91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

金剛石劃片刀工藝操作詳解

西斯特精密加工 ? 2021-12-01 10:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

前言

上一篇文章講到,隨著不同晶圓材料切割要求的提高,生產(chǎn)廠越來(lái)越追求刀片與劃片工藝的雙重優(yōu)化。本文將對(duì)照劃片機(jī)參數(shù)界面,對(duì)劃片工藝每個(gè)設(shè)置進(jìn)行說(shuō)明,幫助行業(yè)新手快速了解劃切工藝操作流程。

晶圓切割類型

半導(dǎo)體是導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體中間的一類物質(zhì)。與導(dǎo)體和絕緣體相比,半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的,直到20世紀(jì)30年代,當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后,半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。

半導(dǎo)體產(chǎn)品主要四種:集成電路光電器件,分立器件,傳感器,由于集成電路又占了市場(chǎng)80%以上的份額,因此通常將半導(dǎo)體和集成電路等同。

集成電路主要分為四大類:微處理器,存儲(chǔ)器,邏輯器件,模擬器件,通常統(tǒng)稱為芯片(IC)。

目前市面主流芯片尺寸多是8inch、12inch,也有少量的2inch、4inch、6inch產(chǎn)品。

根據(jù)客戶不同需要,晶圓片通常都會(huì)規(guī)劃有不同規(guī)格大小的DIE,它們之間都留有足夠的切割道,此間隙稱為劃片街區(qū)。將每一顆具有獨(dú)立性能的DIE分離出來(lái)的過(guò)程叫做劃片或切割。

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展提升,衍生出多種晶圓劃片工藝:

機(jī)械式金剛石刀片切割

446fe78a-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.jpg

這是當(dāng)前主流的劃片技術(shù),技術(shù)成熟穩(wěn)定,適用于當(dāng)前市面上75%以上的晶圓切割。

水切割

44fd2208-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

水切割即以200~400MPa高壓水來(lái)切割各種材料,分為純水切割與磨料液切割。純水切割主要切割軟材或薄板。

激光切割

45868a3e-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

主要針對(duì)高密度晶圓排版,崩邊管控非常嚴(yán)格的晶圓切割。主要應(yīng)用于整流橋可控硅、觸發(fā)管、VNOS等,目前應(yīng)用范圍比較窄。

機(jī)械式金剛石劃片刀工藝

45e2e6f8-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

機(jī)械式金剛石刀片是晶圓劃片的主流技術(shù)。金剛石劃片刀以每分鐘30K-50K的高轉(zhuǎn)速切割晶圓,同時(shí),承載著晶圓的工作臺(tái)以一定的速度沿切割道方向直線運(yùn)動(dòng),切割晶圓產(chǎn)生的碎屑被冷卻水及刀片的容屑槽帶走。

因?yàn)楣璨牧系拇嘈裕瑱C(jī)械切割方式會(huì)對(duì)晶圓的正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力,在切割過(guò)程中在芯片的邊緣產(chǎn)生正崩及背崩。

正崩和背崩崩角會(huì)降低芯片的機(jī)械強(qiáng)度,初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝或在產(chǎn)品的使用中會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)散,可能引起芯片斷裂,從而導(dǎo)致電性失效。另外,如果崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)內(nèi)部時(shí),芯片的電器性能和可靠性都會(huì)受到影響。

如何解決機(jī)械式劃片過(guò)程中產(chǎn)生的崩邊?除了優(yōu)化劃片刀本身,還有切割過(guò)程中的工藝參數(shù)可幫助解決這一問(wèn)題。

工藝詳解

通過(guò)不斷的修改切割參數(shù)及工藝設(shè)定,與劃片刀達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定的平衡,有效解決崩邊問(wèn)題的發(fā)生,以下是切割參數(shù)與工藝設(shè)定的操作詳解。

46d46794-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

1、ID命名:D表示是DFN產(chǎn)品;0303表示產(chǎn)品尺寸;050表示管腳間距;010表示管腳個(gè)數(shù);1表示產(chǎn)品有多少單元;32表示刀片厚度。

