隨著大規(guī)模復雜集成電路的不斷發(fā)展，噪聲對于集成電路性能的潛在危害越來越大。近年來，對于噪聲的探究已經(jīng)受到了廣泛的關注。隨著集成電路特征尺寸的進一步減小，綜合水平的不斷提高，噪聲已經(jīng)成為一個不容忽視的問題。

不斷提高的小型化技術和創(chuàng)新邏輯設計使噪聲新問題從模擬和混合信號領域蔓延到純模擬和純數(shù)字設計領域。噪聲在集成電路中是一個很大的問題，特別是當一個敏感電路要接收弱信號，而它又位于進行著各種計算、控制邏輯和有頻繁跳變信號的電路旁路時，會影響敏感電路的工作及性能，甚至可以毀掉整個芯片。

SPICE集成電路分析程序與MOSFET模型

Level 1 簡單MOSFET模型

Level 2 2μm 器件模擬分析

Level 3 0.9μm 器件數(shù)字分析

BSIM 1 0.8μm 器件數(shù)字分析

BSIM 2 0.3μm 器件模擬與數(shù)字分析

BSIM 3 0.5μm 器件模擬分析與0.1?m 器件數(shù)字分析

Level=6 亞微米離子注入器件

Level=50 小尺寸器件模擬電路分析

Level=11 SOI器件

對電路設計工程師來說, 采用什么模型參數(shù)在很大程度上還取決于能從相應的工藝制造單位得到何種模型參數(shù)。

指標分析

偏置電流與功耗、開環(huán)增益、GBW與相位裕 度、壓擺率、Swing Range、失調、噪聲、 工藝corner分析、溫度特性分析等

單位增益帶寬 GBW≈gm1/(Cc+CGD3)

主極點?p1≈1/[Ro1gm3Ro(Cc+CGD3)]

第二極點?p2≈gm3/(CL+Co)

零點 ?z≈1/[(Cc+CGD3)(gm3-1-Rz)]

.ac dec 10 1k 500meg

.noise v(out2) VVDC 10