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為下一代工業(yè)自動(dòng)化控制器構(gòu)建高通道密度數(shù)字IO模塊

analog_devices ? 來(lái)源:未知 ? 2023-05-29 21:05 ? 次閱讀
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目前有很多文章都在介紹工業(yè)4.0,智能傳感器在工廠環(huán)境中也日益普及(我和其他作者都寫(xiě)過(guò)這些話題)。雖然我們都注意到,在工廠、加工廠甚至一些新構(gòu)建的自動(dòng)化系統(tǒng)中,傳感器的使用明顯增加,但廣泛使用的傳感器也帶來(lái)一個(gè)重要變化,就是需要在這些舊款控制器內(nèi)處理大量IO。這些IO可能是數(shù)字IO或模擬IO。這就需要構(gòu)建存在尺寸和熱量限制的高密度IO模塊。

通常,PLC中的數(shù)字IO由分立式器件,例如電阻/電容或有獨(dú)立FET驅(qū)動(dòng)組成。為了盡可能減小控制器的尺寸,并且要求能夠處理2到4倍的通道數(shù),這些都促使從分立式方案向集成式方案轉(zhuǎn)變。

我們可以用整篇文章來(lái)闡述分立式方法的缺點(diǎn),尤其是每個(gè)模塊處理的通道數(shù)達(dá)到8個(gè)或以上的情況下,但只要說(shuō)到高熱量/功耗、數(shù)量龐大的分立式組件(從尺寸和平均故障間隔時(shí)間(MTBF)角度),以及需要可靠的系統(tǒng)規(guī)格,就已足以說(shuō)明分立式方法并不可行。

圖1顯示在構(gòu)建高密度數(shù)字輸入(DI)和數(shù)字輸出(DO)模塊時(shí)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。在DI和DO系統(tǒng)中,都需要考慮尺寸和散熱問(wèn)題。

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圖1. 數(shù)字輸入和輸出模塊的考量因素。

對(duì)于數(shù)字輸入,還需注意它支持不同的輸入類型,包括1/2/3類型的輸入,以及在某些情況下,支持24V和48V輸入。在所有情況下,可靠的工作特性非常重要,有時(shí),斷路檢測(cè)也至關(guān)重要。

對(duì)于數(shù)字輸出,系統(tǒng)使用不同的FET配置來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。驅(qū)動(dòng)電流的精度通常是一個(gè)重要的考量因素。在許多情況下,診斷也非常重要。

我們將探討集成解決方案如何幫助解決其中一些挑戰(zhàn)。

設(shè)計(jì)高通道密度數(shù)字輸入模塊

傳統(tǒng)的分立式設(shè)計(jì)使用電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)將24V/48V信號(hào)轉(zhuǎn)換為微控制器可以使用的信號(hào)。前端也可以使用分立式RC濾波器。如果需要隔離,有時(shí)會(huì)使用外部光耦合器。

圖2顯示構(gòu)建數(shù)字輸入電路的一種典型的離散方法。

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圖2. 數(shù)字輸入和輸出模塊的考量因素。

這種類型的設(shè)計(jì)適合一定數(shù)量的數(shù)字輸入;即每個(gè)板4到8個(gè)。超過(guò)這個(gè)數(shù)字,這種設(shè)計(jì)很快會(huì)變得不實(shí)用。這種分立式方案會(huì)帶來(lái)各種問(wèn)題,包括:

  • 高功耗和相關(guān)的板高溫點(diǎn)。

  • 每個(gè)通道需要一個(gè)光耦合器。

  • 部件過(guò)多會(huì)導(dǎo)致FIT率低,甚至需要更大的器件。

更重要的是,分立式設(shè)計(jì)方法意味著輸入電流隨輸入電壓呈線性增加。假設(shè)采用一個(gè)2.2K?輸入電阻和24V VIN。當(dāng)輸入為1,例如,在24V時(shí),輸入電流為11mA,相當(dāng)于功耗為264mW。8通道模塊的功耗大于2W,32通道模塊的功耗大于8W。參見(jiàn)下方的表1:

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表1.使用分立式邏輯構(gòu)建的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功耗

單從散熱角度,這個(gè)分立式設(shè)計(jì)無(wú)法支持單個(gè)板上的多個(gè)通道。

集成式數(shù)字輸入設(shè)計(jì)的最大優(yōu)勢(shì)之一在于顯著降低功耗,從而減少散熱。大多數(shù)集成式數(shù)字輸入器件允許可配置的輸入電流限制,以顯著降低功耗。

當(dāng)限流值設(shè)置為2.6mA時(shí),功耗顯著降低,每個(gè)通道約為60mW。8通道數(shù)字輸入模塊的額定值現(xiàn)在可以設(shè)置為低于0.5瓦,如下方的表2所示:

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表2.使用集成式DI芯片的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功率節(jié)省。