2、主軸轉(zhuǎn)速:范圍在10000~30000rp/min之間,常用值23000rp/min。

3、切割模式SUB_INDEX表示按照設(shè)置的切割模式進(jìn)行切割。

4、刀片高度:全自動(dòng)范圍0.4~0.6mm,常用值0.5mm。

5、進(jìn)刀速度

管腳間距0.3~0.35mm,進(jìn)刀速度為45mm/s;

管腳間距0.4~0.45mm,進(jìn)刀速度為55mm/s;

管腳間距0.5mm,進(jìn)刀速度為60mm/s。

6、Z軸自動(dòng)下降:切割過(guò)程中刀片磨耗,Z1/Z2切割達(dá)到設(shè)定長(zhǎng)度后自動(dòng)下降量。

7、自動(dòng)測(cè)高:在切割中/切割后當(dāng)Z1/Z2切割距離達(dá)到設(shè)定值時(shí)自動(dòng)測(cè)高,可選Z1\Z2同時(shí)測(cè)高,可選Z1\Z2同時(shí)或不同時(shí)。(與Z1同時(shí):表示當(dāng)Z1軸切割米數(shù)達(dá)到設(shè)定的數(shù)值時(shí),Z1\Z2同時(shí)測(cè)高;不同時(shí):表示其中任意一軸達(dá)到設(shè)定值時(shí)兩軸同時(shí)測(cè)高。)

47e4951e-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

8、最小二乘法——最準(zhǔn)參數(shù):對(duì)準(zhǔn)過(guò)程X在每個(gè)面的步進(jìn)振幅以及步進(jìn)次數(shù),參數(shù)中通過(guò)對(duì)最小二乘法的設(shè)置來(lái)管控切割時(shí)切在中心點(diǎn)上。

9、修整范圍值:對(duì)準(zhǔn)時(shí)的偏差值,任意一點(diǎn)超出范圍設(shè)備報(bào)警,1B范圍值≤0.025,常用值0.022;4B范圍值≤0.025,常用值0.018。

48a5536c-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

10、1代表CH1面,2代表CH2面,3代表CH1面沖水,4代表CH2面沖水。

11、*中到的√代表兩個(gè)步驟同時(shí)進(jìn)行雙刀切割;*2: 1表示Z1軸,2表示Z2軸,0表示控制

注意事項(xiàng):

1、將產(chǎn)品CH1面和CH2面進(jìn)行分割(保證真空度)。

2、去邊,雙刀同時(shí)進(jìn)行,按照正常切割順序進(jìn)行,去完邊后進(jìn)行沖水,保證廢邊被沖走。

3、廢邊切除完畢按順序進(jìn)行剩余產(chǎn)品切割。

4、保證切割整個(gè)過(guò)程不能漏切。

5、產(chǎn)品需先切除所有廢邊(防止在切割過(guò)程中打刀)。

6、切完廢邊需進(jìn)行沖水操作。

49941146-51d6-11ec-a27f-dac502259ad0.png

對(duì)準(zhǔn)特殊參數(shù):

12、X/Y步進(jìn):各切割向上X/Y方向的對(duì)準(zhǔn)步進(jìn)移動(dòng)量。

θ調(diào)準(zhǔn)時(shí)X軸的振幅:各切割向上自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作中θ調(diào)準(zhǔn)時(shí)X軸的移動(dòng)振幅。

計(jì)算方式:

Ch1:(Ch1面產(chǎn)品尺寸+切割道寬度)×(Ch1面產(chǎn)品數(shù)量-1)

Ch2:(Ch2面產(chǎn)品尺寸+切割道寬度)×(Ch2面產(chǎn)品數(shù)量-1)

注意事項(xiàng):

1、當(dāng)產(chǎn)品尺寸很小時(shí),X/Y步進(jìn)可設(shè)為單顆產(chǎn)品尺寸+切割道寬度mm,避免對(duì)準(zhǔn)時(shí)找不到目標(biāo),對(duì)準(zhǔn)無(wú)法通過(guò)。

2、4B需加廢邊距離(廢邊寬度可用高倍鏡或直接在設(shè)備上測(cè)量)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5410

    瀏覽量

    132297
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    芯片散熱的中國(guó)名片:瑞為新材金剛石散熱技術(shù)助力軍工與民用算力發(fā)展

