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9.1.5 集電區(qū)中的大電流效應(yīng):飽和和準(zhǔn)飽和∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-14 11:20 ? 次閱讀
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9.1.5集電區(qū)中的大電流效應(yīng):飽和和準(zhǔn)飽和

9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)

第9章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

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    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?846次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 09-16 13:33 ?1897次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度測(cè)量<b class='flag-5'>中</b>的各向異性<b class='flag-5'>效應(yīng)</b>及其修正算法

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    的頭像 發(fā)表于 09-03 17:56 ?1626次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 09-01 09:28 ?1211次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7147次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1668次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:52 ?1254次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 08-25 14:10 ?1721次閱讀
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    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1198次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì):電感值為6.7 nH,有助于降低系統(tǒng)的電感效應(yīng),提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
    發(fā)表于 06-25 09:13

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    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:13 ?1045次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1272次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1436次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 03-19 16:59 ?1208次閱讀