反對(duì)使用分立式邏輯設(shè)計(jì)的另一個(gè)原因是:有時(shí)DI模塊必須支持不同類型的輸入。IEC公布的標(biāo)準(zhǔn)24V數(shù)字輸入規(guī)格分為1型、2型和3型。1型和3型通常組合使用,因?yàn)槠潆娏骱烷撝迪拗刀挤浅O嗨啤?型具有6mA限流值,要更高一些。采用分立式方法時(shí),可能需要重新設(shè)計(jì),因?yàn)榇蟛糠址至⒅刀夹枰隆?/span>

但是,集成式數(shù)字輸入產(chǎn)品通常支持所有這三種類型。從本質(zhì)看,1型和3型一般受到集成式數(shù)字輸入器件支持。但是,為了滿足2型輸入最低6mA的電流要求,我們需要針對(duì)一個(gè)現(xiàn)場(chǎng)輸入并聯(lián)使用兩個(gè)通道。而且只調(diào)節(jié)限流值電阻。這需要進(jìn)行電路板變更,但變更很小。

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圖3 .采用分立式邏輯的傳統(tǒng)數(shù)字輸入設(shè)計(jì)。

例如,當(dāng)前 ADI的DI器件的限流值為3.5mA/通道。所以,如圖所示,我們并聯(lián)使用兩個(gè)通道,如果系統(tǒng)必須接入2型輸入,則調(diào)節(jié)REFDI電阻和RIN電阻。對(duì)于一些較新的部件,我們也可以使用引腳或通過(guò)軟件來(lái)選擇電流值。

要支持48V數(shù)字輸入信號(hào)(不是常見(jiàn)要求),需要使用類似流程,必須添加一個(gè)外部電阻來(lái)調(diào)節(jié)現(xiàn)場(chǎng)一端的電壓閾值。設(shè)置此外部電阻的值,使得引腳的限流值* R +閾值滿足現(xiàn)場(chǎng)一端的電壓閾值規(guī)范(參見(jiàn)器件數(shù)據(jù)手冊(cè))。

最后,由于數(shù)字輸入模塊與傳感器連接,因此設(shè)計(jì)必須符合可靠的工作特性要求。當(dāng)使用分立式方案時(shí),必須仔細(xì)設(shè)計(jì)這些保護(hù)功能。選擇集成式數(shù)字輸入器件時(shí),確保根據(jù)行業(yè)規(guī)范確定以下各項(xiàng):

  • 寬輸入電壓范圍(例如,高達(dá)40V)。

  • 能夠使用現(xiàn)場(chǎng)電源(7V至65V)。

  • 能夠承受高ESD(±15kV ESD氣隙)和浪涌(一般為1KV)。

提供過(guò)電壓和過(guò)溫診斷也非常有用,以便MCU采取合適的操作。

設(shè)計(jì)高通道密度數(shù)字輸出模塊

典型的分立式數(shù)字輸出設(shè)計(jì)具有一個(gè)帶驅(qū)動(dòng)電路的FET,由微控制器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)??梢允褂貌煌姆椒▉?lái)配置FET,以驅(qū)動(dòng)微控制器。

高端負(fù)載開(kāi)關(guān)的定義是:它由外部使能信號(hào)控制,并連接或斷開(kāi)電源與給定負(fù)載的連接。與低端負(fù)載開(kāi)關(guān)相比,高端開(kāi)關(guān)為負(fù)載提供電流,而低端開(kāi)關(guān)連接或斷開(kāi)負(fù)載的接地連接,從負(fù)載獲取電流。雖然它們都使用單個(gè)FET,但低端開(kāi)關(guān)的問(wèn)題在于:負(fù)載與接地之間可能短路。高端開(kāi)關(guān)保護(hù)負(fù)載,防止接地短路。但是低端開(kāi)關(guān)的實(shí)現(xiàn)成本更低。有時(shí),輸出驅(qū)動(dòng)器也配置為推挽開(kāi)關(guān),需要兩個(gè)MOSFET。參見(jiàn)下方的圖4。

集成式DO器件可以將多個(gè)DO通道集成到單個(gè)器件中。由于高端、低端和推挽開(kāi)關(guān)使用的FET配置不同,因此可使用不同的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)每種類型的輸出驅(qū)動(dòng)器。

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圖4. 使用分立式邏輯構(gòu)建的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功耗。

感性負(fù)載的內(nèi)置消磁

集成式數(shù)字輸出器件的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一是器件本身內(nèi)置感性負(fù)載消磁功能。