    在南京瑞為新材料科技有限公司的展廳里,一枚僅1/4指甲蓋大小的芯片靜靜陳列。它的表面被一層金黃的復(fù)合材料包裹,看似普通,卻藏著破解芯片散熱難題的“密碼”——這便是瑞為新材自主研發(fā)的金剛石/金屬?gòu)?fù)合
    的頭像 發(fā)表于 02-10 13:41 ?282次閱讀

    金剛石與氧化鉀:引領(lǐng)未來(lái)半導(dǎo)體工藝的革新力量

    。 極致耐磨:作為CMP拋光墊核心層,金剛石納米顆粒實(shí)現(xiàn)晶圓全局納米級(jí)平整度,助力3nm以下先進(jìn)制程良率突破。 光學(xué)王者:深紫外(DUV)光刻機(jī)透光窗口的首選材料,保障193nm激光高透過(guò)率與長(zhǎng)壽命。 華林科納金剛石清洗工藝流程
    的頭像 發(fā)表于 12-24 13:29 ?429次閱讀
    <b class='flag-5'>金剛石</b>與氧化鉀:引領(lǐng)未來(lái)半導(dǎo)體<b class='flag-5'>工藝</b>的革新力量

    破解“散熱天花板”:金剛石銅復(fù)合材料的百億征程(附分析報(bào)告)

    ”。傳統(tǒng)散熱材料在熱流密度突300W/cm2時(shí)已全面失效,而金剛石銅復(fù)合材料,憑借其接近極限的導(dǎo)熱性能與優(yōu)異的環(huán)境適應(yīng)性,正成
    的頭像 發(fā)表于 11-05 06:34 ?1165次閱讀
    破解“散熱天花板”:<b class='flag-5'>金剛石</b>銅復(fù)合材料的百億征程(附分析報(bào)告)

    一文詳解半導(dǎo)體與CMOS工藝

    天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅,以此制造集成電路。單晶硅對(duì)純度要求極高,需達(dá)到99.9999999%(即9個(gè)9)以上,且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時(shí),就能形成單晶硅;若晶面取向不同,則會(huì)形成多晶硅(Polysilicon)。
    的頭像 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1373次閱讀
    一文<b class='flag-5'>詳解</b>半導(dǎo)體與CMOS<b class='flag-5'>工藝</b>

    金剛石線鋸切割技術(shù)對(duì)藍(lán)寶石晶體切面表面形貌優(yōu)化研究

    隨著LED技術(shù)的迅速發(fā)展,藍(lán)寶石晶體作為GaN芯片的主要襯底材料,其市場(chǎng)需求不斷增加。金剛石線鋸技術(shù)在藍(lán)寶石晶體切割中得到了廣泛應(yīng)用,藍(lán)寶石晶體的高硬度也給加工帶來(lái)了挑戰(zhàn),切割所得藍(lán)寶石晶片的表面
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:50 ?1074次閱讀
    <b class='flag-5'>金剛石</b>線鋸切割技術(shù)對(duì)藍(lán)寶石晶體切面表面形貌優(yōu)化研究

    哈爾濱工業(yè)大學(xué):研究基于一維光子晶體增強(qiáng)金剛石NV色心系綜傳感器的靈敏度

    金剛石中的氮空位(NV)色心是一種很有前途的室溫固態(tài)量子系統(tǒng),然而其靈敏度受限于較低的熒光收集效率,以及NV色心周圍雜質(zhì)電子自旋干涉效應(yīng)對(duì)其相干時(shí)間的限制。本研究創(chuàng)新性地在金剛石表面制備了一維光子
    的頭像 發(fā)表于 07-15 18:18 ?1291次閱讀
    哈爾濱工業(yè)大學(xué):研究基于一維光子晶體增強(qiáng)<b class='flag-5'>金剛石</b>NV色心系綜傳感器的靈敏度

    晶圓劃切過(guò)程中怎么測(cè)高?

    01為什么要測(cè)高晶圓劃片機(jī)是半導(dǎo)體封裝加工技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)重要的加工設(shè)備,目前市場(chǎng)上使用較多的是金剛石刀片劃片機(jī),劃片機(jī)上高速旋轉(zhuǎn)的金剛石
    的頭像 發(fā)表于 06-11 17:20 ?1136次閱讀
    晶圓劃切過(guò)程中怎么測(cè)高?

