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NAND NOR FLASH閃存產(chǎn)品概述

深圳市雷龍發(fā)展有限公司 ? 2022-08-25 18:02 ? 次閱讀
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隨著國內(nèi)對(duì)集成電路,特別是存儲(chǔ)芯片的重視,前來咨詢我們關(guān)于NOR Flash,NAND Flash,SD NAND, eMMC, Raw NAND的客戶越來越多了。這里我們專門寫了這篇文章:1,把常用的存儲(chǔ)產(chǎn)品做了分類; 2把一些產(chǎn)品的特點(diǎn)做一個(gè)描述。

在正式開始介紹之前,我們給大家推(an)薦(li)一款非常易用穩(wěn)定的Flash產(chǎn)品:CS創(chuàng)世 SD NAND。具備如下特點(diǎn):

1,免驅(qū)動(dòng)使用;2,可機(jī)貼;3,尺寸小巧。6*8mm,LGA-8封裝;

4,擦寫壽命長;5,耐高低溫沖擊;6,容量適宜(128MB~4GB)

具體可以可以看鏈接:SD NAND-雷龍發(fā)展有限公司

我們把存儲(chǔ)產(chǎn)品大概分為E2PROM,NOR,NAND 3類,他們框架如下:

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一,E2PROM

容量非常小,目前存在于一些MCU內(nèi)部,遙控器,電風(fēng)扇等小家電里。用來存儲(chǔ)一些基礎(chǔ)信息。用戶基本不關(guān)心這個(gè)。因此這里不做詳細(xì)描述。

二,NOR Flash

是目前應(yīng)用領(lǐng)域最廣泛的一種存儲(chǔ)芯片了.基本上主流的電子產(chǎn)品里都有使用。甚至我們手機(jī)攝像頭內(nèi)部,屏幕驅(qū)動(dòng)電路板上都會(huì)用到。主要用來存儲(chǔ)代碼和一些比較小的數(shù)據(jù)文件。主流是SPI NOR接口; 主流容量:1Mbit~128Mbit; 封裝:SOP-8居多,也有更小的;尺寸也都比較小。

NOR Flash架構(gòu)決定了它的容量不能做大,而且讀取速度比較慢。好處在于比較簡單易用。甚至可以直接用地址訪問到數(shù)據(jù),不需要建立文件系統(tǒng)。(這點(diǎn)攻城獅朋友們比較喜歡)

三,NAND Flash

應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī),肯定會(huì)考慮64GB,還是256GB?買筆記本是買256GB,還是512GB容量的硬盤呢?(目前電腦大部分采用了基于NAND Flash產(chǎn)品的固態(tài)硬盤)。這里我們從如下幾方面做一個(gè)分類:

3.1 內(nèi)部材質(zhì)

NAND FLASH從材質(zhì)上可以分為SLC/MLC/TLC/QLC,本質(zhì)區(qū)別就是在最小的存儲(chǔ)單元內(nèi)能存放多少bit的信息。SLC(2bit)/MLC(4bit)/ TLC(8bit)/ QLC(16bit). 這樣晶圓的存儲(chǔ)密度會(huì)翻倍。這4種晶圓的特點(diǎn)如下:

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可以看到從SLC 到QLC 擦寫壽命越來越短,性能和品質(zhì)越來越差。目前我們主流的消費(fèi)類電子產(chǎn)品使用的大容量產(chǎn)品,基本都是TLC/QLC了。比如手機(jī),筆記本里的固態(tài)硬盤。

3.2 生產(chǎn)工藝

目前主要有2D和3D。主流生產(chǎn)工藝已經(jīng)升級(jí)到3D了。2D和3D區(qū)別可以看如下的示意圖:

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可以理解2D工藝就是老的磚瓦房,3D工藝就是摩天大樓。帶來的最大好處就是存儲(chǔ)密度N倍的增長。最近幾年手機(jī),筆記本的主流容量都在變大跟產(chǎn)業(yè)使用了3D工藝有直接關(guān)系。

3.3 使用特點(diǎn)/管理機(jī)制

NAND Flash產(chǎn)品本身存在一定的特性,要正常使用,必須配備對(duì)應(yīng)的管理機(jī)制。主要有:

1,NAND Flash存在位翻轉(zhuǎn)和位偏移。本來存儲(chǔ)的是0101的數(shù)據(jù),有一定概率會(huì)變成1010。這個(gè)時(shí)候就需要配備EDC/ECC機(jī)制;

2,NAND Flash出廠時(shí)會(huì)有壞塊(不用驚訝,原廠出廠的時(shí)候都會(huì)標(biāo)識(shí)出來,而且比例是很低),在使用當(dāng)中也可能產(chǎn)生壞塊。因此需要配備 動(dòng)態(tài)和靜態(tài)壞塊管理機(jī)制;

3,NAND Flash有寫入壽命的限制。每個(gè)塊都有擦寫壽命。因此需要配備 平均讀寫機(jī)制。讓整體的塊能夠均衡的被使用到;

4,NAND Flash是先擦后寫,集中擦寫的強(qiáng)電流會(huì)對(duì)周邊塊有影響等。需要配備 垃圾回收,均衡電荷散射機(jī)制等。

CS創(chuàng)世 SD NAND把這些算法都集成到內(nèi)部了。示意圖如下

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3.4 產(chǎn)品分類

簡單的可以按照如下劃分:

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Raw NAND本質(zhì)上是把NAND Flash晶圓的Pad點(diǎn)引出來,封裝成TSOP48/BGA等顆粒。 由于里面不帶控制器,針對(duì)NAND Flash的各種管理算法都需要在CPU端來做,一來會(huì)涉及到寫驅(qū)動(dòng)的問題;二來會(huì)增加CPU的負(fù)荷。

帶控制器的產(chǎn)品,我們分為芯片類和模組類兩種。由于產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷不一樣,導(dǎo)致兩類產(chǎn)品的品質(zhì)要求有很大區(qū)別。具體我們?cè)?jīng)寫了一篇文章專門講過這個(gè):http://www.longsto.com/news/25.html。

芯片類產(chǎn)品有SD NAND,eMMC, SPI NAND. 他們共同特點(diǎn)是內(nèi)部都帶了針對(duì)NAND Flash的管理機(jī)制。相對(duì)來說可以減輕CPU的負(fù)荷。但SPI NAND除外,它內(nèi)部只帶了部分管理算法,因此還是需要寫驅(qū)動(dòng)。 模組類產(chǎn)品主流的有TF/SD卡,SSD,U盤等。

這里我們把幾個(gè)常用產(chǎn)品做一個(gè)簡單的對(duì)比:

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CS創(chuàng)世 SD NAND和幾個(gè)產(chǎn)品的具體對(duì)比,也可以參考如下文章:

SD NAND VS TF卡:SD NAND與TF卡的區(qū)別-技術(shù)問答

SD NAND VS Raw NAND:SD NAND與Raw NAND對(duì)比

SD NAND VS eMMC:SD NAND與eMMC優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

SD NAND VS SPI NAND:CS品牌SD NAND與SPI NAND的對(duì)比

親愛的卡友們,如果看完文章之后還是有疑惑或不懂的地方,請(qǐng)聯(lián)系我們,自己去理解或猜答案是件很累的事,請(qǐng)把最麻煩的事情交給我們來處理,術(shù)業(yè)有專攻,聞道有先后,雷龍發(fā)展專注存儲(chǔ)行業(yè)13年,專業(yè)提供小容量閃存解決方案。

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聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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