10.5.1 三維互連工藝∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
3D Interconnect Technology
審稿人：清華大學(xué) 王喆壵
https://www.tsinghua.edu.cn
審稿人：北京大學(xué) 張興 蔡一茂
https://www.pku.edu.cn
10.5 新型集成與互聯(lián)
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5452文章
12572瀏覽量
374572
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
集成電路制造中薄膜生長(zhǎng)工藝的發(fā)展歷程和分類
薄膜生長(zhǎng)是集成電路制造的核心技術(shù)，涵蓋PVD、CVD、ALD及外延等路徑。隨技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，工藝持續(xù)提升薄膜均勻性、純度與覆蓋能力，支撐銅互連、高k柵介質(zhì)及應(yīng)變器件發(fā)展。未來(lái)將聚焦低溫沉積、三維
【「芯片設(shè)計(jì)基石——EDA產(chǎn)業(yè)全景與未來(lái)展望」閱讀體驗(yàn)】--全書概覽
國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)EDA行業(yè)領(lǐng)頭羊一員，以實(shí)事求是、開拓創(chuàng)新，積極進(jìn)取精神 向讀者展現(xiàn)講解，也是在激勵(lì)集成電路EDA產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展壯大，勇立潮頭。
發(fā)表于 01-18 17:50
一文讀懂 | 三維視覺領(lǐng)域國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍——先臨三維的品牌布局
先臨三維科技股份有限公司成立于2004年，是三維視覺領(lǐng)域國(guó)家級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍、國(guó)家專精特新“小巨人”企業(yè)。公司專注于高精度三維視覺軟、硬件的研發(fā)和應(yīng)用，致力于成為具有全球影響力的三維視
淺談三維集成封裝技術(shù)的演進(jìn)
在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，堆疊技術(shù)作為推動(dòng)高集成度與小型化的核心趨勢(shì)，正通過垂直堆疊芯片或封裝實(shí)現(xiàn)更緊湊的封裝尺寸及優(yōu)化的電氣性能——其驅(qū)動(dòng)力不僅源于信號(hào)傳輸與功率分布路徑的縮短，更體現(xiàn)在對(duì)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）與三維集成（3D IC）的
?三維集成電路的TSV布局設(shè)計(jì)
在三維集成電路設(shè)計(jì)中，TSV（硅通孔）技術(shù)通過垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能，但其物理尺寸效應(yīng)與寄生參數(shù)對(duì)互連特性的影響已成為設(shè)計(jì)優(yōu)化的核心挑戰(zhàn)。
構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長(zhǎng)分布模型
在三維集成電路設(shè)計(jì)中，TSV技術(shù)通過垂直互連顯著優(yōu)化了互連線長(zhǎng)分布特性?；趥愄囟傻慕?jīng)典分析框架，可構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的
基于TSV的三維集成電路制造技術(shù)
三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復(fù)雜度提升而發(fā)展，其核心目標(biāo)在于通過垂直堆疊芯片突破二維物理極限，同時(shí)滿足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。
一文詳解銅互連工藝
銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Damascene）
中國(guó)集成電路大全 接口集成電路
資料介紹本文系《中國(guó)集成電路大全》的接口集成電路分冊(cè)，是國(guó)內(nèi)第一次比較系統(tǒng)地介紹國(guó)產(chǎn)接口集成電路的系列、品種、特性和應(yīng)用方而知識(shí)的書籍。全書共有總表、正文和附錄
發(fā)表于 04-21 16:33
概倫電子集成電路工藝與設(shè)計(jì)驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)ME-Pro介紹
ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動(dòng)集成電路工藝與設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)，為集成電路設(shè)計(jì)、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供了一個(gè)共用平臺(tái)。
CMOS集成電路的基本制造工藝
本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點(diǎn)及其前后的變化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段工序詳解；0.18μmCMOS后段鋁互連
集成電路前段工藝的可靠性研究
在之前的文章中我們已經(jīng)對(duì)集成電路工藝的可靠性進(jìn)行了簡(jiǎn)單的概述，本文將進(jìn)一步探討集成電路前段工藝可靠性。
集成電路產(chǎn)業(yè)新地標(biāo) 集成電路設(shè)計(jì)園二期推動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能級(jí)提升
在2025海淀區(qū)經(jīng)濟(jì)社會(huì)高質(zhì)量發(fā)展大會(huì)上，海淀區(qū)對(duì)18個(gè)園區(qū)（樓宇）的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)空間及更新改造的城市高品質(zhì)空間進(jìn)行重點(diǎn)推介，誠(chéng)邀企業(yè)來(lái)海淀“安家”。2024年8月30日正式揭牌的集成電路設(shè)計(jì)園二期就是
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論