91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

100v p型mos管to252封裝UTT50P10參數(shù)

深圳市驪微電子科技 ? 2022-04-06 16:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOS管有兩種:一個是PMOS管,一個是NMOS管;Pmos管,漏極D接負極,源極S接正極,柵極G負電壓時,導電溝道建立,一般用于管理電源的通斷,屬于無觸點開關,柵極低電平就完全導通,高電平就完全截止。

image.php?url=YD_cnt_14_019sRWQ3QQqG

100v p型mos管UTT50P10特點

■ VDS= -100V

■ ID = -50A

■ RDS(ON) ≤ 60 m? @ VGS= -10V, ID= -20A

■ 開關速度快

100v p mos管參數(shù)

image.php?url=YD_cnt_14_019sRWZJgfpn

UTT50P10 100v p mos管是一個p通道功率MOSFET, 100v p型mos采用UTC工藝技術制造,具有較低的導通電阻和高切換速度,還可以在雪崩中承受高能量。

image.php?url=YD_cnt_14_019sRWSTFxCo

選擇MOS管時,需要根據(jù)電路設計需求及MOS管工作場所來選取合適的MOS管,從而獲得好的產品設計體驗,更多MOS的選型及100v p型mos管to252封裝UTT50P10 產品特性參數(shù)請向驪微電子申請。>>

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    貼片MOS100N03 TO-252規(guī)格書

    貼片MOS100N03 TO-252電流100A 30V
    發(fā)表于 12-04 17:12 ?0次下載

    合科泰TO-252封裝N溝道MOSHKTD100N03的核心優(yōu)勢

    如BMS、電機控制、電力開關的12V系統(tǒng)對低內阻MOS的需求正增速增長,工程師們迫切需要兼顧大電流承載與小型化設計的解決方案。而HKTD100N03這款采用TO-
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:44 ?872次閱讀
    合科泰TO-<b class='flag-5'>252</b><b class='flag-5'>封裝</b>N溝道<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>HKTD<b class='flag-5'>100</b>N03的核心優(yōu)勢

    30P06貼片MOS規(guī)格書

    30P06 TO-252貼片MOS規(guī)格書
    發(fā)表于 11-25 10:26 ?0次下載

    50N06 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    50N06 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-24 16:53 ?0次下載

    30N10 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    30N10 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-21 17:19 ?0次下載

    20P06S TO-252貼片MOS規(guī)格書

    20P06S TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-21 17:15 ?0次下載

    15N10 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    15N10 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-20 18:02 ?0次下載

    7N50 TO-252貼片MOS規(guī)格書

    7N50 TO-252貼片MOS
    發(fā)表于 11-20 18:00 ?0次下載

    HGK075N10L加濕器MOS應用方案 TO-252 100V15A

    HGK075N10L【TO-252、100V15A、VGS=20V、Vth=1.65V、75mR@10V
    發(fā)表于 11-17 14:04

    ZK100G325P深度應用解析:SGT工藝賦能的中低壓MOS大功率場景革新

    中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS,以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù),融合SGT(屏蔽柵晶體
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:53 ?1270次閱讀
    ZK<b class='flag-5'>100G325P</b>深度應用解析:SGT工藝賦能的中低壓<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>大功率場景革新

    中科微電ZK100G200P100V大電流MOS的性能突破與場景革命

    在功率半導體國產化浪潮中,ZK100G200P憑借“性能對標進口、成本更具優(yōu)勢”的特點,成為打破國際品牌壟斷的關鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 11:20 ?687次閱讀
    中科微電ZK<b class='flag-5'>100G200P</b>:<b class='flag-5'>100V</b>大電流<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的性能突破與場景革命

    支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOSHC025N10L高性價比高效率穩(wěn)定

    。 惠海半導體MOS包含20V 30V 40V 60V 1
    發(fā)表于 07-10 14:03

    DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS同步整流芯片

    。DK5V100R10VN采用PDFN5*6封裝。? 適用于反激 PSR、SSR 應用? 超低 V F? 超低溫升? 集成 100V 10m
    發(fā)表于 07-05 15:53 ?0次下載

    AP3P10MI 永源微100V p溝道增強模式MOSFET

    描述AP3P10MI采用先進的溝槽技術提供優(yōu)良的rds (ON),低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護或其他開關應用。一般特征vds = -100v I d = -3aR DS(ON) < 350mΩ
    發(fā)表于 06-30 09:46 ?0次下載

    合科泰TO-252封裝MOS介紹

    在功率器件領域,TO-252封裝MOS因緊湊尺寸與性價比優(yōu)勢成為工業(yè)場景的主流選擇。合科泰HKTD80N06通過單芯片工藝革新,在標準封裝
    的頭像 發(fā)表于 05-29 10:09 ?1739次閱讀
    合科泰TO-<b class='flag-5'>252</b><b class='flag-5'>封裝</b>的<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>介紹