當BUZZ處于高壓狀態(tài)時，晶體管T1（N型晶體管）接通，蜂鳴器響起。R5 的角色用于電流限制。

以下電路增加一個電容C18和一個反向二極管D2，以濾除和阻斷反向二極管。二極管的反向擊穿電壓非常高。一般低功率三極管觸發(fā)電壓非常低至0.7V。電流也很小，一般小于1UA。

III IO控制電源開關已打開 - 使用晶體管和 MOS 管

MOS：FET MOSFET管之一，可制成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道全部類型。但實際應用只是增強型N溝道MOS管和增強型P溝道MOS管，即NMOS和PMOS。

對于這兩種增強型MOS管，通常使用NMOS，其特點是導通電阻低。它通常適用于巫術電源和電機驅動。

導管條件：

當 Vgs 大于特定值時，NMOS 將打開。當 Vgs 小于某個值時，PMOS 打開。

開關損耗：

無論是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻，導致不可避免的損耗。而現(xiàn)在MOS晶體管的導通電阻一般是幾十毫歐。

MOS管AO3401：P溝道增強模式場效應晶體管

導通條件：一般不超過-12V即可用于AO3401。以下是不同壓降下的阻抗：