附錄A 4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
附錄A 4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離
附錄
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
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發(fā)表于 03-12 11:31
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