感性負(fù)載是任何包含線圈的器件,在通電后,通常執(zhí)行一些機(jī)械工作,例如電磁閥、電機(jī)和執(zhí)行器。電流引起的磁場(chǎng)可以移動(dòng)繼電器或接觸器中的開(kāi)關(guān)觸點(diǎn),以操作電磁閥,或旋轉(zhuǎn)電機(jī)的軸。大多數(shù)情況下,工程師使用高端開(kāi)關(guān)來(lái)控制感性負(fù)載,挑戰(zhàn)在于,當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi),電流不再流入負(fù)載時(shí),如何給電感放電。不當(dāng)放電導(dǎo)致的負(fù)面影響包括:繼電器觸點(diǎn)可能拉弧、很大的負(fù)電壓尖峰損壞敏感型IC,以及產(chǎn)生高頻噪聲或EMI,進(jìn)而影響系統(tǒng)性能。

在分立式方案中,對(duì)感性負(fù)載進(jìn)行放電的最常見(jiàn)解決方案就是使用續(xù)流二極管。在本電路中,當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),二極管被反向偏置且不導(dǎo)電。當(dāng)開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí),通過(guò)電感的負(fù)電源電壓會(huì)使二極管正向偏置,從而通過(guò)引導(dǎo)電流通過(guò)二極管的方式使存儲(chǔ)能量衰減,直至達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)且電流為零。

對(duì)于許多應(yīng)用,特別是工業(yè)行業(yè)中每個(gè)IO卡具有多個(gè)輸出通道的應(yīng)用,該二極管通常尺寸很大,會(huì)導(dǎo)致成本和設(shè)計(jì)尺寸大幅增加。

現(xiàn)代數(shù)字輸出器件使用一種主動(dòng)箝位電路在器件內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一功能。例如,ADI采用一項(xiàng)獲取專利的安全消磁(SafeDemag)功能,允許數(shù)字輸出器件在不受電感限制的情況下安全關(guān)閉負(fù)載。

在選擇數(shù)字輸出器件時(shí),需要考慮多個(gè)重要因素。應(yīng)仔細(xì)考慮數(shù)據(jù)手冊(cè)中的以下規(guī)格:

  • 查看最大連續(xù)電流額定值,并確保在需要時(shí)可以并聯(lián)多個(gè)輸出,以獲得更高電流的驅(qū)動(dòng)器。

  • 確保輸出器件能驅(qū)動(dòng)多個(gè)高電流通道(超過(guò)溫度范圍)。參考數(shù)據(jù)手冊(cè),確保導(dǎo)通電阻、電源電流和熱電阻值盡可能低。

  • 輸出電流驅(qū)動(dòng)精度規(guī)格也很重要。

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圖5. 使用集成式DI芯片的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功率節(jié)省。

要從一些超出范圍的工作條件下恢復(fù),診斷信息就非常重要。首先,您希望獲取每個(gè)輸出通道的診斷信息。其中包括溫度、過(guò)電流、開(kāi)路和短路。從整體(芯片)來(lái)看,重要診斷包括熱關(guān)斷、VDD欠壓和SPI診斷。在集成式數(shù)字輸出器件中查找部分或所有這些診斷。

編程數(shù)字輸入/輸出器件

通過(guò)在IC上集成DI和DO,就能構(gòu)建可配置產(chǎn)品。這是一個(gè)4通道產(chǎn)品示例,可以配置為輸入或輸出。

它有一個(gè)DIO內(nèi)核,這意味著可以在高端或推挽模式下將單個(gè)通道配置為DI(1/3型或2型)或數(shù)字輸出。DO上的限流值可以設(shè)置為130mA至1.2A。內(nèi)置消磁功能。要在1/3型或2型數(shù)字輸入之間切換,我們只需設(shè)置一個(gè)引腳,無(wú)需使用外部電阻。

這些器件不僅易于配置,而且堅(jiān)固耐用,可在工業(yè)環(huán)境中工作。這意味著高ESD,提供高達(dá)60V的電源電壓保護(hù)和線路接地浪涌保護(hù)。

這是一個(gè)可能完全不同產(chǎn)品(可配置的DI/DO模塊)的示例,可通過(guò)集成式方法實(shí)現(xiàn)。

結(jié)論

在設(shè)計(jì)高密度數(shù)字輸入或輸出模塊時(shí),明顯可以看出,當(dāng)通道密度超過(guò)一定數(shù)量時(shí),分立式方案毫無(wú)意義。從散熱、可靠性和尺寸方面考慮,必須仔細(xì)考慮集成式器件選項(xiàng)。在選擇集成式DI或DO器件時(shí),必須注意一些重要的數(shù)據(jù)要點(diǎn),包括可靠的工作特性、診斷、支持多種輸入-輸出配置。


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    恩智浦NAFE3系列新<b class='flag-5'>一代</b>可配置模擬前端,如何重塑<b class='flag-5'>工業(yè)</b><b class='flag-5'>自動(dòng)化</b>?

    宜科電子全新IO-Link信號(hào)集線器助力工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)

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    什么是IO控制器IO控制器(輸入輸出控制器)是現(xiàn)代工業(yè)
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