PN8149通過(guò)Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調(diào)節(jié)模式混合技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。良好的EMI表現(xiàn)由頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證。該芯片還內(nèi)置智能高壓?jiǎn)?dòng)模塊。PN8149為需要超低待機(jī)功耗的高性價(jià)比反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)提供了一個(gè)先進(jìn)的實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，非常適合六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)、Eur2.0、能源之星的應(yīng)用。

PN8149電源IC小家電專(zhuān)用芯片特點(diǎn):
1. 待機(jī)功耗可顯著降低（小于50mW），因?yàn)镮C自身工作電流極小，且內(nèi)置高壓啟動(dòng)MOS管，IC啟動(dòng)之后自動(dòng)關(guān)閉啟動(dòng)管；
2. 無(wú)需高壓?jiǎn)?dòng)電阻和VDDG電阻，元件精簡(jiǎn)，且啟動(dòng)更快速（小于200ms），比普通高壓電阻啟動(dòng)快10倍。
3. EMI特性好，CE裕量大于8dB（無(wú)輸出共模電感），RE裕量大于5dB（無(wú)輸出共模電感）；
4. 內(nèi)置16級(jí)軟啟動(dòng)功能，更安全。
5. 內(nèi)置功率MOS管內(nèi)阻小（1.7-4Ω），同等輸出功率下的溫升更低。
6. 可承受任何外接元件的開(kāi)短路/反接破壞測(cè)試，包括CS短路保護(hù)，防止產(chǎn)線加工時(shí)CS電阻短路和其他元件異常而燒毀IC，提高產(chǎn)線直通率；很多競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品在CS短路后開(kāi)機(jī)必炸機(jī)。
7. 采用自主設(shè)計(jì)的高雪崩能力智能開(kāi)關(guān)MOSFET，在18W反激系統(tǒng)中去掉RCD/ AC264V下仍能正常工作不燒毀，可見(jiàn)該核心功率器件的耐沖擊強(qiáng)度。
8. 通過(guò)Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種混合調(diào)節(jié)模式技術(shù)，在適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)方案中，完全可滿足六級(jí)能效的四點(diǎn)平均效率標(biāo)準(zhǔn)（帶輸出線）。

驪微電子代理的PN8149內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET，專(zhuān)用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括周期式過(guò)流保護(hù)（外部可調(diào)）、過(guò)載保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。