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高磁場型霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)JH60B的技術(shù)參數(shù)

jf_25290413 ? 來源:jf_25290413 ? 作者:jf_25290413 ? 2023-06-15 10:59 ? 次閱讀
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產(chǎn)品概述:

本儀器系統(tǒng)由:電磁鐵、電磁鐵電源高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的 JH10效應(yīng)儀將恒流源,六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體,大大減化了實驗的連線與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到,可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(HallCoefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 此處只列出系統(tǒng)的主要技術(shù)指標(biāo)。

可測試材料:

半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等;

低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等;

高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技術(shù)指標(biāo):

* 磁 場:10mm 間距為 2T ,20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流:0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測量電壓:0.1uV~30V ▲ 提供各類測試標(biāo)準(zhǔn)材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)

**小分辨率:0.1GS

* 磁場范圍:0-1T

* 配合高斯計或數(shù)采板可計算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)的變化曲線

* 電阻率范圍:5*10-5~5*102Ω.cm

* 電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度:5*1012~51*1020cm-3

*霍爾系數(shù):±1*10-2~±1*106cm3/C

* 遷移率:0.1~108 cm 2 /volt*sec

*測試全自動化,一鍵處理

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審核編輯黃宇


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