91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      NP4836高VGS耐壓，獨(dú)立雙N溝道MOS

      深圳市百盛新紀(jì)元半導(dǎo)體有限公司 ? 2022-05-07 16:23 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      NP4836高VGS耐壓，雙N溝道，獨(dú)立雙NMOS，采用SOP8封裝，

      TDM3478，F(xiàn)P6606C，F(xiàn)P6606AC ，F(xiàn)P6601Q，F(xiàn)P6601AA

      一級代理商，源頭貨源，可靠，優(yōu)勢， 可未稅/含稅，支持小批量量產(chǎn)，技術(shù)支持。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • NMOS
        +關(guān)注

        關(guān)注

        3

        文章

        401

        瀏覽量

        36853
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        選擇N-MOS還是P-MOS？

        （1）從電路結(jié)構(gòu)上看，低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS； （2）從成本和便利性上看，N溝道MOSFET選擇的型號多，物料成本低；P溝
        發(fā)表于 12-24 07:00

        合科泰TO-252封裝N溝道MOS管HKTD100N03的核心優(yōu)勢

        如BMS、電機(jī)控制、電力開關(guān)的12V系統(tǒng)對低內(nèi)阻MOS管的需求正增速增長，工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設(shè)計的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-252封裝的N溝道
        的頭像 發(fā)表于 11-26 09:44 ?884次閱讀
        合科泰TO-252封裝<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b>管HKTD100<b class='flag-5'>N</b>03的核心優(yōu)勢

        合科泰TOLL4封裝超結(jié)MOS管HKTS13N65的應(yīng)用場景

        溝道功率器件實(shí)現(xiàn)650伏耐壓與13安培連續(xù)電流的平衡，采用超結(jié)工藝讓VGS為10伏時的導(dǎo)通電阻低至300毫歐，比傳統(tǒng)平面MOS管顯著降低導(dǎo)通損耗。
        的頭像 發(fā)表于 11-26 09:42 ?748次閱讀
        合科泰TOLL4封裝超結(jié)<b class='flag-5'>MOS</b>管HKTS13<b class='flag-5'>N</b>65的應(yīng)用場景

        選型手冊：MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

        仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)
        的頭像 發(fā)表于 11-10 16:17 ?422次閱讀
        選型手冊：MOT2914J <b class='flag-5'>雙</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型 MOSFET

        選型手冊：MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

        仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場景。一、產(chǎn)
        的頭像 發(fā)表于 11-10 16:12 ?446次閱讀
        選型手冊：MOT3920J <b class='flag-5'>雙</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型 MOSFET

        ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)

        中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工
        的頭像 發(fā)表于 11-06 14:35 ?428次閱讀
        ZK40P80T：P<b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b>管中的<b class='flag-5'>高</b>功率性能擔(dān)當(dāng)

        中科微電ZK150G002P：高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破

        在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中，N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力，成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當(dāng)市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時，一款兼具150V
        的頭像 發(fā)表于 11-06 13:44 ?367次閱讀
        中科微電ZK150G002P：<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>耐壓</b>大電流<b class='flag-5'>N</b>溝槽<b class='flag-5'>MOS</b>管的性能突破

        MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

        一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET
        的頭像 發(fā)表于 10-24 11:14 ?474次閱讀
        MOT3910J <b class='flag-5'>雙</b> <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

        中科微電N溝道MOS管：ZK60N20DQ技術(shù)解析特性、應(yīng)用與設(shè)計指南

        在便攜式電子、物聯(lián)網(wǎng)、小型電機(jī)驅(qū)動等中小功率場景中，兼具低功耗、快速響應(yīng)與高可靠性的MOS管成為核心器件。ZK60N20DQ作為一款高性能N溝道增強(qiáng)型
        的頭像 發(fā)表于 09-29 17:45 ?885次閱讀
        中科微電<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b>管：ZK60<b class='flag-5'>N</b>20DQ技術(shù)解析特性、應(yīng)用與設(shè)計指南

        100V200V250V MOS管詳解 -HCK450N25L

        施加正電壓會使P型硅表面反型形成N型溝道；而對于PMOS管，柵極施加負(fù)電壓則使N型硅表面反型形成P型溝道。這種溝道的形成與調(diào)控機(jī)制，構(gòu)成了
        發(fā)表于 08-29 11:20

        100V15A點(diǎn)煙器N溝道MOS管HC070N10L

        N溝道MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制型器件，依靠N型半導(dǎo)體中的電子導(dǎo)電。當(dāng)柵極電壓超過閾值電壓時，源極與漏極之間形成導(dǎo)電
        發(fā)表于 06-27 17:35

        MOS管的工作原理：N溝道與P溝道的區(qū)別

        MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過電場效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止，廣泛應(yīng)用于放大、開關(guān)和信號處理等電路中。MOS管根據(jù)溝道類型的不同，主要分為
        的頭像 發(fā)表于 05-09 15:14 ?2883次閱讀
        <b class='flag-5'>MOS</b>管的工作原理：<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>與P<b class='flag-5'>溝道</b>的區(qū)別

        2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET規(guī)格書

        2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高
        發(fā)表于 04-29 18:14 ?0次下載

        2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計

        2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高
        發(fā)表于 04-27 16:59

        納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET

        NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝
        的頭像 發(fā)表于 03-21 15:33 ?966次閱讀
        納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>MOSFET