9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》
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二、提升測(cè)量精度與分辨率
未來(lái)，碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)
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碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
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碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì)，在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下，打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸，直接促進(jìn)了新能源等
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
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EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì)：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
發(fā)表于 06-25 09:13
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發(fā)表于 03-12 11:31
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