MOS管由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于壓控半導體器件，具有輸入電阻高10^7~10^12Ω)、低噪聲、低功耗、動態(tài)范圍大、易集成、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。

??1)用N溝道或P溝道?

??選擇一個好的MOS晶體管器件的是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。當MOS管連接到總線并且負載接地時，就使用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOS管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。

??2)確定MOS管的額定電流

??額定電流應(yīng)該是負載在任何情況下都能承受的最大電流。與電壓情況類似，即使系統(tǒng)產(chǎn)生峰值電流，也要確保所選的MOS晶體管能夠承受此額定電流。??3)選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求。

??必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用最壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供了更大的安全裕度，可以保證系統(tǒng)不會出現(xiàn)故障。

??4)選擇MOS管的關(guān)鍵一步是確定MOS管的開關(guān)性能。

??影響開關(guān)性能的參數(shù)很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源極和漏極/源極電容。這些電容會導致器件的開關(guān)損耗，因為每次開關(guān)時都要充電。

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