戶(hù)外電源通常具備快充輸出口，能夠給手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備快速充電，而DFN封裝的MOS管因體積小、散熱好，通常用于快充電源后級(jí)做輸出同步整流。

國(guó)芯思辰在近期接觸的一戶(hù)外電源應(yīng)用項(xiàng)目上，了解到對(duì)方之前有用永源微MOS管AP65N06NF，目前需要找替代方案。

本文主要提到國(guó)產(chǎn)安森德MOS管ASDM60R017NQ，該芯片可pin to pin替換永源微AP65N06NF參數(shù)更有優(yōu)勢(shì)：

1、在VDS耐壓方面，ASDM60R017NQ和AP65N06NF均為60V，戶(hù)外電源的快充輸出口通常具備12V輸出電壓口，故兩者均具備較高的電壓余量；

2、在連續(xù)漏極工作電流ID方面，常溫下，在相同功率時(shí)，ASDM60R017NQ的電流可達(dá)100A，相對(duì)于AP65N06NF的余量更大，更可靠安全使用；

3、在脈沖漏極電流IDM(pluse)方面，ASDM60R017NQ可達(dá)到400A的電流值，相對(duì)于AP65N06NF更高，故ASDM60R017NQ可抵抗更高浪涌電流沖擊；

4、在MOS管導(dǎo)通損耗方面，ASDM60R017NQ的導(dǎo)通電阻最大為2mΩ，比AP65N06NF的更小，更低的導(dǎo)通電阻，具有更低導(dǎo)通損耗，可節(jié)省戶(hù)外電源的電池電量；

5、兩者封裝均為DFN5*6封裝，引腳定義相同，可pin to pin替換。

ASDM60R017NQ封裝以及管腳定義

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