91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國芯思辰|國產(chǎn)碳化硅可替代科銳C2M0160120D應(yīng)用服務(wù)器電源中

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-01-29 15:39 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ),處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運(yùn)行,承載著整個(gè)企業(yè)甚至全球各地的訪問任務(wù),這主要?dú)w功于其高性能、高可靠性電源設(shè)計(jì)。

服務(wù)器的電源設(shè)計(jì)趨勢主要在于高密度、體積小、功率大并且效率高,因此優(yōu)良的碳化硅功率器件可以滿足不同工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域電源的安全性和可靠性要求。碳化硅MOSFET是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件,因其高耐壓、低損耗、高效率等特性,一直被視為“理想器件”,在大功率電源的應(yīng)用方案中可以顯著提高電能利用率。例如目前的新能源汽車,光伏,儲(chǔ)能,大功率電源及高端工業(yè)都是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場景,本文重點(diǎn)提到國產(chǎn)基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用。

基本半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的碳化硅功率器件制造商,其覆蓋的碳化硅MOS方案憑借其優(yōu)良的性能,常用于大功率元器件中?;景雽?dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M160120HC可以給服務(wù)器電源提供更高開關(guān)頻率,更高的系統(tǒng)效率,同時(shí)可以降低服務(wù)器系統(tǒng)的尺寸和重量,并能夠使電源更能適應(yīng)惡劣環(huán)境的影響,延長服務(wù)器的使用壽命;以下是B1M160120HC的主要應(yīng)用優(yōu)勢:

1、B1M160120HC具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路;

2、B1M160120HC具有超低內(nèi)阻,可在大功率應(yīng)用中降低模塊的冷卻要求;

3、B1M160120HC的結(jié)溫范圍為-55°~150°,具有較低的熱耗散和開關(guān)損耗,滿足工業(yè)電源的工作環(huán)境;

4、B1M160120HC可完全替代科銳C2M0160120D,提供TO-247-3封裝;

綜上,基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全滿足服務(wù)器電源的設(shè)計(jì)方案,國芯思辰擁有完整的供應(yīng)鏈和全面設(shè)計(jì)支持,可以提供優(yōu)良的碳化硅產(chǎn)品;該產(chǎn)品價(jià)格也非常有優(yōu)勢,如需樣品,可以在國芯思辰官網(wǎng)進(jìn)行申請。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18845

    瀏覽量

    263624
  • 服務(wù)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    10261

    瀏覽量

    91528
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3469

    瀏覽量

    52384
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    雙脈沖測試技術(shù)解析報(bào)告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估

    雙脈沖測試技術(shù)解析報(bào)告:國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率模塊替代進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接的分銷商。主要
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:48 ?686次閱讀
    雙脈沖測試技術(shù)解析報(bào)告:<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率模塊<b class='flag-5'>替代</b>進(jìn)口IGBT模塊的驗(yàn)證與性能評(píng)估

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究報(bào)告

    基于SiC碳化硅功率器件的一級(jí)能效超大功率充電樁電源模塊深度報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 12-14 07:32 ?1570次閱讀
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的<b class='flag-5'>c</b>研究報(bào)告

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在儲(chǔ)能與逆變器市場替代IGBT單管的分析報(bào)告

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在儲(chǔ)能與逆變器市場替代IGBT單管的分析報(bào)告:基于可靠性與性能的全面評(píng)估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接的分銷商。主
    的頭像 發(fā)表于 12-11 08:39 ?1990次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在儲(chǔ)能與逆變器市場<b class='flag-5'>替代</b>IGBT單管的分析報(bào)告

    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子市場報(bào)告:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 11-24 04:57 ?403次閱讀
    傾佳電子市場報(bào)告:<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破

    傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源的應(yīng)用

    傾佳電子研究報(bào)告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源的應(yīng)用與
    的頭像 發(fā)表于 11-21 21:29 ?1248次閱讀
    傾佳電子研究報(bào)告:B<b class='flag-5'>2M</b>600170R與B<b class='flag-5'>2M</b>600170H 1700V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在電力電子輔助<b class='flag-5'>電源</b><b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用

    今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
    的頭像 發(fā)表于 08-29 14:38 ?7147次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機(jī)驅(qū)動(dòng)<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

    碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性,為新能源發(fā)電、工業(yè)電源
    的頭像 發(fā)表于 08-16 13:50 ?3703次閱讀
    森<b class='flag-5'>國</b><b class='flag-5'>科</b>推出SOT227封裝<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE)生產(chǎn)的1200V、450A
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?984次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?1186次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波(APF)的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?1075次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源濾波<b class='flag-5'>器</b>(APF)<b class='flag-5'>中</b>的革新應(yīng)用

    深度分析650V國產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

    深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 11:15 ?716次閱讀
    深度分析650V<b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的產(chǎn)品力及<b class='flag-5'>替代</b>高壓GaN器件的潛力

    信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測試的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁的應(yīng)用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁的應(yīng)用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅M
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:12 ?1903次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET<b class='flag-5'>替代</b>硅基IGBT常見問題Q&amp;A