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國芯思辰|碳化硅MOSFET B2M035120YP替代安森美用于太陽能逆變器

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-07-04 10:14 ? 次閱讀
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隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高,光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來更高的轉換效率和更低的能量損耗,從而有效縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產成本等,在光伏行業(yè)呈現(xiàn)大規(guī)模應用趨勢。

太陽能光伏逆變器可以實現(xiàn)直流電到交流電的轉換,是所有光伏發(fā)電系統(tǒng)中最關鍵的部分,主要由三部分組成,MPPT、直流濾波和DC-AC逆變并網,本文推薦使用基本半導體碳化硅MOSFET B2M035120YP替代英飛凌的IMZ120R030M1H和安森美的NVH4L030N120M3S,且B2M035120YP在高溫工作中會更有優(yōu)勢。

然而通常為了獲得高發(fā)電量,逆變器效率的提高必不可少,在三相光伏逆變器上在升壓部分使用1200V B2M035120YP替代普通的1200V的硅器件,相比具有相同額定值的1200V硅器件,碳化硅MOSFET能效更高,具有高阻斷電壓的低導通電阻,系統(tǒng)尺寸/重量得到縮減,電力電子系統(tǒng)中的功率密度也有所增加。即便在高溫(175°C)下運行,也能發(fā)揮一流的耐用性與卓越性能。

B2M035120YP.png

B2M035120YP應用領域:

開關模式電源(SMPS)、電源逆變器&太陽能逆變器、電機驅動器和電動汽車充電站、直流/直流轉換器

該產品符合RoHS標準、無鉛、不含鹵素,非常適用于光伏逆變器等效率、體積及發(fā)熱要求較高的應用。此外,基本半導體提供各種電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET,產品可應用于標準環(huán)境及高溫環(huán)境,各項性能指標達到國際領先水平

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