEL的外延結構和DFB的外延結構類似，如下圖(a)所示，然后把DFB里的一維光柵替換為二維光子晶體，如下圖(b)所示。PCSEL采用的二維光子晶體結構可以同時實現(xiàn)水平諧振腔和豎直出光。
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