近日，本源量子成功研制國(guó)內(nèi)首個(gè)專(zhuān)用于量子芯片生產(chǎn)的MLLAS-100激光退火儀（簡(jiǎn)稱(chēng)“激光退火儀”），該儀器可解決量子芯片位數(shù)增加時(shí)的工藝不穩(wěn)定因素，像“手術(shù)刀”一樣精準(zhǔn)剔除量子芯片中的“瑕疵”，增強(qiáng)量子芯片在向多比特?cái)U(kuò)展時(shí)的性能，從而進(jìn)一步提升量子芯片的良品率。

本源量子團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的激光退火儀將有助于解決更高位數(shù)量子計(jì)算機(jī)中的多比特量子芯片生產(chǎn)問(wèn)題，該設(shè)備可達(dá)到百納米級(jí)超高定位精度，對(duì)量子芯片中單個(gè)量子比特進(jìn)行局域激光退火，從而定向控制修飾量子比特的頻率參數(shù)，解決多比特?cái)U(kuò)展中比特頻率擁擠的問(wèn)題，助力量子芯片向多位數(shù)擴(kuò)展。

該設(shè)備擁有正向和負(fù)向兩種激光退火方式，可以在生產(chǎn)過(guò)程中靈活調(diào)節(jié)多比特超導(dǎo)量子芯片中量子比特的關(guān)鍵參數(shù)。同時(shí)，該設(shè)備還可用于半導(dǎo)體集成電路芯片、材料表面局域改性處理等領(lǐng)域，目前已在國(guó)內(nèi)第一條量子芯片生產(chǎn)線上投入使用。