    壓電納米定位系統(tǒng)搭檔金剛石色心-在納米尺度上捕捉量子世界的奧秘

    在量子計(jì)算、生物傳感、精密測(cè)量等前沿領(lǐng)域,金剛石中的氮-空位(NV)色心正成為顛覆性技術(shù)的核心材料,其獨(dú)特的量子特性為科技突破提供了無(wú)限可能,更因其卓越的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用而成為納米級(jí)研究的有力工具
    的頭像 發(fā)表于 06-05 09:30 ?1260次閱讀
    壓電納米定位系統(tǒng)搭檔<b class='flag-5'>金剛石</b>色心-在納米尺度上捕捉量子世界的奧秘

    馬波斯VBI破偵測(cè):變革半導(dǎo)體生產(chǎn)的劃片機(jī)

    嚴(yán)重的生產(chǎn)損失。為此,馬波斯成功開(kāi)發(fā)了一款全新的創(chuàng)新方案: 馬波斯VBI破偵測(cè)(VBI) 。這項(xiàng)尖端檢測(cè)技術(shù)可徹底重塑劃片機(jī)操作,達(dá)到更高精度和更高可靠性。 ? 晶圓劃片的挑戰(zhàn)
    的頭像 發(fā)表于 04-29 11:31 ?834次閱讀

    合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用

    合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力,被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能,適用于半導(dǎo)體、傳感器和光學(xué)等廣泛領(lǐng)域。卓越特性與應(yīng)用價(jià)值電子工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:32 ?1648次閱讀
    合成<b class='flag-5'>金剛石</b>在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用

    激光劃片的技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)

    激光劃片作為新興材料加工技術(shù),近年來(lái)憑借非接觸式加工特性實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機(jī)制是將高峰值功率激光束經(jīng)擴(kuò)束、整形后,精準(zhǔn)聚焦于藍(lán)寶石基片、硅片、碳化硅(SiC)基片或金剛石等硬脆材料表面,通過(guò)高溫汽化或升華效應(yīng)實(shí)現(xiàn)材料分離。
    的頭像 發(fā)表于 04-19 15:50 ?1291次閱讀

    五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場(chǎng),金剛石MOSFET聚焦極端需求

    金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導(dǎo)體的潛力 金剛石MOSFET被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的重要發(fā)展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環(huán)境下展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。其特性與碳化硅(SiC)MOSFET相比
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:48 ?891次閱讀
    五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場(chǎng),<b class='flag-5'>金剛石</b>MOSFET聚焦極端需求

    金剛石散熱黑科技 | 氮化鎵器件熱管理新突破

    材料學(xué)的奇跡,還是散熱革命的終極答案?"01納米金剛石薄膜:從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的突破技術(shù)痛點(diǎn)升級(jí)分析傳統(tǒng)CVD工藝的瓶頸不僅在于應(yīng)力控制,更涉及晶粒尺寸-熱導(dǎo)率權(quán)衡:晶
    的頭像 發(fā)表于 03-13 17:31 ?2673次閱讀
    <b class='flag-5'>金剛石</b>散熱黑科技 | 氮化鎵器件熱管理新突破

    集成電路制造中的劃片工藝介紹

    本文概述了集成電路制造中的劃片工藝,介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:57 ?3322次閱讀
    集成電路制造中的<b class='flag-5'>劃片</b><b class='flag-5'>工藝</b>介紹

    大尺寸單晶金剛石襯底制備技術(shù)突破與挑戰(zhàn)

    【DT半導(dǎo)體】獲悉,金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結(jié)構(gòu)的原子晶體,屬于典型的面心立方(FCC)晶體,空間點(diǎn)群為 oh7-Fd3m。每個(gè)碳原子以 sp3雜化的方式與其周圍的 4 個(gè)碳原子相連接
    的頭像 發(fā)表于 03-08 10:49 ?1563次閱讀
    大尺寸單晶<b class='flag-5'>金剛石</b>襯底制備技術(shù)突破與挑戰(zhàn)